ФОТОНИКА 2019: тезисы докладов. – Новосибирск: ООО «Офсет-ТМ», 2019. – 195 с.

ISBN 978-5-85957-153-6

В сборник вошли тезисы докладов, представленных на Российской конференции и школе молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019», проходившей 27-31 мая 2019 года в г. Новосибирске.

Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов физики квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, формирования наноструктур на основе широкого спектра полупроводниковых материалов и нанокристаллов, преобразования и взаимодействия оптического излучения. Материалы отражают новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией сверхслабых оптических сигналов в ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом и видимом диапазонах спектра. Сборник может быть полезен специалистам в области фотоэлектроники, а также будет интересен преподавателям ВУЗов, аспирантам и студентам.

УДК 621.383(043)
ББК 32.854я431+22.343я431
© Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, 2019

Содержание
стр. 6
Фотоника среднего УФ-диапазона на основе AlGaN наногетероструктур
С.В. Иванов, В.Н. Жмерик
DOI 10.34077/RCSP2019-16
стр.16
Новые материалы для фотоэлектроники на основе двумерных наноструктур
В.П. Пономаренко, В.С. Попов, Е.Л.Чепурнов
DOI 10.34077/RCSP2019-17
стр.17
Приповерхностные субмикроструктуры для эффективного детектирования и генерации гармоник излучения среднего ИК-диапазона
В.П. Назьмов, Б.Г. Гольденберг, В.Е. Асадчиков, С.А. Бедин, А.Б. Васильев, А.В. Андреев, В.М. Гордиенко, А.А. Коновко, Ф.В. Потемкин
DOI 10.34077/RCSP2019-18
стр.18
Матричные ИК фотоприемники на основе гетероструктур узкозонных полупроводников
М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, А.В. Латышев
DOI 10.34077/RCSP2019-19
стр.19
Моделирование роста нанопроволок AIIIBV методом импульсной эпитаксии
А.Г. Настовьяк, Н.Л. Шварц
DOI 10.34077/RCSP2019-20
стр.20
Спектры возбуждения фотолюминесценции многослойных структур с квантовыми ямами на основе гетеропары AlGaAs/GaAs для фотоприемных устройств
Д.А. Пашкеев, А.Д. Шабрин, В.С. Кривобок, И.Д. Бурлаков
DOI 10.34077/RCSP2019-21
стр.21
Влияние скорости роста на состав слоев в подрешетке пятой группы при МЛЭ твердых растворов InAsSb
Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, А.В. Васев, Б.Р. Семягин, М.А. Путято, И.Д. Лошкарев, В.В. Преображенский
DOI 10.34077/RCSP2019-22
стр.22
Создание фотослоя на основе селена с помощью импульсного отжига
А.Н. Папантонопуло, Ф.В. Тихоненко
DOI 10.34077/RCSP2019-23
стр.23
Коллоидные атомно-тонкие квантовые ямы на основе соединений А2В6
Р.Б. Васильев
DOI 10.34077/RCSP2019-24
стр.24
Основные тенденции развития оптоэлектронной техники до 2030 года
А.С. Башкатов, Д.Н. Мещерова
DOI 10.34077/RCSP2019-25
стр.25
Эллипсометрический метод бесконтактного in situ контроля температуры в процессах МЛЭ КРТ
Д.В. Марин, И.А.Азаров, В.А.Швец, С.В. Рыхлицкий, М.В. Якушев, Е.В. Спесивцев
DOI 10.34077/RCSP2019-26
стр.26
Управление генерацией и релаксацией упругих напряжений в AlN/c-Al2O3 темплейтах, выращиваемых методом плазменно-активированной МПЭ
О.А. Кошелев, Д.В. Нечаев, В.В. Ратников, С.В. Иванов, В.Н. Жмерик
DOI 10.34077/RCSP2019-27
стр.27
Упорядоченный массив вертикальных нанопроволок VO2 на наноструктурированной поверхности Si
С.В. Мутилин, В.Я. Принц, Л.В. Яковкина, В.А. Селезнев, А.К. Гутаковский
DOI 10.34077/RCSP2019-28
стр.28
Структурные и оптические свойства тонких пленок PbS:Fe
Е.В. Мостовщикова, В.И. Воронин, Л.Н. Маскаева, А.Д. Кутявина, Н.А. Чуфарова
DOI 10.34077/RCSP2019-29
стр.29
Покрытия из массивов субмикронных частиц Ge и их антиотражающие свойства
А.А. Шкляев, А.В. Царёв, Е.А. Колосовский, К.В. Аникин, А.Г. Милёхин
DOI 10.34077/RCSP2019-30
стр.30
Оптические свойства поверхности кремния после плазменных обработок
Л.Н. Сафронов, В.А.Антонов, Э.Д. Жанаев, В.П. Попов, Е.В. Спесивцев
DOI 10.34077/RCSP2019-31
стр.31
Оптическое детектирование спиновой поляризации свободных электронов в полупроводниковых гетероструктурах с пространственным разрешением
О.Е. Терещенко, В.А. Голяшов, В.С. Русецкий, Н.С. Назаров, А.В. Миронов, В.В. Аксенов
DOI 10.34077/RCSP2019-32
стр.32
Магнитоэлектрическая микрокриогенная система с комбинированным регенератором, работающая по обратному циклу Стирлинга для криостатирования фотоприёмных устройств
А.В. Самвелов, С.Г. Ясев, А.С. Москаленко, К.С. Павлов
