Новосибирск, ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, – М. Издательство Перо, 2019.
ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.)
Издание осуществлено на основе MS Word файлов, представленных авторами докладов. В процессе верстки исправлены только ошибки стилевого оформления.
УДК 53
ББК В379.2я431
Т29
© ФГБУН Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 2019
Часть 2. – 270 с. ISBN 978-5-00150-446-7 (Общ.) / ISBN 978-5-00150-448-1 (Ч.2)
| Дальнодействующее обменное взаимодействие в гибридной структуре ферромагнетик-полупроводник Акимов И.А. DOI 10.34077/Semicond2019-276 | стр.276 |
| Спиновая поляризация и спин-зависимый транспорт в
кристаллическом топологическом изоляторе PbSnTe Терещенко О.Е., Голяшов В.А., Кавеев А.К., Климов А.Э., Акимов А.Н., Тарасов А.С., Ищенко Д.В., Супрун С.П., Ахундов И.О. DOI 10.34077/Semicond2019-277 | стр.277 |
| Магнитные свойства Ge1-xMnx/Si квантовых точек: ЭПР Зиновьева А.Ф., Зиновьев В.А. , Степина H.П., Кацюба А.В. , Двуреченский А.В., Гутаковский А.К., Кулик Л.В., Богомяков А.С., Эренбург С.Б., Трубина С.В., Фёльсков М. DOI 10.34077/Semicond2019-278 | стр.278 |
| Динамическая спиновая инжекция в гибридной системе
полупроводниковая квантовая яма – примесное состояние Манцевич В.Н., Рожанский И.В., Маслова Н.С., Арсеев П.И., Аверкиев Н.С., Lahderanta E. DOI 10.34077/Semicond2019-279 | стр.279 |
| Управление долгоживущей спиновой спиралью
Пошакинский А.В., Paßmann F., Anghel S., Betz M., Тарасенко С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-280 | стр.280 |
| Топологический эффект Холла и spin swapping в наноструктурах Рожанский И.В., Денисов К.C., Лифшиц М.Б. , Аверкиев Н.С., Lahderanta E. DOI 10.34077/Semicond2019-281 | стр.281 |
| Теория спиновой инерции в квантовых точках
Смирнов Д.С., Глазов М.М. DOI 10.34077/Semicond2019-282 | стр.282 |
| Радиочастотный запуск когерентной спиновой динамики в n-GaAs и ее детектирование посредством фарадеевского вращения Белых В.В., Яковлев Д.Р., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-283 | стр.283 |
| Эффекты спин-орбитального взаимодействия в режиме квантового эффекта Холла Щепетильников А.В., Нефёдов Ю.А., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-284 | стр.284 |
| Скирмионные текстуры в магнитных полупроводниках с
электростатическим беспорядком Денисов К.С., Рожанский И.В., Аверкиев Н.С., Lahderanta E. DOI 10.34077/Semicond2019-285 | стр.285 |
| Особенности магнитных и диэлектрических свойств α-MnS в области магнитного перехода Абрамова Г.М., Великанов Д.А., Еремин Е.В. DOI 10.34077/Semicond2019-286 | стр.286 |
| Обменное взаимодействие темного экситона с поверхностными парамагнитными центрами в наноплателетах CdSe Головатенко А. А., Родина А.В., Шорникова Е.В., Яковлев Д.Р., Biadala L., Qiang G., Kuntzmann A., Nasilowski M., Dubertret B., Polovitsyn A., Moreels I., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-287 | стр.287 |
| Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в
спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs Дёмина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Вихрова О.В. DOI 10.34077/Semicond2019-288 | стр.288 |
| Аномальное магнитосопротивление в системах с киральными
спиновыми текстурами Денисов К.С., Голуб Л.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-289 | стр.289 |
| Управление электронной локализацией за счет деформационных полей в группах Ge/Si квантовых точек Зиновьева А.Ф., Зиновьев В.А., Ненашев А.В., Кулик Л.В., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-290 | стр.290 |
| Электрическое управление p-d обменным взаимодействием в
гибридной структуре ферромагнетик-полупроводник Коренев В.Л., Калитухо И.В., Aкимов И.A., Сапега В.Ф., Жуков Е.А., Kirstein E., Кен О.С., Kudlacik D., Karczewski G. , Wiater M., Wojtowicz T., Ильинская Н.Д., Лебедева Н.М., Комиссарова Т.А., Яковлев Д.Р., Кусраев Ю.Г., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-291 | стр.291 |
| Электрический контроль оптической ориентации в AlGaAs/GaAs гетероструктуре Кен О.С., Жуков Е.А. , Коптева Н.Е., Aкимов И.A., Калитухо И.В., Сапега В.Ф., Коренев В.Л., Яковлев Д.Р., Кусраев Ю.Г., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-292 | стр.292 |
| Комбинационное рассеяние света с переворотом спина в
самоорганизованных квантовых точках CdSe/ZnMnSe Козырев Н.В., Ахмадуллин Р.Р., Намозов Б.Р., Кусраев Ю.Г., Седова И.В., Сорокин С.В., Иванов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-293 | стр.293 |
| Поправки высших порядков к спин-орбитальному взаимодействию в полупроводниковых квантовых ямах Зайнагутдинов А.Р., Артамонов Д.М., Кулаков Д.А., Дегтярев В.Е., Хазанова С.В.,Конаков А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-294 | стр.294 |
| Спиновая динамика двумерного электронного газа в режиме
квантового эффекта Холла Белых В.В., Кочиев М.В., Яковлев Д.Р., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-295 | стр.295 |
| Времена электронной спиновой релаксации в эпитаксиальных слоях InGaAs Кузнецова М.С., Евдокимов А.Е., Петров М.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-296 | стр.296 |
| Пикосекундная кинетика взаимодействия фотовозбужденных
носителей со спиновой подсистемой ионов Mn в II-VI полумагнитных полупроводниковых гетероструктурах Максимов А.А., Филатов Е.В., Тартаковский И.И. DOI 10.34077/Semicond2019-297 | стр.297 |
| Косвенная спектроскопия корреляционных функций
спиновых флуктуаций высоких порядков Смирнов Д.С., Кавокин К.В. DOI 10.34077/Semicond2019-298 | стр.298 |
| Гранулированные пленки SiCxNy:Fe: транспортные и магнитные свойства Степина Н.П., Пушкарев Р.В., Зиновьева А.Ф., Кириенко В.В., Богомяков А.С., Гутаковский А.К., Двуреченский А.В., Файнер Н.И. DOI 10.34077/Semicond2019-299 | стр.299 |
| Применение спектроскопии отогрева для изучения флуктуаций ядерных спинов в полупроводниках Чербунин Р.В., Литвяк В.М., Кавокин К.В., Калевич В.К DOI 10.34077/Semicond2019-300 | стр.300 |
| Поляризованное фотонное эхо в CdTe/CdMgTe квантовых ямах
