ФОТОНИКА 2025: Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. – М. : Издательство "Перо", 2025. – 160 с.
ISBN 978-5-00270-084-4
В сборник вошли тезисы докладов, представленных на Российской конференции и школе молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2025», проходившей 8-12 сентября 2025 года в г. Новосибирске.
Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов физики квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, формирования наноструктур на основе широкого спектра полупроводниковых материалов и нанокристаллов, преобразования и взаимодействия оптического излучения. Материалы отражают новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией сверхслабых оптических сигналов в ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом и видимом диапазонах спектра. Сборник может быть полезен специалистам в области фотоэлектроники, а также будет интересен преподавателям ВУЗов, аспирантам и студентам.
УДК 621.383(043)
ББК 32.854я431+22.343я431
ISBN 978-5-00270-084-4
© ИФП СО РАН, 2025
| Содержание | стр. 7 |
| Твердотельная фотоника коротковолнового ИК диапазона спектра. А.В. Полесский, В.В. Старцев, И.Д. Бурлаков, К.О. Болтарь, В.С. Попов, Н.И. Яковлева, А.Н. Кузнецов, П.С. Лазарев, А.А. Лопухин, К.А. Хамидуллин | стр.15 |
| Линейка оборудования проекционной литографии для технологий интегральной фотоники SiON,
SiOGe, SOI А.А. Ковалев | стр.16 |
| Развитие технологий эпитаксии гетероструктур КРТ и создания матричных ИК фотоприемников на
их основе в ИФП СО РАН. М.В. Якушев,В.С. Варавин, Ю.С. Макаров, И.В. Марчишин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю Сидоров, Е.В. Спесивцев, Е.Р. Закиров, В.А. Швец, А.В. Латышев | стр.17 |
| Применение инфракрасных кадмий-ртуть-теллуровых фотоприемников в фурье-спектрометрах
нового поколения. А.Н. Морозов, С.Е. Табалин, И.Л. Фуфурин | стр.18 |
| Электронно-оптические преобразователи от рентгеновского до ИК диапазона О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, К.В. Меркулин, В.В. Бакин, С.А. Рожков, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Д.А. Кустов, А.Ю. Демин | стр.19 |
| Матричный КМОП-фотоприемник формата 2048×2048 ячеек 5,3×5,3 мкм. К.С. Баталов, С.С. Татаурщиков, Д.В. Бородин, Ю.В. Осипов | стр.20 |
| Выращивание легированных индием широкозонных слоев HgCdTe и контроль кристаллической
структуры методами генерации второй гармоники. С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, В.Г. Ремесник, М.Ф. Ступак, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин | стр.21 |
| Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных
молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором. К.Д. Мынбаев, И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, И.Н. Ужаков, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев | стр.22 |
| Полноформатные матричные фотоприемники на основе коллоидных квантовых точек PbS на
спектральный диапазон 0,4-2,0 мкм. В.П. Пономаренко, В.С. Попов, М.А. Панков, К.А. Хамидуллин, А.Д. Деомидов, А.А. Федоров, Г.Ю. Деев, Д.Э. Драгунов, О.В. Епифанов, Ш.И. Зарипов, П.С. Лазарев, Е.В. Мирофянченко, Д.В. Ильинов, В.А. Петрушина, П.А. Кузнецов, А.Н. Кузнецов, И.Д. Бурлаков, А.В. Полесский, В.В. Старцев, С.Б. Бричкин, М.Г. Спирин, С.А. Товстун, М.В. Гапанович, В.Ю. Гак, А.В. Гадомская, Д.Н. Певцов, А.В. Кацаба, А.С. Кириченко, Д.В. Демкин, В.А. Иванова, В.В. Иванов, В.Ф. Разумов | стр.23 |