DOI 10.34077/RCSP2019-33
стр.33
Локализованные состояния и фоточувствительность пленок PbSnTe:In в ИК и ТГц областях спектра
А.Э. Климов, А.Н. Акимов, В.А. Голяшов, Д.В. Ищенко, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, О.Е. Терещенко, В.Н. Шерстякова, В.С. Эпов
DOI 10.34077/RCSP2019-34
стр.34
Распределение примесей в мультикристаллическом кремнии, выращенном из UMG-кремния методом Бриджмена
С.М. Пещерова, Р.В. Пресняков, А.И. Непомнящих, Н.В. Клушина
DOI 10.34077/RCSP2019-35
стр.35
Самопроизвольные перестройки атомной структуры полупроводниковых интерфейсов с Сs – покрытиями
В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов
DOI 10.34077/RCSP2019-36
стр.36
Эмиссия и инжекция электронов низких энергий в вакуумных диодах с электродами на основе полупроводниковых гетероструктур с эффективным отрицательным электронным сродством
В.А. Голяшов, Н.А. Назаров, В.С. Русецкий, А.В. Миронов, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко
DOI 10.34077/RCSP2019-37
стр.37
Микро- и наноструктурирование оптических материалов с помощью фемтосекундного ИК излучения
С.А. Бабин, А.В. Достовалов, А.А. Вольф
DOI 10.34077/RCSP2019-38
стр.38
Локальный спектральный анализ полупроводниковых нанокристаллов
А.Г.Милёхин, M.Rahaman, Т.А.Дуда, И.А.Милёхин , К.В.Аникин, Е.Е.Родякина, Р.Б. Васильев, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn , А.В. Латышев
DOI 10.34077/RCSP2019-39
стр.39
Стрейн-магнитооптика – новый физический механизм модуляции ИК‑излучения в ферромагнитных шпинелях
А.В. Телегин, Ю.П. Сухоруков, В.Д. Бессонов, А.П. Носов, С.В. Наумов
DOI 10.34077/RCSP2019-40
стр.40
Механизмы образования специальных границ наклона и кручения
С.М. Пещерова, А.И. Непомнящих, А.Г. Чуешова
DOI 10.34077/RCSP2019-41
стр.41
Оптические плазмонные резонансы в массивах нанокластеров Au
К.В. Аникин, А.Г. Милёхин, Е.Е. Родякина, С.Л. Вебер, А.В. Латышев , D.R.T. Zahn
DOI 10.34077/RCSP2019-42
стр.42
Электрооптическая амплитудная модуляция излучения на базе резонаторов Фабри-Перо
В.Б. Залесский, А.И. Конойко, В.М. Кравченко, А.С. Мицкевич
DOI 10.34077/RCSP2019-43
стр.43
Генерация второй гармоники в пленках донорно-акцепторный хромофор-полимер при повышении температуры в процессе полинга
В.В. Шелковников, Н.В. Васильева, Е.В. Васильев, И.Ю. Каргаполова, С.В. Коротаев, Н.А. Орлова
DOI 10.34077/RCSP2019-44
стр.44
Нелинейная ТГц фотоника жидкостей
А.П. Шкуринов, А.В. Балакин, И.В. Котельников, В.А. Макаров, П.М. Солянкин
DOI 10.34077/RCSP2019-45
стр.45
Конкуренция излучательной и оже-рекомбинации в узкозонных волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe излучающих в среднем и дальнем ИК диапазонах
С.В. Морозов, В.В. Румянцев, В.В. Уточкин, Н.С. Куликов, М.С. Жолудев, М.А. Фадеев, В.Я. Алёшкин, Н.Н. Михайлов, В.И. Гавриленко
DOI 10.34077/RCSP2019-46
стр.46
Гипердопированный кремний для фотоэлектроники
Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов
DOI 10.34077/RCSP2019-47
стр.47
Обратная конверсия типа проводимости ГЭС КРТ МЛЭ после плазмохимического травления при пониженной температуре
Д.В. Горшков, В.С.Варавин, Г.Ю. Сидоров, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина
DOI 10.34077/RCSP2019-48
стр.48
Коэффициенты умножения фотоносителей в лавинных гетерофотодидах с разделенными областями поглощения и умножения
В.А.Холоднов, И.Д. Бурлаков, А.К.Ильясов
DOI 10.34077/RCSP2019-49
стр.49
Экспериментальное определение уровней размерного квантования в структурах на основе квантовых ям твердых растворов CdxHg1-xTe
В.Г. Ремесник, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, И.Н. Ужаков
DOI 10.34077/RCSP2019-50
стр.50
Спектральные и фотоэлектрические характеристики гидрохимически осажденных пленок твердых растворов замещения CdxPb1−xS
В.Ф. Марков, Л.Н. Маскаева, А.Д. Кутявина, И.В. Ваганова, И.Н. Мирошникова, Б.Н. Мирошников
DOI 10.34077/RCSP2019-51
стр.51
Фотоприемные модули на основе ГЭС КРТ МЛЭ для спектральных диапазонов 1-3, 3-5, 8-10 мкм форматом до 2000×2000 элементов
Ю.Г. Сидоров, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Д.В. Марин, В.В. Васильев, М.В. Якушев, Ю.С. Макаров, А.В. Зверев, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.В. Вишняков, В.Г. Ремесник, Д.В. Горшков, А.В.Латышев
DOI 10.34077/RCSP2019-52
стр.52
Разработка высокоэффективных, сверхлегких солнечных панелей на основе ультратонких солнечных элементов на гетероструктурах AIIIBV / Ge