Югова И.А., Полтавцев С.В., Капитонов Ю.В., Karczewski G., Wojtowicz T., Акимов И.А., Яковлев Д.Р. and Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-301 | стр.301 |
| Подвижность носителей заряда в сильных электрических полях в режиме проводимости с многократным захватом Ненашев А.В., Двуреченский А.В., Oelerich J.O., Jandieri K., Valkovskii V.V., Semeniuk O., Gebhard F., Juška G., Reznik A., Baranovskii S.D. DOI 10.34077/Semicond2019-304 | стр.304 |
| Обнаружение резонансного поглощения ультразвука одиночным ян-теллеровским центром Cr в кубическом ZnSe Аверкиев Н.С., Барышников К.А., Берсукер И.Б., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Сарычев М.Н., Жерлицын С., Ясин Ш., Коростелин Ю.В. DOI 10.34077/Semicond2019-305 | стр.305 |
| Адмиттанс спектроскопия дефектов с мелким уровнем в
эпитаксиальных слоях n-GaN Гиндина М.И., Лундин В.В., Сахаров А.В., Николаев А.Е., Гуткин А.А., Брунков П.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-306 | стр.306 |
| Структура ядра недиссоциированных 60° дислокаций
Гутаковский А.К., Вдовин В.И., Федина Л.И. DOI 10.34077/Semicond2019-307 | стр.307 |
| Перестройка спектра THz стимулированного излучения одноосно деформированного Si:Bi при резонансном возбуждении Жукавин Р.Х., Павлов С.Г., Pohl A., Абросимов Н.В., Redlich B., Hübers H.-W., Шастин В.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-308 | стр.308 |
| Влияние акцепторных центров на терагерцовую фотолюминесценцию в гетероструктурах с КЯ HgTe/СdxHg1-xTe Козлов Д.В., Румянцев В.В., Фадеев М.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Teppe F. и Морозов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-309 | стр.309 |
| Высокоразрешающая спектроскопия рассеяния света на парных кластерах магнитных ионов Чербунин Р.В., Литвяк В.М., Рыжов И.И., Кудинов А.В., Geurts J., Karczewski G. DOI 10.34077/Semicond2019-310 | стр.310 |
| Теория спиновой динамики и ОДМР центров окраски со спином 3/2 Пошакинский А.В., Тарасенко С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-311 | стр.311 |
| Влияние релаксации спиновых корреляций на проводимость органических полупроводников с прыжковым транспортом Шумилин А.В., Бельтюков Я.М. DOI 10.34077/Semicond2019-312 | стр.312 |
| Знакопеременная оптическая ориентация в структурах GaAs:Mn Кокурин И.А., Силов А.Ю., Аверкиев Н.С. DOI 10.34077/Semicond2019-313 | стр.313 |
| Расчет энергетической структуры точечных дефектов в нитриде алюминия методами теории функционала плотности Александров И.А., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-314 | стр.314 |
| Спиновые центры окраски в карбиде кремния: фундаментальные свойства и применение Анисимов А.Н., Пошакинский А.В., Баранов П.Г., Астахов Г.В. , Тарасенко С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-315 | стр.315 |
| Оптическая ориентация и выстраивание ионов марганца в A2B6 полупроводниках в условиях сильного эффекта Яна-Теллера Барышников К.А. DOI 10.34077/Semicond2019-316 | стр.316 |
| Многофононная релаксация состояний двойных доноров серы и селена в кремнии Бекин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-317 | стр.317 |
| Двухфононная релаксация состояний акцепторов бора в алмазе Бекин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-318 | стр.318 |
| Оптимизация кристаллического совершенства фосфидных
гетероструктур с азотом на Si Большаков А.Д., Федоров В.В., Коваль О.Ю., Сапунов Г.А., Соболев М.С., Пирогов Е.В., Кириленко Д.А., Можаров А.М., Мухин И.С. DOI 10.34077/Semicond2019-319 | стр.319 |
| Влияние легирования железом на пространственное распределение люминесценции в кристаллах ZnSe и ZnS Гладилин А.А., Калинушкин В.П., Уваров О.В., Ильичев Н.Н., Тимофеева Н.А., Гаврищук Е.М., Ченцов С.И., Кривобок В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-320 | стр.320 |
| Магнетизм низкоконцентрированной (< 0,2 at.%) электронной системы донорных примесей железа в кристалле селенида ртути Говоркова Т.Е., Окулов В.И., Окулова К.А., Памятных Е.А. DOI 10.34077/Semicond2019-321 | стр.321 |
| Природа энергетических состояний в запрещённой щели оксида цинка, легированного марганцем Груздев Н.Б., Соколов В.И., Важенин В.А., Фокин А.В., Королёв А.В., Меньшенин В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-322 | стр.322 |
| Микроскопическая модель потенциала дефекта упаковки и
локализованного на нём экситона в GaAs Дурнев М.В., Глазов М.М., Линпенг К., Виитаниеми М., Джонсон К., Фу К.-М. DOI 10.34077/Semicond2019-323 | стр.323 |
| Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур
CdHgTe Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В. DOI 10.34077/Semicond2019-324 | стр.324 |
| Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных пленок PbSnTe(In) Иконников А.В., Черничкин В.И., Дудин В.C., Акопян Д.А., Акимов А.Н., Климов А.Э., Терещенко О.Е., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-325 | стр.325 |
| Роль гранных форм для получения бездислокационных кристаллов германия низкоградиентным методом Чохральского Касимкин П.В., Шлегель В.Н., Васильев Я.В., Курусь А.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-326 | стр.326 |
| Гальваномагнитные свойства и электронная структура сплавов Pb1-x-ySnxScyTe Скипетров Е.П., Хворостин А.В., Ковалев Б.Б., Богданов Е.В., Кнотько А.В., Слынько В.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-327 | стр.327 |
| Параметры резонансного уровня железа в сплавах Pb1-x-ySnxFeyTe Скипетров Е.П., Ковалев Б.Б., Скипетрова Л.А., Кнотько А.В., Слынько В.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-328 | стр.328 |
| Исследование процессов отжига слаболегированных слоев n-4Н-SiC после облучения быстрыми электронами Корольков O.М., Козловский В.В., Лебедев A.А., Слепчук Н., Toompuu J., Стрельчук А.М. DOI 10.34077/Semicond2019-329 | стр.329 |
| Поверхностные токи и спонтанный магнетизм в гальваномагнитных свойствах низкоконцентрированных электронных систем донорных примесей переходных элементов Окулов В.И. DOI 10.34077/Semicond2019-330 | стр.330 |