| Микроболометрические приемники терагерцового излучения в режиме синхронного детектирования. М.А. Демьяненко, И.В. Марчишин, Д.В. Щеглов, В.Ш. Алиев, А.В. Наумов, В.В.Старцев | стр.24 |
| Сверхпроводниковый однофотонный детектор – ключевой элемент квантовых фотонных
интегральных схем. Г.Н. Гольцман | стр.25 |
| Формирование композитных структур Si с наночастицами A3B5 для фотоэлектроники ближнего ИК диапазона Р.И. Баталов, В.В. Базаров, Е.М. Бегишев, Н.М. Лядов, И.М. Подлесных, Д.Д. Зайцев | стр.26 |
| Высокочувствительный LWIR детектор в гетеро структуре GaAs с двумя квантовыми ямами. С.Р. Егиян, О.А. Клименко, В.Н. Антонов | стр.27 |
| Матрицы фотодиодов коротковолнового ИК диапазона на основе XBn-структур InGaAs. Н.А. Иродов, К.О. Болтарь, М.В. Седнев, А.В. Трухачев, А.А. Лопухин | стр.28 |
| Усиление фототока поверхностными метаструктурами в фотодетекторах ближнего инфракрасного
диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge. А.А. Блошкин, А.И. Якимов, В.В. Кириенко, Д.Е. Уткин, А.В. Двуреченский | стр.29 |
| Влияние термического отжига множественных HgTe КЯ на длинноволновую границу ИК
фотоприемников. Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Р.Н. Менщиков, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков, В.Я. Алешкин, С.В. Морозов | стр.30 |
| Трехфотонное лазерное возбуждение одиночных атомов Rb
для применений в квантовой информатике. И.И.Рябцев, И.И.Бетеров, Е.А.Якшина, Н.Н.Безуглов, K.Miculis, A.Cinins, Д.Б.Третьяков, В.М. Энтин, Г.Сулиман, П.И.Бетлени | стр.31 |
| Квантовые сенсоры на основе холодных атомов для фундаментальных и практических приложений. О.Н. Прудников, А.Н. Гончаров А.Н., А.В. Тайченачев, В.И. Юдин, Д.В. Бражников | стр.32 |
| Увеличение дальности квантового распределения ключей при помощи генератора на основе
ультракоротких лазерных импульсов. В.Г. Попов | стр.33 |
| Полупроводниковая радиофотоника – основные принципы, применение, состояние и перспективы. Л.И. Бабак, А.А. Коколов | стр.34 |
| Электронная компонентная база на основе фосфида индия для волоконно-оптических систем связи и
радиофотоники. Д.В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, А.М. Гилинский, М.С. Аксенов, А.В. Царев, Е.А. Колосовский | стр.35 |
| Разработка квазиоптических дихроичных фильтров мм/субмм-диапазонов спектра для наземных и
космических обсерваторий. С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, П.А. Лазорский, С.Ю. Турыгин, А.В. Худченко, Р.А. Чёрный, Е.С. Голубев | стр.36 |
| Однофотонный лавинный фотодиод на основе полупроводниковых гетероструктур InP/InGaAs/InP
для систем квантовой связи. В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, М.О. Петрушков, М.С. Аксенов, А.С. Плешков, Б.Р. Карымов, И.И. Рябцев | стр.37 |
| Нитевидные нанокристаллы для оптоэлектронных приложений. Г.Э. Цырлин, В.О. Гридчин, Р.Р. Резник | стр.38 |
| Лавинные фотодиоды планарных и меза конструкций на основе InP/InGaAs/InP и InGaAs/InAlAs/InP