Н.А. Паханов
DOI 10.34077/RCSP2019-53
стр.53
Микроболометрические приемники импульсного терагерцового и субмиллиметрового излучения
М.А. Демьяненко
DOI 10.34077/RCSP2019-54
стр.54
Структура методик измерения параметров ФПУ второго поколения
А.В. Полесский
DOI 10.34077/RCSP2019-55
стр.55
Фоторезисторы из CdxHg1-xTe с радиальным смещением и эффектом эксклюзии носителей заряда
Е.В. Сусов, А.В. Гусаров, А.В. Филатов, В.В. Карпов, П.Д. Гиндин
DOI 10.34077/RCSP2019-56
стр.56
Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа
А.Г. Коротаев, И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев, О.Ю. Бончик, Г.В. Савицкий, Y. Morgiel, Z. Świątek
DOI 10.34077/RCSP2019-57
стр.57
Фотоэлектрические характеристики фотодиодных ИК ФПУ с учетом пространственного распределения локальной квантовой эффективности
И.И. Ли, В.Г. Половинкин
DOI 10.34077/RCSP2019-58
стр.58
Требования, предъявляемые к современным матричным фотоприёмникам наземных оптико-электронных систем
В.Д. Шаргородский, А.Б. Александров, А.А. Бабаев
DOI 10.34077/RCSP2019-59
стр.59
Поверхностные плазмонные волны в гибридных фотодетекторах Ge/Si с металлическими субволновыми решетками
А.И. Якимов
DOI 10.34077/RCSP2019-60
стр.60
Инфракрасная радиометрия на основе многорядных инфракрасных фотоприемных устройств
К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, С.В. Головин, А.В. Никонов, Н.И. Яковлева
DOI 10.34077/RCSP2019-61
стр.61
Формирование фотодиодов на основе p-n переходов в слоях ГЭС КРТ МЛЭ для спектрального диапазона 8-11 мкм.
М.В. Якушев, В.С. Варавин, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, Д.В. Марин, А.В. Предеин, С.А. Дворецкий, В.В. Васильев, Ю.Г. Сидоров, А.В. Латышев
стр.62
Методы повышения чувствительности многорядных фотоприемных устройств для регистрации малоразмерных объектов
К.В. Козлов, В.А. Стрельцов, Б.Н. Дражников, Я.С. Бычковский
DOI 10.34077/RCSP2019-63
стр.63
Влияние поверхности на фотопроводимость плёнок Pb1-xSnxTe:In с составом 0,28 ≤ х ≤ 0,32
А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, А. С. Тарасов, О.Е. Терещенко, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова
DOI 10.34077/RCSP2019-64
стр.64
Текущее состояние и актуальные направления развития космической фотоэнергетики
С.Г. Кочура, С.И. Опенько, М.В. Нестеришин, П.А. Крючков, Е.О. Воронцова
DOI 10.34077/RCSP2019-65
стр.65
Быстродействующие температурно-стабильные микролазеры
А.Е. Жуков, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев , А.М. Можаров, Ф.И. Зубов, Н.А. Калюжный, С.А. Минтаиров, М.М. Кулагина, С.А. Блохин, М.В. Максимов
DOI 10.34077/RCSP2019-66
стр.66
Металлорганические перовскиты для фотоники
О.И. Семенова
DOI 10.34077/RCSP2019-67
стр.67
Рентгеновские исследования образцов микрокристаллического кремния для панелей солнечных элементов
М.Д. Шарков, М.Е. Бойко, А.В. Бобыль, А.М. Бойко, С.Г. Конников
DOI 10.34077/RCSP2019-68
стр.68
Перспективы пористого кремния как материала для оптоэлектронных приложений
И. М. Жильцов, Н.В. Латухина, Д.А. Лизункова, Г.А. Рогожина, М. В. Степихова
DOI 10.34077/RCSP2019-69
стр.69
Светоизлучающие структуры для кремниевой оптоэлектроники на основе локально растянутых Ge микроструктур
А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, А.Н. Яблонский, Н.А. Байдакова, Е.Е. Морозова, В.А. Вербус, Н.С. Гусев, Д.В. Шенгуров, А.В. Нежданов, А.И. Машин
DOI 10.34077/RCSP2019-70
стр.70
Неклассические излучатели света на основе селективно-позиционированных гибридных микрорезонаторов и (111)In(Ga)As квантовых точек
И.А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. Von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein
DOI 10.34077/RCSP2019-71
стр.71
Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры диапазона 1550 нм
А.Ю. Егоров
DOI 10.34077/RCSP2019-72
стр.72
Излучатели терагерцового диапазона на основе полупроводниковых наноструктур
В.И. Гавриленко
DOI 10.34077/RCSP2019-73
стр.73
Ge/Si структуры с упорядоченными квантовыми точками, встроенными в микрорезонаторы
Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, В.А. Армбристер, Е.Е. Родякина, Б.И. Фомин, М.В. Степихова, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков, А.В. Двуреченский
DOI 10.34077/RCSP2019-74
стр.74
Фотолюминесценция SiSnGe гетероструктур
В.А. Володин, В.А. Тимофеев, М.П. Синюков, А.И. Никифоров
DOI 10.34077/RCSP2019-75
стр.75