| Об особенностях рекомбинации в предварительно засвеченных при повышенной температуре высокоомных пленках a-Si:H Курова И.А., Ормонт Н.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-331 | стр.331 |
| Зарастание N-полярных инверсионных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN Осинных И.В., Малин Т.В., Журавлев К.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-332 | стр.332 |
| Влияние уровня легирования на «зеленую» люминесценцию сильно легированных слоев AlGaN:Si с содержанием алюминия выше 0.5 Осинных И.В., Малин Т.В., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-333 | стр.333 |
| Электронная структура субоксидов кремния SiOx: ab initio моделирование Перевалов Т.В. DOI 10.34077/Semicond2019-334 | стр.334 |
| Кулоновские корреляции и форма линии донорно-акцепторной
рекомбинации в компенсированных полупроводниках Богословский Н.А., Петров П.В., Аверкиев Н.С. DOI 10.34077/Semicond2019-335 | стр.335 |
| Эффект Яна-Теллера в примесном ионе Ni2+ в ZnSe и CaF2 Сарычев М.Н., Гудков В.В., Жевстовских И.В., Бондаревская А.С., Шутов И.С., Егранов А.В., Суриков В.Т. DOI 10.34077/Semicond2019-336 | стр.336 |
| Особенности роста эпитаксиальных упругонапряженных
гетероструктур AlGaInAs/InP для полупроводниковых лазеров Светогоров В.Н., Акчурин Р.Х., Рябоштан Ю.Л., Яроцкая И.В., Ладугин М.А., Мармалюк А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-337 | стр.337 |
| Влияние отжига на транспортные и оптические свойства
узкощелевых твердых растворов CdHgTe Уаман Светикова Т.А., Иконников А.В., Румянцев В.В., Козлов Д.В., Черничкин В.И., Галеева А.В., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В., Гавриленко В.И. DOI 10.34077/Semicond2019-338 | стр.338 |
| Электрофизические параметры и дефекты структуры Ge,
полученного низкоградиентным методом Чохральского Фрицлер К.Б., Труханов Е.М., Касимкин П.В., Шлегель В.Н., Васильев Я.В. DOI 10.34077/Semicond2019-339 | стр.339 |
| Управление пиннингом волны зарядовой плотности в соединениях RTe3 без изменения структуры материала Фролов А.В., Орлов А.П., Шахунов В.А., Синченко А.А., Монсо П. DOI 10.34077/Semicond2019-340 | стр.340 |
| Релаксация ультразвука примесными центрами с эффектом Яна-Теллера в кубических кристаллах Аверкиев Н.С., Берсукер И.Б., Гудков В.В., Сарычев М.Н., Жевстовских И.В., Бондаревская А.С., Хоссени У.А.Л., Шутов И.С., Егранов А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-341 | стр.341 |
| Люминесцентные свойства одиночных донорно-акцепторных пар в квантовых ямах на основе ZnSe Николаев С.Н., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е., Пручкина А.А., Чернопицский М.А., Ченцов С.И. DOI 10.34077/Semicond2019-342 | стр.342 |
| Микрофотолюминесценция структурных дефектов в плёнках
CdTe/GaAs и CdTe/Si для КРТ подложек Николаев С.Н., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е., Пручкина А.А., Ченцов С.И. DOI 10.34077/Semicond2019-343 | стр.343 |
| ИК- фотолюминесценция кремния при облучении тяжелыми ионами высоких энергий Черкова С.Г., Володин В.А., Скуратов В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-344 | стр.344 |
| Определение доминирующего механизма безызлучательного
возбуждения ионов марганца в II-VI полумагнитных полупроводниках Черненко А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-345 | стр.345 |
| Аномальная температурная зависимость намагниченности
(PbzSn1-z)1-xInxTe в сверхпроводящем состоянии Михайлин Н.Ю., Шамшур Д.В., Парфеньев Р.В., Денисов Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-346 | стр.346 |
| Исследование сверхструктурных свойств в сильно легированном пористом фосфиде индия Шарков М.Д., Бойко М.Е., Карлина Л.Б., Бойко А.М., Конников С.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-347 | стр.347 |
| Осесимметричные циклотронные 2D магнитоплазмоны
Волков В.А., Заболотных А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-350 | стр.350 |
| Фотоиндуцированный транспорт в конденсате Бозе-Эйнштейна
Ковалев В.М., Боев М.В., Савенко И.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-351 | стр.351 |
| Резонансное детектирование терагерцового излучения в графеновых полевых транзисторах Свинцов Д., Бандурин Д., Гайдученко И., Федоров Г., Гейм А. DOI 10.34077/Semicond2019-352 | стр.352 |
| Когерентная микроволновая и терагерцовая магнитооптика
полупроводниковых систем Шуваев А.М. DOI 10.34077/Semicond2019-353 | стр.353 |
| Индуцированные микроволновым излучением осцилляции
сопротивления в двумерном электронном газе с одномерной периодической модуляцией Быков А.А., Стрыгин И.С., Горан А.В., Калагин А.К., Родякина Е.Е., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-354 | стр.354 |
| Динамика спонтанного электрического поля в индуцированном микроволновым излучением “zero-resistance state” Дорожкин С.И., Капустин А.А., Дмитриев И.А., Umansky V. , Smet J.H. DOI 10.34077/Semicond2019-355 | стр.355 |
| Терагерцевые плазмонные фототоки в графеновых наноструктурах Попов В.В., Фатеев Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-356 | стр.356 |
| Фотонные реплики нижней ступени кондактанса квантового
точечного контакта в терагерцовом диапазоне Ткаченко О.A., Бакшеев Д.Г., Ткаченко В.А., Квон З.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-357 | стр.357 |
| Терагерцовый ближнепольный отклик слоёв графена и структур на его основе Трухин В.Н., Мустафин И.А., Лебедев С.П., Baldycheva A., Bandurin D.A. DOI 10.34077/Semicond2019-358 | стр.358 |
| Эффекты синхронизации волны зарядовой плотности СВЧ полем вблизи пайерлсовского перехода Зыбцев С.Г., Никонов С.А., Покровский В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-359 | стр.359 |
| Микроволновой фотоотклик в емкости полевых транзисторов на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs Капустин А.А., Дорожкин С.И., Umansky V., Smet J.H. DOI 10.34077/Semicond2019-360 | стр.360 |
| Исследование эффектов объемной неустойчивости в одиночных GaN ННК в сильных электрических полях Можаров А.М., Шугуров К.Ю. , Федоров В.В., Большаков А.Д., Мухин И.С. DOI 10.34077/Semicond2019-361 | стр.361 |