гетероструктур для систем лазерной связи. М.С. Аксенов, А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, Д.В. Гуляев, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский | стр.39 |
| Оптические свойства нанокристаллов InSb, ионно-синтезированных на границе раздела Si/SiO 2
структур кремний-на-изоляторе. И.Е. Тысченко, Р.И. Баталов, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, В.П. Попов | стр.40 |
| III-N гетероструктуры в нитевидных нанокристаллах: рост, механизмы формирования и физические
свойства. В.О. Гридчин, К.П. Котляр, Р.Р. Резник, А.М. Минтаиров, В.Ю. Давыдов, В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин | стр.41 |
| NV- центры в наноструктурах алмаза: ФЛ, ОДМР и когерентность спинов. С.Н. Подлесный, И.А. Карташов, В.А. Антонов, Ю.А. Живодков, В.П. Попов, В.А. Володин, И.Н. Куприянов, Ю. Н. Пальянов | стр.42 |
| СВЧ-фотокондактанс GaAs/AlGaAs-наносистем в переходе от двумерного электронного газа к
заполнению подзон квантового точечного контакта. В.А. Ткаченко, А.С. Ярошевич, И.В. Марчишин, А.К. Бакаров, Е.Е Родякина, З.Д. Квон | стр.43 |
| Морфология и антиотражающие свойства слоёв теллура. А.А. Шкляев, А.В. Царев | стр.44 |
| Физика и технология пространственных фазовых модуляторов света на жидких кристаллах. С.В. Мутилин, А.Г. Милёхин, Ю.С. Макаров, В.А. Селезнев, В.С. Тумашев, Е.К. Багочюс, А.В. Принц, Н.И. Лысенко, С.Н. Речкунов, А.Е. Гайдук, А.И. Комонов, И.А. Азаров, И.И. Кремис, А.В. Турбин, Р.А. Гладков, В.В. Васильев, А.А. Моисеев, А.В. Латышев, В.С. Сутормин, М.Н. Крахалев, А.В. Баранник, К.А. Фейзер, А.С. Абдуллаев, Д.А. Костиков, М.А. Лесной, О.О. Прищепа, В.Я. Зырянов, С.Д. Рудаков, С.И. Суродин, Т.А. Шоболова, Е.Л. Шоболов, Д.М. Линник, В.А. Юрин, Р.М. Шагалиев . | стр.45 |
| Цезий-индуцированные электронные состояния на поверхности n-GaAs(Cs,O). М.М. Верчук, В.С. Хорошилов, Д.М. Казанцев, С.А. Рожков, В.Л. Альперович | стр.46 |
| Объемный и поверхностный каналы спин-поляризованной фотоэмиссии из фотокатодов
Na2KSb(Cs,Sb). Д.А. Кустов, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, А.Ю. Демин, С.А. Рожков, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, Т.С. Шамирзаев, О.Е. Терещенко | стр.47 |
| Зависимость степени спиновой поляризации от кинетической энергии электронов, эмитированных из
мультищелочного Na 2 KSb/Cs x Sb-фотокатода. В.В. Бакин, С.А. Степанов, В.А. Голяшов, А.С. Микаева, Д.А. Кустов, В.С. Русецкий, С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, А.В. Копотилов, О.Е. Терещенко | стр.48 |
| Модулятор THz-излучения на основе фазового перехода металл-изолятор в поликристаллических
пленках диоксида ванадия. С.Г. Бортников, В.В. Герасимов | стр.49 |
| Пространственное фазовое разрешение в ЖК ячейках на основе массива пиксельных электродов. Е.К. Багочюс, А.Е. Гайдук, И.А. Азаров, В.С. Тумашев, А.В. Принц, Ю.С. Макаров, В.А. Селезнев, С.В. Мутилин | стр.50 |
| Двумерные материалы для приложений в области фотоники и оптоэлектроники. А.И. Чернов | стр.51 |
| Атомарно-тонкие кристаллы AIIBVI для фотоники: от химии поверхности к контролю 2D экситонов. Р.Б. Васильев | стр.52 |
| Массивы кристаллических кластеров VO2, сформированные с помощью окислительной сканирующей