Явления усиления сигнала фотолюминесценции наноостровков Ge(Si) в фотонных кристаллах
М.В. Степихова, А.Н. Яблонский, С.А. Дьяков, Е.В. Скороходов, С.М. Сергеев, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, А.В. Новиков, З.Ф. Красильник
DOI 10.34077/RCSP2019-76
стр.76
Генерация терагерцового излучения в нелинейнооптических кристаллах BBO, LBO и KTP под действием интенсивного лазерного излучения
Н.А. Николаев, А.А. Мамрашев, Ю.М. Андреев, Г.В. Ланский
DOI 10.34077/RCSP2019-77
стр.77
Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры для компактных атомных сенсоров
В.М. Устинов, Н.А. Малеев, С.А. Блохин
DOI 10.34077/RCSP2019-78
стр.78
РТ-симметрия терагерцовой фотопроводимости в структурах на основе Hg1-xCdxTe с инверсным спектром
А.В. Галеева, А.С. Казаков , А.И. Артамкин, Л.И. Рябова, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, М.И. Банников, С.Н. Данилов, С.Д. Ганичев, Д.Р. Хохлов
DOI 10.34077/RCSP2019-79
стр.79
Широкополосные быстродействующие полупроводниковые зеркала для пассивной синхронизации мод лазеров ближнего ИК диапазона
Н.Н. Рубцова, Г.М. Борисов, В.Г. Гольдорт, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин
DOI 10.34077/RCSP2019-80
стр.80
Светоизлучающие InAs/GaP гетероструктуры, выращенные на Si подложках
Д.С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, Д.Б. Богомолов, Т.С. Шамирзаев
DOI 10.34077/RCSP2019-81
стр.81
Неравновесные спиновые состояния и генерация терагерцового излучения в магнитных гетероструктурах
Е.А. Вилков, М.В. Логунов, С.А. Никитов, С.С. Сафонов, С.Г. Чигарев
DOI 10.34077/RCSP2019-82
стр.82
Приборы радиофотоники на основе фосфида индия
К.С. Журавлев, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, М.С. Аксенов, Н.А. Валишева, A.M Гилинский, И.Б. Чистохин, А.Л. Чиж, С.А. Малышев, К.Б. Микитчук
DOI 10.34077/RCSP2019-83
стр.83
Функциональные оптические элементы и устройства терагерцовой фотоники на основе метаповерхностей
С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, В.Н. Федоринин, А.В. Аржанников, Н.А. Николаев
DOI 10.34077/RCSP2019-84
стр.84
Перспективные конструкции электро-оптических модуляторов на кремнии
О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Д.В. Щеглов
DOI 10.34077/RCSP2019-85
стр.85
Свойства электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка в двуслойном гребенчатом волноводе InAlGaAs на подложке InP
А. В. Царев, Р. М. Тазиев
DOI 10.34077/RCSP2019-86
стр.86
Прикладные вопросы проектирования и изготовления фотонных компонентов для приборов и систем
В.К. Струк
DOI 10.34077/RCSP2019-87
стр.87
Коллоидные квантовые ямы теллурида кадмия: синтез и влияние обмена лигандов на оптические свойства
Л.Д. Козина, А.В.Гаршев, Р.Б.Васильев
DOI 10.34077/RCSP2019-88
стр.88
Создание и применение нетрадиционных оптических материалов с повышенной радиационной устойчивостью
М.В. Агринский, В.М. Волынкин, В.В. Старцев
DOI 10.34077/RCSP2019-89
стр.89
Комплексная мульти- и гиперспектральная обработка изображений видимого и ИК диапазонов в задачах обнаружения и классификации объектов на неоднородном фоне
О.И. Потатуркин, С.М. Борзов
DOI 10.34077/RCSP2019-90
стр.90
Цифровые методы повышения качества изображения в тепловизионных приборах
А.В. Голицын, И.И. Кремис, А.О. Лебедев, Б.Н. Новгородов, А.Г. Паулиш, В.Н Федоринин, П.И. Шапор, К.П. Шатунов
DOI 10.34077/RCSP2019-91
стр.91
Микросканер на базе синхронного двигателя с внешним ротором для тепловизоров третьего поколения
Р.А. Гладков, И.И. Кремис
DOI 10.34077/RCSP2019-92
стр.92
Интегральные микросхемы считывания для ИК фотоприемников на основе твердых растворов теллуридов кадмия-ртути
В.М. Базовкин, С.А. Дворецкий, А.В. Зверев, А.П. Ковчавцев, Ю.С. Макаров, Г.Ю. Сидоров, А.В. Глухов, И.А. Смирнов, Д.В. Фромичев
DOI 10.34077/RCSP2019-93
стр.93
Тепловизионная автоматизированная система для экспериментальных исследований сорбционных и каталитических свойств поверхности твердых тел
Б.Г. Вайнер, А.Е. Настовьяк, А.В. Шепелин, Э.А. Эминов
DOI 10.34077/RCSP2019-94
стр.94
Структуры с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe для ИК фотоприемников: рост и характеризация
Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, В.В. Карпов, В. Г. Ремесник, В.А. Швец, Е.В. Сусов, И.Н. Ужаков, А.В. Филатов
DOI 10.34077/RCSP2019-95
стр.95
Наноструктурированные магнитные полупроводники для ИК-оптоэлектроники
А.В. Телегин, Б.А. Гижевский, Е.В. Мостовщикова, Ю.П. Сухоруков