| Осцилляции порогового поля и ступенек Шапиро в зависимости от мощности СВЧ облучения в соединении NbS3 с волной зарядовой плотности Никонов С.А., Зыбцев С.Г., Покровский В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-362 | стр.362 |
| Неуниверсальность частотной зависимости проводимости
неупорядоченных гранулированных систем Ормонт М.А., Звягин И.П. DOI 10.34077/Semicond2019-363 | стр.363 |
| Влияние СВЧ поля на туннельный точечный контакт в двумерном электронном газе Ярошевич А.С., Квон З.Д.,Ткаченко О.A., Ткаченко В.А., Родякина E.E., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-364 | стр.364 |
| Электромагнитный дрессинг наноструктур
Кибис О.В. DOI 10.34077/Semicond2019-366 | стр.366 |
| Перенос энергии в гибридных светоизлучающих структурах между нанокристаллами перовскитов и полимерной матрицей при оптическом и электрическом возбуждении Алешин А.Н., Чикалова-Лузина О.П., Щербаков И.П., Овезов М.К. DOI 10.34077/Semicond2019-367 | стр.367 |
| Неупругое рассеяние света с переворотом спина в перовските CsPbBr3 Калитухо И.В., Сапега В.Ф., Яковлев Д.Р., Димитриев Г.С., Canneson D., Родина А.В., Ивченко Е.Л., Lhuillier E., Bayer M. DOI 10.34077/Semicond2019-368 | стр.368 |
| Квантовый точечный контакт в двухслойном графене
Крайнов И.В., Дмитриев А.П., Горный И.В. , Kraft R., Gall V., Krupke R., Danneau R. DOI 10.34077/Semicond2019-369 | стр.369 |
| Рассеяние электронов на коллективных возбуждениях конденсата в Бозе-Ферми системах Villegas K.H.A., Sun M., Ковалёв В.М, Савенко И.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-370 | стр.370 |
| Генерация второй гармоники оптического излучения из графена при комбинированном воздействии оптического и ТГц полей Бодров С.Б., Корытин А.И., Оладышкин И.В., Сергеев Ю.А., Степанов А.Н., Токман М.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-371 | стр.371 |
| Сорбционные свойства наноструктурированной углеродной
"шубы" на поверхности микрогранул окиси алюминия Вайнер Б.Г., Володин А.М. , Шепелин А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-372 | стр.372 |
| Диагностика многослойных структур на основе органических
полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. DOI 10.34077/Semicond2019-373 | стр.373 |
| Экситон-фононное взаимодействие в атомарно тонких
дихалькогенидах переходных металлов Глазов М.М., Семина М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-374 | стр.374 |
| Модификация полупроводниковых пленок углеродных нанотрубок оптико-электрическим воздействием Ефимов В.М., Закиров Е.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-375 | стр.375 |
| Характеристики углеродных нанотрубок металлического типа, выделенных из смеси УНТ с различным типом проводимости Ефимов В.М., Есаев Д. Г., Закиров Е.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-376 | стр.376 |
| Механизмы проводимости макроразмерных пленок на основе
неупорядоченных однослойных нанотрубок Могорычная А.В., Жуков С.С., Жукова Е.С., Цапенко А.П., Красников Д.В., Насибулин А.Г., Горшунов Б.П. DOI 10.34077/Semicond2019-377 | стр.377 |
| Формирование 2D структур Si на виртуальных подложках CaF2 Кацюба А.В., Камаев Г.Н., Володин В.А., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-378 | стр.378 |
| Акустоэлектронный транспорт в двумерных нецентросимметричных материалах Каламейцев А.В., Савенко И.Г., Ковалев В.М. DOI 10.34077/Semicond2019-379 | стр.379 |
| Формирование нанокомпозитов полианилин/многостенные
углеродные нанотрубки с варьируемой проводимостью для сенсорных и электрохимических приложений Лобов И.А., Давлеткильдеев Н.А., Соколов Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-380 | стр.380 |
| Морфологические исследования графеноподобного слоя Si3N3 на поверхности Si(111) Мансуров В.Г., Галицын Ю.Г., Малин Т.В., Милахин Д.С., Тийс С.А., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-381 | стр.381 |
| Свойства оксида графена, обработанного в плазме метана и азота Неустроев Е.П., Попов В.И., Тимофеев В.Б., Уйгуров Д.М. DOI 10.34077/Semicond2019-382 | стр.382 |
| Низкотемпературная люминесценци бислоёв WSe2
Николаев С.Н., Чернопицский М.А. , Савин К.А., Кривобок В.С., Онищенко Е.Е., Багаев В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-383 | стр.383 |
| Рекомбинация носителей заряда в аморфных органических
полупроводниках: можно ли преодолеть ланжевеновский предел? Новиков С.В., Тамеев А.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-384 | стр.384 |
| Рекомбинация носителей заряда в аморфных органических
полупроводниках: эффекты пространственной корреляции энергетического ландшафта Новиков С.В., Тамеев А.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-385 | стр.385 |
| Механизм транспорта заряда в аморфном нитриде бора
Новиков Ю.Н., Гриценко В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-386 | стр.386 |
| Фазовые переходы в графите и графене при холодном сжатии
Тихомирова Г.В., Петросян Т.К., Суханова Г.В., Тебеньков А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-387 | стр.387 |
| Химерные состояния в системе экситонных поляритонов
Гаврилов С.С. DOI 10.34077/Semicond2019-390 | стр.390 |
| Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы Белоновский А.В., Позина Г., Левитский Я.В., Морозов К.М., Митрофанов М.И., Гиршова Е.И., Иванов К.А., Родин С.Н., Евтихиев В.Р., Калитеевский М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-391 | стр.391 |
| Нанотрубчатые резонаторы на основе ван-дер-ваальсовых
монослоев MoS2 Казанов Д.Р., Пошакинский А.В., Шубина Т.В. DOI 10.34077/Semicond2019-392 | стр.392 |
| Флуктуации времени возникновения и динамика спонтанной
поляризации поляритонного бозе-конденсата Кочиев М. В., Белых В. В., Сибельдин Н. Н. DOI 10.34077/Semicond2019-393 | стр.393 |
| Формирование экситон-поляритонного конденсата в
полупроводниковых микрорезонаторах в отсутствие экситонного резервуара Деменев А.А., Кулаковский В.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-394 | стр.394 |