зондовой литографии. Н.Д. Манцуров, А.И. Комонов, Б.В. Волошин, В.А. Селезнев, Л.В. Яковкина, В.Н. Кичай, С.В. Мутилин | стр.53 |
| Технология 3Д печати оптических компонентов из халькогенидного стекла. П.С. Мелконян, А.В. Семенча, В.А. Клинков, Д.В. Вибе, А.К. Баршенин | стр.54 |
| Приемы химического осаждения для расширения области применения материалов на основе VO2 в
устройствах оптоэлектроники. О.В. Бойцова, В.Ю. Чендев , О.Н. Макаревич, С.В. Мутилин | стр.55 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge на Si для интегральной кремниевой фотоники. А.И. Никифоров, М.С. Аксенов, А.С. Дерябин, А.В. Колесников, И.Д. Лошкарев, К.Э. Певчих, О.П. Пчеляков, В.В. Светиков, Л.В. Соколов, К.Б. Фрицлер, И.Б. Чистохин | стр.56 |
| Светоизлучающие диоды и транзисторы с Ge(Si)/КНИ самоформирующимися наноостровками,
встроенными в фотонные кристаллы. А.В. Новиков, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский, В.Е. Захаров, Е.В. Демидов, М.В. Шалеев, Д.В. Юрасов, З.Ф. Красильник, С.А. Дьяков, А.Н. Михаилов, Д.И. Тетельбаум, Е.Е. Родякина, Ж.В. Смагина | стр.57 |
| Легирование кремния атомами халькогенов, как способ достижения примесной инфракрасной
фотопроводимости при комнатной температуре. И.М. Подлесных, М.С. Ковалев, С.И. Кудряшов | стр.58 |
| Фотолюминесценция множественных квантовых ям GeSn/Si со сверхтонкими слоями GeSn. И.В. Скворцов, В.А. Тимофеев, И.Д. Лошкарев, В.В. Кириенко, В.И. Машанов, Д.В. Коляда, Д.Д. Фирсов, О.С. Комков | стр.59 |
| Люминесценция GeSi структур, выращенных из ионно-молекулярных пучков. Ж.В. Смагина, А.В. Зиновьев, А.Ф. Зиновьева, И.А. Александров, В.Е. Захаров, А.Н. Яблонский, А.В. Мудрый, В.Д. Живулько, А.В. Двуреченский | стр.60 |
| Применение методов и устройств адаптивной голографической интерферометрии для исследований
эффектов и явлений в фоторефрактивных пьезокристаллах. Н.И. Буримов, С.М. Шандаров, А.О. Злобин, С.С. Шмаков | стр.61 |
| Нелинейная микроскопия для неинвазивного исследования электрохимических процессов на водных
интерфейсах. М.Ю. Еремчев, И.А. Ковалев , И.Ю. Еремчев, А.В. Наумов | стр.62 |
| Технологический прогресс в создании изделий из инфракрасных оптических материалов. А.В. Семенча, В.А. Клинков, П.С. Мелконян, Д.В. Вибе, А.К. Баршенин | стр.63 |
| Разработка фотодетекторов с откликом на циркулярно-поляризованное излучение. А.А. Ведерникова, Ю.А. Тимкина, Е.В. Ушакова | стр.64 |
| РОС-лазер на основе КЯ HgCdTe с длиной волны генерации 13.5 мкм с вертикальным выводом
излучения при накачке 8мкм ИК ККЛ. С.В. Морозов, В.В. Уточкин, В.В. Румянцев, М.А. Фадеев, А.А. Разова, К.А. Мажукина, А.А Янцер, Я.Н. Паулкина, В.И. Гавриленко, Д.В. Шенгуров, Е.Е. Морозова, Н.С. Гусев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.Р. Барышев, Н.С Гинзбург, Г.С. Соколовский | стр.65 |
| Матричные фотоприемные устройства на основе коллоидных квантовых точек. В.С. Попов, В.П. Пономаренко | стр.66 |
| Непрерывные терагерцовые двухфотонные квантовые каскадные лазеры. В.И. Гавриленко | стр.67 |
| Диагностика потоков излучения высокого спектрального разрешения для интервала