DOI 10.34077/RCSP2019-96
стр.96
Стабилизация характеристик термооптического преобразователя на базе матрицы микрорезонаторов Фабри-Перо
В.Б. Залесский, А.И. Конойко, В.М. Кравченко, К.А.Рещиков
DOI 10.34077/RCSP2019-97
стр.97
Псевдобинокулярные очки ночного видения с зеркально-линзовым и линзовым объективами
В.Г. Волков, П.Д. Гиндин, В.В. Карпов
DOI 10.34077/RCSP2019-98
стр.98
К вопросу создания эффективных тепловых узлов установок выращивания монокристаллов германия
К.Е. Аношин, А.В. Наумов, В.В. Старцев
DOI 10.34077/RCSP2019-99
стр.99
Характеристики отражения света от микромассивов кремниевых нанопилларов, сформированных на подложках КНИ
Л.С.Басалаева, Ю.В.Настаушев, Ф.Н.Дульцев, Н.В.Крыжановская, М.В.Фетисова, С.А.Щербак
DOI 10.34077/RCSP2019-100
стр.100
Контроль распределения концентрации носителей заряда в гетероструктурах AlGaAs/GaAs
В.Е. Гончаров, А.В. Никонов, А.К. Ильясов
DOI 10.34077/RCSP2019-101
стр.101
Влияние условий отжига подложки (001)InP в потоке As на качество эпитаксиальных слоёв InAlAs
Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, А.М. Гилинский, Д.А. Колосовский, Т.А. Гаврилова, А.С. Кожухов, К.С. Журавлёв
DOI 10.34077/RCSP2019-102
стр.102
In-situ контроль температуры поверхности ГЭС КРТ в процессе роста методом низкотемпературной поляризационной пирометрии
С.А. Дулин, С.В. Рыхлицкий, Е.К. Иванов, Н.И. Назаров, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев
DOI 10.34077/RCSP2019-103
стр.103
Анализ рентгеновских спектров дифракционного отражения для контроля параметров фотоприемных структур с множественными квантовыми ямами
Д.В. Ильинов, А.Д. Шабрин, Д.А. Пашкеев
DOI 10.34077/RCSP2019-104
стр.104
Моделирование кремниевого электрооптического модулятора с адиабатическим рупором для решеточного элемента связи с оптическим волокном
А. В. Царев, Р. М. Тазиев
DOI 10.34077/RCSP2019-105
стр.105
Синтез InAlAs/InP гетероструктур для приборов радиофотоники
Д.А. Колосовский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, А.М. Гилинский, Т.А. Гаврилова, А.С. Кожухов, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2019-106
стр.106
Оптимизация режимов эпитаксиального синтеза структур с квантовыми точками для фотоприемников и солнечных элементов
А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, Р.М.Х. Духан, В.В. Дирко, А.В. Войцеховский
DOI 10.34077/RCSP2019-107
стр.107
Оптические свойства тонких слоев HfxTi1-xO2 (1≤x≤1), полученных методом молекулярного наслаивания
В.Н. Кручинин, М.С. Лебедев, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий
DOI 10.34077/RCSP2019-108
стр.108
Рост ультратонкой популяции коллоидных нанолистов CdSe с УФ люминесценцией
Д.А. Куртина, А. В. Гаршев, Р. Б. Васильев
DOI 10.34077/RCSP2019-109
стр.109
Эллипсометрический метод in situ расчёта профиля состава квантовых структур, выращиваемых на основе соединения Hg1-xCdxTe
В.А. Швец, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Д.Г Икусов, И.Н. Ужаков
DOI 10.34077/RCSP2019-110
стр.110
Влияние морфологии супраструктуры поликристаллических пленок халькогенидов свинца на спектральную плотность мощности шума
И.Н. Мирошникова, Б.Н. Мирошников, М. Ю. Пресняков, В.П. Астахов
DOI 10.34077/RCSP2019-111
стр.111
Разупорядочение кристаллической решетки и точечные дефекты в слоях HgCdTe, выращенных методом МЛЭ на подложках Si и GaAs
К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, Д.А. Андрющенко, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Д.В. Марин, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев
DOI 10.34077/RCSP2019-112
стр.112
МЛЭ буферных слоев GaP на Si для формирования квантово-размерных гетероструктур
М.О. Петрушков, М.А. Путято, Б.Р. Семягин, Е.А. Емельянов, Д.С. Абрамкин, А.В. Васев, Д.Б. Богомолов, В.В. Преображенский
DOI 10.34077/RCSP2019-113
стр.113
Контейнеры для выращивания кристаллов германия
Е.Ю. Подшибякина, Т.В. Кулаковская, А.Ф. Шиманский
DOI 10.34077/RCSP2019-114
стр.114
Гетероструктура карбид кремния на кремнии для солнечных элементов
В.В. Танеев, А.В. Щербак
DOI 10.34077/RCSP2019-115
стр.115
Использование Sn в качестве катализатора роста бездислокационных наноструктур SiSn
В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, Т.А. Гаврилова, Д.В. Гуляев, И.А. Четырин, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский
DOI 10.34077/RCSP2019-116
стр.116