| Люминесценция из верхней поляритонной ветки в металло -
органическом микрорезонаторе в режиме сильной связи Морозов К.М., Иванов К.А., Гиршова Е.И., Селенин Н., Михрин С., Позина Г., Де Са Перейра Д., Менелаоу К., Монкман Э., Калитеевский М.А. DOI 10.34077/Semicond2019-395 | стр.395 |
| Вклад процессов взаимодействия активной среды с собственными модами фотонного кристалла в люминесцентный отклик кремниевых структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si) Степихова М.В., Яблонский А.Н., Дьяков С.А., Ермаков О.Е., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сергеев С.М., Шенгуров Д.В., Гиппиус Н.А., Богданов А.А., Новиков А.В., Красильник З.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-396 | стр.396 |
| Селективно излучающие киральные мета-мембраны
Тиходеев С.Г., Лобанов С.В., Дьяков С.А., Гиппиус Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-397 | стр.397 |
| Резонансные оптические свойства возбужденных состояний в
экситонных брэгговских структурах GaAs/AlGaAs Чалдышев В.В., Maharjan N., Nakarmi M.L. DOI 10.34077/Semicond2019-398 | стр.398 |
| Режим ультрасильной плазмон-поляритонной связи для новых
плазменных мод в копланарных микрорезонаторах Андреев И.В., Муравьев В.М., Гусихин П.А., Зарезин А.М., Губарев С.И., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-399 | стр.399 |
| Исследование резонансных отражательных свойств кремниевых нанопилларов, сформированных на подложке кремний-на-изоляторе Басалаева Л.С., Настаушев Ю.В., Дульцев Ф.Н., Крыжановская Н.В., Фетисова М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-400 | стр.400 |
| Плазмонное усиление электрического поля в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками, интегрированных с различным типом поверхностных наноструктур Блошкин А.А., Якимов А.И., Кириенко В.В., Армбристер В.А.,Уткин Д.Е., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-401 | стр.401 |
| Разработка эпитаксиальных гетероструктур с InGaAlAs
сверхрешетками на подложках InP для электрооптического модулятора Васильевский И.С., Виниченко А.Н., Сибирмовский Ю.Д., Доброхотов П.Л., Ладугин М.А., А.А. Мармалюк, Ю.Л. Рябоштан, Каргин Н.И. DOI 10.34077/Semicond2019-402 | стр.402 |
| Дополнительные резонансы гигантского усиления рамановского рассеяния света в слоистых структурах с несколькими металлическими слоями Гришина Я.В., Кукушкин В.И., Соловьев В.В., Кукушкин И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-403 | стр.403 |
| Неклассические источники света на основе селективно
позиционированных микролинзовых структур, одиночных (111) In(Ga)As и AlInAs квантовых точек Деребезов И.А., Гайслер А.В., Гайслер В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-404 | стр.404 |
| Режимы оптической связи при трансформации одиночной частицы типа «ядро в оболочке» в две разные частицы Дмитриев А.А., Рыбин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-405 | стр.405 |
| Влияние параметров InP/GaInP квантовых точек на лазерные
свойства микродисковых резонаторов Лебедев Д.В., Буряк П.А., Романова А.Ю., Смирнов В.И., Власов А.С., Кулагина М.М., Блохин С.А., Задиранов Ю.М., Трошков С.И., Pelucchi E., Gocalinska A., Juska G., Шелаев А.В., Быков А.А., Минтаиров А.М. DOI 10.34077/Semicond2019-406 | стр.406 |
| Циркулярно-поляризованное излучение полупроводникового лазера с электрической накачкой Максимов А.А., Филатов Е.В., Тартаковский И.И., Кулаковский В.Д., Тиходеев С.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-407 | стр.407 |
| Фоточуствительность Au-Ga2O3(Fe)-n-GaP наноструктур в УФ области спектра Мелебаев Д. DOI 10.34077/Semicond2019-408 | стр.408 |
| Сравнительный анализ люминесценции слоев n-Ge, выращенных на Ge(001) и Si(001) подложках Новиков А.В., Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Бушуйкин П.А., Андреев Б.А., Алешкин В.Я., Юнин П.А., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-409 | стр.409 |
| Излучающие структуры для кремниевой фотоники на основе
растянутых Ge микроструктур Алешкин В.Я., Байдакова Н.А., Вербус В.А., Машин А.И., Морозова Е.Е., Нежданов А.В., Новиков А.В., Скороходов Е.В., Шенгуров Д.В., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-410 | стр.410 |
| Упорядоченные массивы Ge(Si) квантовых точек, встроенных в двумерные фотонные кристаллы Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Степихова М.В., Армбристер В.А., Яблонский А.Н., Родякина Е.Е., Фомин Б.И., Ненашев А.В., Новиков А.В., Двуреченский А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-411 | стр.411 |
| Явления усиления излучающих свойств активной среды в фотонных кристаллах и фотонно-кристаллических резонаторах, сформированных на кремниевых структурах с наноостровками Ge(Si) Степихова М.В., Яблонский А.Н., Дьяков С.А., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сергеев С.М., Новиков А.В., Гиппиус Н.А., Красильник З.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-412 | стр.412 |
| Формирование упорядоченных дисков Ge на поверхности SiO2 Уткин Д.Е., Шкляев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-413 | стр.413 |
| Применение микродисковых лазеров в качестве
высокочувствительных активных биодетекторов Фетисова М.В., Крыжановская Н.В. , Редуто И.В., Моисеев Э.И., Корнев А.А., Букатин А.С., Филатов Н.А., Максимов М.В., Жуков А.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-414 | стр.414 |
| Топологические локализованные состояния на инверсных контактах фотонных кристаллов Широков А.Е., Горбацевич А.А., Капаев В.В. DOI 10.34077/Semicond2019-415 | стр.415 |
| Гибридные полупроводниковые лазеры ближнего ИК диапазона на кремниевых подложках Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Фефелов А.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-418 | стр.418 |
| Непрерывные и импульсные мощные полупроводниковые лазеры
ближнего ИК диапазона Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-419 | стр.419 |
| Квантово-каскадные лазеры инфракрасного и терагерцового
диапазона Соколовский Г.С. DOI 10.34077/Semicond2019-420 | стр.420 |