частот 0.1-0.6 ТГц. А.В. Аржанников, П.В. Калинин, Д.А. Самцов, Е.С. Сандалов, С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, Н.А. Николаев | стр.68 |
| Ближнепольная оптическая спектроскопия полупроводниковых нанопроволок. И.А.Милёхин, А.В.Тараненко, Л.С. Басалаева, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, В.В. Преображенский, В.В. Федоров, Л.Н.Дворецкая, А.Г. Милёхин | стр.69 |
| Лазеры на основе квантовых ям CdHgTe/HgCdTe при различных режимах оптической накачки. В.В. Румянцев, С.В. Морозов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко | стр.70 |
| КНИ структуры с двумя функциональными слоями кремния для фотонных интегральных схем. В.А. Антонов, Ф.В. Тихоненко, К.А. Гутаковский, В.И. Вдовин, В.П. Попов | стр.71 |
| Факторы ограничения выходной мощности суперлюминесцентных диодов со скользящим
полосковым волноводом. А.С. Паюсов, Г.О. Корнышов , Ю.М. Шерняков, А.А. Бекман, Ю.А. Салий, М.М. Кулагина, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.В. Максимов, Н.Ю. Гордеев | стр.72 |
| Электромагнитный плазменный резонанс в GaAs мембранах с двумерным электронным слоем при
комнатной температуре. С.В. Морозов, М.А. Фадеев, А.А. Янцер, А.С. Астраханцева, A.М. Шуваев, П.А. Гусихин, И.В. Кукушкин, В.М. Муравьев | стр.73 |
| Влияние дизайна волновода и модального усиления на двухуровневую генерацию в лазерах на
квантовых яма-точках. А.А. Бекман, Г.О. Корнышов, Ю.М. Шерняков, А.С. Паюсов, А.А. Харченко, Н.Ю. Гордеев, М.В. Максимов | стр.74 |
| Циркулярные резонансы Фабри-Перо в решетках Ge дисков в телекоммуникационном диапазоне
длин волн. А.Ф. Зиновьева, А.А. Шкляев, А.В. Зиновьев, Д.Е. Уткин, С.А. Рудин, Н.А. Ташкеев, С.Л. Вебер | стр.75 |
| Полупроводниковые сверхрешетки InAs/GaSb с интерфейсной компенсацией упругих напряжений
для оптоэлектронных применений. В.С. Кривобок, А.В. Клековкин, Г.Н. Ерошенко, С.И. Ченцов, Д.А. Пашкеев, К.А Савин, И.И. Минаев, С.Н. Николаев, Д.Ф. Аминев | стр.76 |
| Матричные фотоприемные устройства с повышенной кадровой частотой и перспективы
их развития. В.В. Карпов, Д.В. Косарев, С.А. Кузнецов, А.В. Марущенко, Г.В. Чеканова, В.Ф. Чишко | стр.77 |
| Перспективы объединения интегральной фотоники и волоконной оптики в сенсорике и метрологии. М.П. Гаськов, В.А. Симонов, В.С. Терентьев, А.Ю. Ткаченко, С.И. Каблуков, И.А. Лобач | стр.78 |
| Оптико-поляризационные датчики деформаций с высокой предельной чувствительностью для
технической диагностики и дефектоскопии. В.Н. Федоринин, С.А. Бехер, В.И. Сидоров, Т.С. Абрамова, А.Л. Ланис | стр.79 |
| Совершенствование нормативно-технического и научно-методического обеспечения разработки и
производства изделий фотоники. К.С. Лопаткин, Н.Б. Лозовик, Е.В. Макарова, А.П. Студеновский | стр.80 |
| Интегральные микрокриогенные системы охлаждения роторного типа для фотоэлектроники. Д.Д. Бабенко, М.В. Банников, К.О. Болтарь, Е.Д. Коротаев, Г.И. Некрасов, Е.Д. Сычева | стр.81 |
| Результаты разработки передовых БИС считывания с цифровым выходом. П.А. Кузнецов, Н.А. Ларионов, М.А. Шумейко, Ю.А. Якимов, А.Н. Кузнецов | стр.82 |
| Частотный метод фильтрации импульсной помехи на тепловизионном изображении, вызванной
дефектами матрицы ФПУ. Р.А. Гладков, И.И. Кремис, А.В. Турбин | стр.83 |