Пьезо-фототронный эффект в вюрцитной фазе нановискеров из GaAs
П.В. Гейдт, П.А. Алексеев, В.А. Шаров, И.П. Сошников, В.В. Лысак, Г.Э. Цырлин, E. Lähderanta
DOI 10.34077/RCSP2019-117
стр.117
Стенд для исследования параметров фотоприемника ФУР 160 при воздействии лазерного излучения
В.В. Карпов, М.Е. Козырев, Н.С. Кузнецов, А.В. Марущенко, В.И. Петренко, Е.В. Сусов, А.В. Филатов
DOI 10.34077/RCSP2019-118
стр.118
Экспрессная характеризация кристаллического совершенства структур CdхHg1-xTe методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения
М.Ф. Ступак, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев
DOI 10.34077/RCSP2019-119
стр.119
Разработка нейроморфного акселератора
Д.Е. Ипатов, А.В. Зверев
DOI 10.34077/RCSP2019-120
стр.120
Применение Ge(Si) самоформирующихся наноостровков для создания эффективных солнечных элементов на основе тонкого кристаллического кремния
А.В. Новиков, М.В. Шалеев, Д.В. Юрасов, Н.А. Байдакова, Е.Е. Морозова, Y. Ota, V.H. Nguyen, K. Gotoh, Y. Kurokawa, N. Usami
DOI 10.34077/RCSP2019-121
стр.121
Кремниевый бетавольтаический преобразователь
И.Б. Чистохин, Б.И. Фомин, В.В. Преображенский, В.Г. Сидоров, П.В. Зеленков, А.Т. Лелеков
DOI 10.34077/RCSP2019-122
стр.122
Рост гетероструктур AlGaN:Si брегговских зеркал для спектрального диапазона, соответствующего зеленой люминесценции
И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, И.А. Александров, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2019-123
стр.123
Пассивация поверхности InAlAs анодными слоями, сформированными в таунсендовской газоразрядной плазме
М.С. Аксенов, А.А. Нужина, Н.А. Валишева, Д.В. Дмитриев, А.К. Гутаковский, А.П. Ковчавцев
DOI 10.34077/RCSP2019-124
стр.124
Влияние плотности ростовых ямочных дефектов поверхности InAlAs на температурные зависимости параметров Au/Ti/n-InAlAs(001) диодов Шоттки
М.С. Аксенов, И.Б. Чистохин, Н.А. Валишева, Д.В. Дмитриев, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2019-125
стр.125
Гетероэпитаксиальные структуры InAlGaAs на подложке InP для электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка
Д.В. Гуляев, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Н.А. Валишева, А.В. Царев, Е.А. Колосовский, Л.А. Федюхин, А.В. Горчаков и К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2019-126
стр.126
Методика ИК-интерферометрических измерений оптических параметров и толщин разнолегированных слоёв InGaAs - InAlAs в гетероструктурах на подложках из фосфида индия
Е.А. Колосовский, Л.А. Федюхин, К.С. Журавлёв, Д.В. Гуляев, А.В. Горчаков, Д.В. Дмитриев
DOI 10.34077/RCSP2019-127
стр.127
Измерение электрооптического эффекта в сверхрешетках InAlAs/ InGaAlAs ИК- интерферометрической методикой
Е.А. Колосовский, Л.А. Федюхин, К.С. Журавлёв, Д.В. Гуляев, А.В. Горчаков, Д.В. Дмитриев
DOI 10.34077/RCSP2019-128
стр.128
Температурная зависимость времени жизни в нанокристаллах CdS, сформированных с помощью метода Ленгмюра-Блоджетт
К.А. Свит, А.А. Зарубанов, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2019-129
стр.129
Модель дефектообразования в CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучении
В.Г. Средин, А.В. Войцеховский
DOI 10.34077/RCSP2019-130
стр.130
Релаксационная кинетика фотоэмиссии из GaAs со слоями цезия
В.С. Хорошилов, А.Г. Журавлев, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович
DOI 10.34077/RCSP2019-131
стр.131
Новые электронные состояния на интерфейсе p-GaN(Cs,O)-вакуум при больших (Cs,O)-покрытиях
Г.Э. Шайблер, В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, С.А. Рожков, А.С. Терехов
DOI 10.34077/RCSP2019-132
стр.132
Фотоэлектрические и оптические свойства многослойных структур с использованием por-Si, изготовленным по различным технологическим маршрутам
И.А. Шишкин, Д.А. Лизункова
DOI 10.34077/RCSP2019-133
стр.133
Туннельный точечный контакт в терагерцовом поле
З.Д. Квон, О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г.Бакшеев, А.С. Ярошевич, Е.E.Родякина, А.В. Латышев, M. Otteneder, S.D. Ganichev
DOI 10.34077/RCSP2019-134
стр.134
Ступени коэффициента прохождения через одномерный барьер в высокочастотном поле
О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г.Бакшеев
DOI 10.34077/RCSP2019-135
стр.135
Фотопроводимость в ультрактисталлических гетероструктурах CdTe-SiO2-Si
Н.Э. Алимов, К.А.Ботиров, С.М.Отажонов
DOI 10.34077/RCSP2019-136
стр.136