| Инфракрасные фотоприемные модули мегапиксельного формата на основе ГЭС КРТ МЛЭ на подложках из кремния Сидоров Ю.Г., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Марин Д.В., Васильев В.В., Якушев М.В., Макаров Ю.С., Зверев А.В., Марчишин И.В., Предеин А.В., Варавин В.С., Бударных В.И., Дворецкий С.А., Вишняков А.В., Ремесник В.Г., Горшков Д.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-421 | стр.421 |
| Рекуррентные нейронные сети на мемристорах Тарков М.С. DOI 10.34077/Semicond2019-422 | стр.422 |
| Оптические потери в лазерных волноводах различных конструкций Веселов Д.А., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Слипченко С.О., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-423 | стр.423 |
| Laser Slicing – метод отделения тонких пленок для GaN-on-GaN технологии Вороненков В.В., Шретер Ю.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-424 | стр.424 |
| Природа ловушек в флеш памяти на основе high-k диэлектриков Гриценко В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-425 | стр.425 |
| 8.3 ТГц квантово-каскадный лазер на основе квантовых ям HgCdTe для работы при комнатной температуре Дубинов А.А., Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Хабибуллин Р.А. DOI 10.34077/Semicond2019-426 | стр.426 |
| Мощный фотодиод Шоттки для оптоволоконной линии передачи
СВЧ-сигналов Журавлев К.С., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Валишева Н.А., Аксенов М.С., Гилинский A.M., Чистохин И.Б. , Чиж А.Л., Микитчук К.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-427 | стр.427 |
| Электрооптический модулятор на основе полупроводниковой
гетероструктуры с поверхностной дифракционной решеткой для управляемой угловой развертки лазерного луча Золотарев В.В., Шашкин И.С., Соболева О.С., Головин В.С., Лешко А.Ю., Капитонов В.А., Слипченко С.О., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-428 | стр.428 |
| Высокоомный GaN буфер для AlGaN/GaN-HEMT Малин Т.В., Милахин Д.С., Александров И.А., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Зайцев А.А., Протасов Д.Ю., Кожухов А.С., Бер Б.Я., Казанцев Д.Ю., Мансуров В.Г., К.С. Журавлёв DOI 10.34077/Semicond2019-429 | стр.429 |
| Рост и характеризация структур с множественными квантовыми ямами HgTe/CdHgTe для ИК фотоприемников Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Карпов В.В., Ремесник В.Г., Швец В.А., Сусов Е.В., Ужаков И.Н., Филатов А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-430 | стр.430 |
| Синтез монокристаллов VO2 на наноструктурированной поверхности Si Мутилин С.В., Принц В.Я., Яковкина Л.В., Гутаковский А.К., Селезнев В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-431 | стр.431 |
| Модификация и контроль состояния поверхности нанопроволочных биосенсоров Наумова О.В., Фомин Б.И., Дмитриенко Е.В., Пышная И.А., Пышный Д.В. DOI 10.34077/Semicond2019-432 | стр.432 |
| Оптические полупроводниковые затворы для фемтосекундных
лазеров с высокой частотой следования импульсов Рубцова Н.Н., Борисов Г.М., Гольдорт В.Г., Ковалёв А.А., Ледовских Д.В., Преображенский В.В., Путято М.А., Семягин Б.Р., Кузнецов С.А., Пивцов В.С., Семенко А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-433 | стр.433 |
| Мощные СВЧ-фотодиоды Шоттки с малым коэффициентом
амплитудно-фазового преобразования шума Чиж А.Л., Микитчук К.Б., Журавлев К.С., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Валишева Н.А., Аксенов М.С., Гилинский A.M., Чистохин И.Б. DOI 10.34077/Semicond2019-434 | стр.434 |
| О природе неоднородности барьера в Au/Ti/n-InAlAs(001)
контактах Шоттки Аксенов М.С., Чистохин И.Б., Валишева Н.А., Дмитриев Д.В., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-435 | стр.435 |
| Двойной полупроводниковый лазер, интегрированный с
электронным ключом Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Курнявко Ю.В., Лобинцов А.В., Данилов А.И., Сапожников С.М., Кричевский В.В., Коняев В.П., Симаков В.А., Слипченко С.О., Подоскин А.А., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-436 | стр.436 |
| Высокочувствительный кристалл датчика давления с
термокомпенсацией на основе биполярного транзистора с горизонтальной структурой p-n-p – типа проводимости Басов М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-437 | стр.437 |
| Адаптивный аналоговый синапс-резистор для искусственной
нейронной сети на основе перехода полупроводник-металл Бортников С.Г., Алиев В.Ш. DOI 10.34077/Semicond2019-438 | стр.438 |
| Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-439 | стр.439 |
| Управление формовкой и проводимостью TaN/ZrOx/Ni мемристоров посредством обеднения кислородом слоя оксида Воронковский В.А., Алиев В.Ш., Герасимова А.К., Бадмаева И.А. DOI 10.34077/Semicond2019-440 | стр.440 |
| Обратная конверсия типа проводимости HgCdTe после
плазмохимического травления при низких температурах Горшков Д.В., Варавин В.С., Сидоров Г.Ю., Ремесник В.Г., Сабинина И.В. DOI 10.34077/Semicond2019-441 | стр.441 |
| Гетероэпитаксиальные структуры InAlGaAs/InAlAs для
электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка Гуляев Д.В., Дмитриев Д.В., Торопов А.И., Валишева Н.А., Царев А.В., Колосовский Е.А., Федюхин Л.А., Горчаков А.В., Журавлев К.С. DOI 10.34077/Semicond2019-442 | стр.442 |
| GaNP p-i-n фотодиод на кремнии Дворецкая Л.Н., Большаков А.Д., Можаров А.М., Фёдоров В.В., Морозов И.А., Баранов А.И., Мухин И.С. DOI 10.34077/Semicond2019-443 | стр.443 |
| Разработка заказной нейроморфной сверхбольшой интегральной схемы Гришанов Н.В, Зверев А.В., Ипатов Д.Е., Макаров Ю.С., Мамычев В.И., Полстянкин А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-444 | стр.444 |
| Концептуальная конгруэнтность фотоприемников на основе
многослойных структур с квантовыми ямами и сверхрешеток Козлов А.И. DOI 10.34077/Semicond2019-445 | стр.445 |
| Особенности влияния ΔN и Δμ моделей 1/f-шумов на эквивалентную шуму разность температур инфракрасных фотоприемников Козлов А.И. DOI 10.34077/Semicond2019-446 | стр.446 |
| Фундаментальные основы создания мозаичных фотоприемников
сверхвысокой размерности с предельной эффективностью преобразования изображений Козлов А.И., Новоселов А.Р., Демьяненко М.А. , Овсюк В.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-447 | стр.447 |
| Влияние конструкции активной области на излучательные
параметры лазерных диодов спектрального диапазона 1530-1565 нм Колодезный Е.С., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Рочас С.С., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Егоров А.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-448 | стр.448 |
| Непрерывные 100-ваттные лазерные линейки (с КПД до 60%) на основе гетероструктур (In)GaAsP/GaInP/GaAs, излучающих на длине волны 760-780 нм Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Мармалюк А.А., Козырев А.А., Шестак Л.И., Микаелян Г.Т. DOI 10.34077/Semicond2019-449 | стр.449 |
| 600-ваттные лазерные линейки на основе гетероструктур с
напряженными квантовыми ямами InAlGaAs и GaAsP спектрального диапазона 800-820 нм Ладугин М.А., Багаев Т.А., Мармалюк А.А., Лобинцов А.В., Данилов А.И., Сапожников С.М., Симаков В.А. DOI 10.34077/Semicond2019-450 | стр.450 |
| Узкозонные гетероструктуры InAs1-xSbx/InAsSbP (x = 0.07-0.14) для спектрального диапазона 4-5 мкм, полученные методом МОГФЭ Романов В.В., Иванов Э.В., Моисеев К.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-451 | стр.451 |
| Нанопроволочные биосенсоры и ДЭФ Наумова О.В., Фомин Б.И., Зайцева Э.Г., Генералов В.М., Сафатов А.С., Асеев А.Л. DOI 10.34077/Semicond2019-452 | стр.452 |
| Использование Ge(Si) островков для создания солнечных элементов на основе тонкого кристаллического кремния Новиков А.В., Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Морозова Е.Е., Ota Y., Nguyen V.H., Gotoh K., Kurokawa Y., Usami N. DOI 10.34077/Semicond2019-453 | стр.453 |
| Исследование AlGaN/AlN/GaN HEMT с дорощенными омическими
контактами Павлов В.Ю., Павлов А.Ю., Слаповский Д.Н., Майтама М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-454 | стр.454 |
| Особенности спектров лазерной генерации в прямоугольных
резонаторах на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs Подоскин А.А., Романович Д.Н., Слипченко С.О., Шашкин И.С., Головин В.С., Бахвалов К.В., Николаев Д.Н., Шамахов В.В., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-455 | стр.455 |
| Вклад дефектов и примесей в характеристики мощных МОП
транзисторов в кремнии и КНИ: расчеты и эксперимент Ильницкий М.А., Антонов В.А., Вдовин В.И., Тысченко И.Е., Попов В.П., Eгоркин А.В., Зарубанов А.А., Глухов А.В. DOI 10.34077/Semicond2019-456 | стр.456 |
| Исследование фотоэмиссионных свойств мультищелочных
фотокатодов Русецкий В.С., Голяшов В.А., Миронов А.В., Аксенов В.В., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-457 | стр.457 |
| Эллипсометрический мониторинг свойств тонких
полупроводниковых пленок Свиташева С.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-458 | стр.458 |
| Эллипсометрический контроль эффекта Бурштейна – Мосса в
сильнолегированных полупроводниках Свиташева С.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-459 | стр.459 |
| Упорядоченные массивы высокоаспектных Si наностолбиков,
сформированные методами наноадгезивной печати и металл-стимулированного каталитического травления Селезнев В.А., Принц В.Я. DOI 10.34077/Semicond2019-460 | стр.460 |
| Генерация мощных лазерных импульсов полупроводниковыми
гетероструктурами с использованием интегральных и гибридных подходов Слипченко С.О., Подоскин А.А., Соболева О.С., , Васильева В.В., Николаев Д.Н., Багаев Т.А., Ладугин М.А., Мармалюк А.А., Симаков В.А., Пихтин Н.А. DOI 10.34077/Semicond2019-461 | стр.461 |
| Радиационная стойкость 4H-SiC JBS-структур при облучении
электронами и протонами Стрельчук А.М., Козловский В.В., Лебедев А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-462 | стр.462 |
| Темновые токи в фотоприемных структурах на основе соединений InSb, InAlSb выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Суханов М.А., Бакаров А.К., Журавлёв К.С., Протасов Д.Ю. DOI 10.34077/Semicond2019-463 | стр.463 |
| Влияние легирования волноводных слоев на излучательные
характеристики полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/GaAs Телегин К.Ю., Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Волков Н.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Лобинцов А.В., Сапожников С.М. DOI 10.34077/Semicond2019-464 | стр.464 |
| Влияние физических свойств p-n перехода на СВЧ характеристики электрооптического модулятора на кремнии Царев А.В., Тазиев Р.М. DOI 10.34077/Semicond2019-465 | стр.465 |
| Процесс изготовления и анализ транспортных свойств 3-
терминальных устройств на основе кремниевой нанопроволоки Лукьяненко А.В., Тарасов А.С., Шанидзе Л.В., Волочаев М.Н., Зеленов Ф.В., Яковлев И.А., Волков Н.В. DOI 10.34077/Semicond2019-466 | стр.466 |
| Оптическое натяжение и скомкивание двумерных полупроводников Пошакинский А.В., Авдеев И.Д., Поддубный А.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-468 | стр.468 |
| Одиночные углеродные наноосцилляторы и резонансные детекторы масс на их основе Мухин И.С., Лукашенко С.Ю., Комиссаренко Ф.Э., Голубок А.О. DOI 10.34077/Semicond2019-469 | стр.469 |
| Частотные и температурные зависимости аномалии, наблюдающейся при одноосном удлинении вискеров квазиодномерного проводника TaS3 Никитин М.В., Покровский В.Я., Зыбцев С.Г., Фролов А.В., Орлов А.П. DOI 10.34077/Semicond2019-470 | стр.470 |
| Пьезоэлектрическое возбуждение колебаний наномеханических резонаторов с двумерным электронным газом Шевырин А.А., Погосов А.Г., Бакаров А.К., Шкляев А.А., Куросу М. , Ямагучи Х. DOI 10.34077/Semicond2019-471 | стр.471 |
| Фотопроводимость и эффекты нарушения симметрии,
индуцированные терагерцовым излучением и магнитным полем, в структурах на основе Hg1-xCdxTe Галеева А.В., Казаков А.С., Артамкин А.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Банников М.И., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-474 | стр.474 |
| Радиочастотная фотопроводимость в гетероструктурах