Влияние излучения видимого диапазона на проводимость тонких пленок одностенных углеродных нанотрубок
В.М. Ефимов, Е.Р. Закиров, Д.Г. Есаев
DOI 10.34077/RCSP2019-137
стр.137
Матричная тепловизионная система, интегрированная в многоканальный автоматизированный биомедицинский комплекс
Б.Г. Вайнер, А.Е. Настовьяк
DOI 10.34077/RCSP2019-138
стр.138
Эффективные методы контроля формы поверхности компонент флип-чип фотоприёмников
А.Р. Новоселов, П.А. Алдохин, А.Е. Маточкин, П.П. Добровольский, К.П. Шатунов
DOI 10.34077/RCSP2019-139
стр.139
О мозаичных инфракрасных фотоприемниках сверхвысокой размерности на основе многослойных структур с квантовыми ямами
А.И. Козлов, А.Р. Новоселов, М.А. Демьяненко, В.Н. Овсюк
DOI 10.34077/RCSP2019-140
стр.140
Особенности межкадровой обработки последовательности изображений, формируемых сканирующим устройством на основе многорядного ФПУ
Г.И. Громилин, В.П. Косых, С.А. Попов, Б.Н. Дражников, К.В. Козлов, В.А. Стрельцов
DOI 10.34077/RCSP2019-141
стр.141
Проектирование и изготовление гиперспектральной камеры для беспилотных летательных аппаратов
М.В. Агринский, К.Б. Горбачев, В.В. Олейников, В.В. Старцев
DOI 10.34077/RCSP2019-142
стр.142
Алгоритм стабилизации видеоизображения при наличии в поле зрения быстро двигающихся объектов
А.О. Лебедев
DOI 10.34077/RCSP2019-143
стр.143
Влияние эффекта Пельтье на границе ВСМ– Si(Mn), содержащей пористость, на процесс инжекции носителей заряда
В.В. Клечковская, A.С. Орехов, Т.С. Камилов, А.С. Рысбаев,К.К. Курбаналиев
DOI 10.34077/RCSP2019-144
стр.144
Увеличение длины распространения поверхностных плазмон-поляритонов методами мезоразмерной фотоники
В.Н. Кручинин, С.В. Рыхлицкий, М.В. Кручинина, Г.В. Шувалов, И.В. Минин, О.В. Минин
DOI 10.34077/RCSP2019-145
стр.145
Спектральные характеристики фоточувствительных структур на основе пористого кремния и карбида кремния
Н.В. Латухина, Д.А. Лизункова, И.А. Шишкин, В.В. Танеев, В.Д. Паранин
DOI 10.34077/RCSP2019-146
стр.146
Фотоприемник ультрафиолетового излучения на основе Au-Ga2O3(Fe)-n-GaAs0.6P0.4 наноструктур
Д. Мелебаев, И.Н.Туджанова, Т.Д.Пащыкова
DOI 10.34077/RCSP2019-147
стр.147
Влияние приповерхностного изгиба зон на фотоэмиссионные характеристики p-GaN(Cs,O) фотокатодов
С.А.Рожков, В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С.Терехов
DOI 10.34077/RCSP2019-148
стр.148
Влияние ступенчатого профиля состава на формирование инверсии в пленках материала кадмий-ртуть-теллур
В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров
DOI 10.34077/RCSP2019-149
стр.149
Об определении длины диффузии неосновных носителей заряда в материале абсорбера фотодиодных матричных фотоприемников методом сканирования пятна засветки при малых уровнях диодных фототоков
В.А. Стучинский, А.В. Вишняков
DOI 10.34077/RCSP2019-150
стр.150
О различии значений пороговых характеристик многоэлементных фотодиодных ФПУ, определенных в экспериментах с однородной модулированной засветкой фотоприемника и в экспериментах с малым (“пиксельным”) пятном засветки
В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров
DOI 10.34077/RCSP2019-151
стр.151
Технологические подходы к созданию мозаичных фотоприемников сверхвысокой размерности с предельной эффективностью преобразования изображений
А.И. Козлов, А.Р. Новоселов
DOI 10.34077/RCSP2019-152
стр.152
Повышение технических характеристик импульсных терагерцовых спектрометров с помощью микроструктурных квазиоптических фильтров нижних частот
А.А. Рыбак, Н.А. Николаев, С.А. Кузнецов
DOI 10.34077/RCSP2019-153
стр.153
Извлечение ванадия из техногенных руд сернокислотного производства диоксида титана
А.С. Москаленко, С.Г. Ясев, А.В. Самвелов, К.С. Павлов
DOI 10.34077/RCSP2019-154
стр.154
Формирование атомарно-гладкой эмитирующей поверхности полупрозрачного р-GaAs(Cs,O) - фотокатода
В.В. Бакин, С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, С.Н. Косолобов, Н.С. Рудая, А.С. Кожухов, А.С. Терехов
DOI 10.34077/RCSP2019-155
стр.155
Электрофизические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
А.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, С.М.Дзядух, Д.И.Горн, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, М.В.Якушев, Г.Ю.Сидоров
DOI 10.34077/RCSP2019-156
стр.156
Диагностика МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при высокой плотности медленных поверхностных состояний
А.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, С.М.Дзядух, В.С.Варавин, С.А.Дворецкий, Н.Н.Михайлов, М.В.Якушев, Г.Ю.Сидоров