на основе Hg1-xCdxTe Казаков А.С., Галеева А.В., Долженко Д.Е., Рябова Л.И., Банников М.А., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-475 | стр.475 |
| Фототоки в полуметаллах Вейля Голуб Л.Е., Ивченко Е.Л., Леппенен Н.В. DOI 10.34077/Semicond2019-476 | стр.476 |
| Транспорт через сетку топологических каналов в HgTe квантовых ямах критической толщины Квон З.Д., Гусев Г.М. , Энтин М.В., Михайлов Н.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-477 | стр.477 |
| Квантовый эффект Холла в трехмерном топологическом изоляторе на основе HgTe Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ziegler J. , Weiss D. DOI 10.34077/Semicond2019-478 | стр.478 |
| Демонстрация топологической защиты как фазово-когерентного явления Петруша С.В., Тихонов Е.С., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Храпай В.С. DOI 10.34077/Semicond2019-479 | стр.479 |
| Взаимодействие электронов в краевых состояниях с немагнитными дефектами в 2D топологических изоляторах Сабликов В.А., Суханов А.А. DOI 10.34077/Semicond2019-480 | стр.480 |
| Энергетическая структура поверхностных состояний
топологического изолятора Bi2Se3 вблизи ступеней поверхности Федотов Н.И., Зайцев-Зотов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-481 | стр.481 |
| Магнитоиндуцированные фотогальванические эффекты
в напряженных пленках HgTe Будкин Г.В., Candussio S., Otteneder M., Козлов Д.А., Дмитриев И.А., Бельков В.В., Тарасенко С.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Ганичев С.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-482 | стр.482 |
| Наблюдение сверхпроводимости в дираковском полуметалле Cd3As2 Аронзон Б.А., Давыдов А.Б., Овешников Л.Н., Моргун Л.А. , Кугель К.И., Захвалинский В.С., Пилюк E.A., Кочура А.В., Пудалов В.M. DOI 10.34077/Semicond2019-483 | стр.483 |
| Фотогальванический эффект в киральных краевых каналах
Дурнев М.В., Тарасенко С.А., Планк Х., Кандуссио С., Пернул Дж., Дантчер К.-М., Мёнш Э., Санднер А., Эромс Дж., Вайс Д., Бельков В.В., Ганичев С.Д. DOI 10.34077/Semicond2019-484 | стр.484 |
| Зеемановское и спин-орбитальное расщепления в квантовых ямах HgTe. Роль асимметрии интерфейсов Миньков Г.М., Рут О.Э., Шерстобитов А.А., Алёшкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-485 | стр.485 |
| Электропроводность новых антиферромагнитных топологических изоляторов MnBi6Te10 и MnBi8Te13 Абдуллаев Н.А., Алиев З.С., Амирасланов И.Р., Алигулиева Х.В., Шикин А.М., Зверев В.Н., Мамедов Н.Т., Чулков Е.В. DOI 10.34077/Semicond2019-486 | стр.486 |
| Перенос заряда в новых антиферромагнитных топологических
изоляторах MnBi4Te7 Абдуллаев Н.А., Алиев З.С., Амирасланов И.Р., Алигулиева Х.В., Шикин А.М., Зверев В.Н., Мамедов Н.Т., Чулков Е.В. DOI 10.34077/Semicond2019-487 | стр.487 |
| Квантовые поправки в 3D дираковском полуметалле Cd3-xMnxAs2 Мехия А.Б., Казаков А.А., Аронзон Б.А., Овешников Л.Н., Давыдов А.Б., Риль А.И., Маренкин С.Ф. DOI 10.34077/Semicond2019-488 | стр.488 |
| Подавление Оже-рекомбинации в полуметаллах Вейля
Афанасьев А.Н., Грешнов А.А., Свинцов Д.А. DOI 10.34077/Semicond2019-489 | стр.489 |
| Теория емкости двумерного неупорядоченного топологического изолятора Брагинский Л.С., Энтин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-490 | стр.490 |
| Квантовый эффект Холла в объемном HgTe Васильев Н.Н., Савченко М.Л., Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-491 | стр.491 |
| Зонный спектр квантовых ям HgCdTe: эффекты «понижения» симметрии Гавриленко В.И., Бовкун Л.С., Иконников А.В., Алешкин В.Я., Спирин К.Е., Маремьянин К.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Potemski M., Piot B., M. Orlita DOI 10.34077/Semicond2019-492 | стр.492 |
| Упругие и оптические свойства топологических изоляторов
Bi1-xSbxTe1-ySey: Роль объемных дефектов Жевстовских И.В., Аверкиев Н.С., Гудков В.В. , Сарычев М.Н., Поносов Ю.С., Кузнецова Т.В., Кох К.А., Терещенко О.Е. DOI 10.34077/Semicond2019-493 | стр.493 |
| Химическая и структурная трансформация топологического
изолятора BiSbTeSe2 при осаждении Со Кавеев А.К., Сутурин С.М., Голяшов В.А., Терещенко О.Е., Кох К.А. DOI 10.34077/Semicond2019-494 | стр.494 |
| Фотоиндуцированный нелокальный отклик в эпитаксиальных
пленках Hg1-xCdxTe с инверсным энергетическим спектром Казаков А.С., Галеева А.В., Артамкин А.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Банников М.И., Данилов С.Н., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. DOI 10.34077/Semicond2019-495 | стр.495 |
| Квантовые топологические эффекты в селениде ртути с низкой концентрацией электронов Лончаков А.Т., Бобин С.Б., Неверов В.Н. DOI 10.34077/Semicond2019-496 | стр.496 |
| Магнетосопротивление поликристаллического антиферромагнитного топологического изолятора MnBi2Te4 Майзлах А.А., Кон И.А., Щукин К.П., Лузанов В.А., Зайцев-Зотов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-497 | стр.497 |
| 2D транспорт в топологическом изоляторе критической толщины Махмудиан М.М., Энтин М.В. DOI 10.34077/Semicond2019-498 | стр.498 |
| Пересечение уровней и нулевой уровень Ландау в двойной квантовой яме HgTe Ольшанецкий Е.Б., Гусев Г.М., Левин А.Д., Райчев О.Е., Михайлов Н.Н., Дворецкий А.С. DOI 10.34077/Semicond2019-499 | стр.499 |
| Диффузия атомов 1, 2 и 13-й групп на поверхности топологических изоляторов Рябищенкова А.Г. DOI 10.34077/Semicond2019-500 | стр.500 |
| Слабая антилокализации в трехмерных топологических изоляторах на основе пленок HgTe различной толщины Савченко М.Л., Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Петруша С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-501 | стр.501 |
| Трехмерный топологический изолятор на основе частично
релаксированной пленки HgTe Савченко М.Л., Васильев Н.Н., Козлов Д.А., Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. DOI 10.34077/Semicond2019-502 | стр.502 |
| Электронные свойства дираковского полуметалла InBi
Федотов Н.И., Майзлах А.А., Гусев А.С., Кон И.А., Павловский В.В., Щукин К.П., Зайцев-Зотов С.В. DOI 10.34077/Semicond2019-503 | стр.503 |