DOI 10.34077/RCSP2019-157
стр.157
Исследование границы раздела ГЭС КРТ МЛЭ и Al2O 3, нанесенного методом АСО при различных параметрах роста
Д.В. Горшков, Г.Ю. Сидоров, Д.В. Марин, И.В. Сабинина
DOI 10.34077/RCSP2019-158
стр.158
Фотоприемные устройства на основе наноразмерных гетероструктур InAs/GaSb
Л.В. Данилов, Р.В. Левин, И.В. Федоров, Н.В. Павлов, В.Н. Неведомский, Б.В. Пушный, М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Г.Г. Зегря
DOI 10.34077/RCSP2019-159
стр.159
Оптимизация параметров фотоприемников дальнего ИК диапазона на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с внутренней фотоэмиссией
Д.Г. Есаев
DOI 10.34077/RCSP2019-160
стр.160
Фотоприемники лазерного излучения с λ=1.06 мкм
А.Е. Маричев, В.С. Эполетов, Р.В. Левин, М.З. Шварц, Б.В. Пушный
DOI 10.34077/RCSP2019-161
стр.161
Линейчатые фотоприемники формата 288×4 на основе ГЭС КРТ МЛЭ на подложках из кремния для диапазона 8-12.5 мкм
Г.Ю. Сидоров, И.В. Сабинина, Д.В. Марин, М.В. Якушев, Ю.Г. Сидоров, А.О. Сусляков, С.А. Дворецкий, В.В. Васильев, А.В. Зверев, Ю.С. Макаров, А.В. Предеин, А.В. Вишняков, Д.В. Горшков, В.Г. Ремесник
DOI 10.34077/RCSP2019-162
стр.162
Формирование светоизлучающих и фотодетектирующих в ИК-области тонкослойных структур Ge:Sb/Ge методами ионной имплантации, вакуумного осаждения и импульсного отжига
Р.И. Баталов, Р.М. Баязитов, И.А. Файзрахманов, В.А. Шустов, А.В. Новиков, П.А. Бушуйкин, Н.А. Байдакова, М.Н. Дроздов
DOI 10.34077/RCSP2019-163
стр.163
Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203
А.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, С.М.Дзядух, А.П. Коханенко
DOI 10.34077/RCSP2019-164
стр.164
Адмиттанс гибридных органо-неорганических структур на основе пентацена в широком диапазоне температур
А.В.Войцеховский, С.Н.Несмелов, С.М.Дзядух
DOI 10.34077/RCSP2019-165
стр.165
ИК-фотолюминесценция плёнок GexSiyOz: вклад дефектов и нанокластеров германия
М.П. Гамбарян, С.Г. Черкова, В.А. Володин
DOI 10.34077/RCSP2019-166
стр.166
Оптические и электрические свойства диодных структур на базе пористого кремния с эрбием
Н.В. Латухина, И.М. Жильцов, М.В. Степихова
DOI 10.34077/RCSP2019-167
стр.167
Спонтанное и стимулированное излучение в светодиодных гетероструктурах с активной областью из InAs
К.Д. Мынбаев, А.А. Семакова, С.Н. Липницкая, Н.Л. Баженов, А.В. Черняев, С.С. Кижаев, Н.Д. Стоянов
DOI 10.34077/RCSP2019-168
стр.168
Разработка мощных ИК диодов с РБО на 850 и 920 нм методом МЛЭ
Н.А. Солдатов, Д.В. Дмитриев, К.С. Журавлев
DOI 10.34077/RCSP2019-169
стр.169
Фотолюминесценция эрбия в In2O3
К.В. Феклистов, А.В. Гуляев, А.Г. Лемзяков
DOI 10.34077/RCSP2019-170
стр.170
Дизайнерские принципы устранения потерь изображений в мозаичных фотоприемниках сверхвысокой размерности
А.И. Козлов, А.Р. Новоселов, В.Н. Овсюк
DOI 10.34077/RCSP2019-171
стр.171
Моделирование пространственного разрешения ИК КРТ ФПУ методом Монте Карло
А.В. Вишняков, В.В. Васильев, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский
DOI 10.34077/RCSP2019-172
стр.172
Коэффициенты тензочувствительности датчиков механических напряжений на разных физических принципах
А.Г. Паулиш, П. С. Загубисало
DOI 10.34077/RCSP2019-173
стр.173
Перспективы формирования качественного изображения в тепловизорах на базе отечественных фотоприемников КРТ
И.И. Кремис, Р.А. Гладков
DOI 10.34077/RCSP2019-174
стр.174
Методика настройки микросканера на базе плоскопараллельной пластинки
И.И. Кремис, Р.А. Гладков
DOI 10.34077/RCSP2019-175
стр.175
Методика определения клиновидности плоскопараллельной пластинки (в дополнение к методике настройки микросканера на базе плоскопараллельной пластинки)
Р.А. Гладков, И.И. Кремис
DOI 10.34077/RCSP2019-176
стр.176
Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe
И.И. Ижнин, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев, К.Д. Мынбаев, О.Ю. Бончик, Г.В. Савицкий, В.С. Варавин , С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев, Y. Morgiel, Z. Świątek
DOI 10.34077/RCSP2019-177
стр.177
Моделирование напряжений в In-столбах связи фотоприёмников при охлаждении их до температур жидкого азота
П.С. Загубисало, А.Р. Новоселов
DOI 10.34077/RCSP2019-178
стр.178
Исследование влияния температуры на характеристики пьезооптических датчиков механических напряжений
П.С. Загубисало, А. Г. Паулиш
DOI 10.34077/RCSP2019-179
стр.179