| Разработка времяпролетного лидара с отклонением луча перестраиваемой метаповерхностью
геометрической фазой. П.Н. Ким, В.А. Шлепанов, И.В. Тимофеев | стр.84 |
| Солнечно слепой электронно-оптический преобразователь для космической астрономии в области
вакуумного ультрафиолета. К.В. Меркулин, Г.Э. Шайблер , В.А. Голяшов, А.С. Микаева, В.В. Бакин, С.А. Рожков, В.С. Русецкий, А.В.Копотилов, H.В. Кислых, А.Д. Николенко, А.С. Шугаров, В.Е. Шмагин, С.Г. Сичевский, М.Е. Сачков, O.E. Терещенко | стр.85 |
| Влияние отжига на химический состав и морфологию границы раздела Pt/InAlAs. И.Ю. Гензе, М.С. Аксенов, Е.Р. Закиров, В.И. Вдовин, А.К. Гутаковский, Д.В. Дмитриев, Д.В. Гуляев . | стр.86 |
| Рассеяние поверхностных волн Дьяконова в системах на основе жидких кристаллов. Н.С. Гришин, А.Е. Гайдук | стр.87 |
| Излучательные свойства Al-содержащих и безалюминиевых гетероструктур спектрального
диапазона 780 – 980 нм. Н.В. Гультиков, К.Ю. Телегин, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, Т.А. Багаев, А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин | стр.88 |
| Широкополосный поглотитель ИК излучения, основанный на многослойных структурах пористый
алюминий/оксинитрид кремния. М.А. Демьяненко, О.В. Наумова, Э.Г. Зайцева, А.Ю. Петин | стр.89 |
| Трансформация поверхности при удалении оксида с InP(00 в арсенидной МЛЭ. Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Гуляев DOI 10.34077/RCSP2025-90 | стр.90 |
| Плазмонные наноструктуры для спектроскопии комбинационного рассеяния света с нанометровым
пространственным разрешением. К.С. Киселёв, А.Г. Милёхин, И.А. Милёхин, Т.А. Дуда, В.С. Тумашев, С.Л. Вебер | стр.91 |
| Напыление сверхтонких пленок золота методом наносекундного лазерного осаждения. Д.А. Колосовский, Т.М. Залялов, С.А. Пономарев, Ю.Г. Шухов, А.А. Морозов, С.В. Старинский | стр.92 |
| Температурная зависимость отношений периодов и интенсивностей дифракционных рефлексов от
ступенек разного типа при росте Si на Si(001). А.П. Коханенко, О.И. Кукенов, В.В. Дирко, К.А. Лозовой, А.Г. Коротаев | стр.93 |
| Влияние элементарного теллура на электрофизические характеристики границы раздела HfO2/CdHgTe. И.А. Краснова, Е.Р. Закиров, В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров | стр.94 |
| Автоматизация измерений скорости роста гетероэпитаксиальных структур AlGaN/AlN/GaN. И.Н. Ляпустин, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, А.М. Гилинский, Я.Е. Майдэбура, В.И. Вдовин, Ю.А. Живодков, Д.С. Милахин | стр.95 |
| Влияние температуры на устойчивость самокаталитического роста планарных нанопроволок GaAs в
траншеях структурированной поверхности (Монте-Карло моделирование). С.В. Манцурова, Н.Л. Шварц | стр.96 |
| Мультирезонансные перестраиваемые метаматериалы инфракрасного диапазона на основе диоксида
ванадия и кремния. Н.А. Миронов, А.Е. Гайдук | стр.97 |
| Термический отжиг CdHgTe с большим содержанием CdTe: генерация и аннигиляция дефектов. К.Д. Мынбаев, М.С. Ружевич, И.В. Чуманов, Д.Д. Фирсов, О.С. Комков, В.С. Варавин, И.Н. Ужаков, В.Г. Ремесник, Н.Н. Михайлов | стр.98 |
| Поглотители на основе многослойных пленок пористого Al, полученного магнетронным распылением. О.В. Наумова, А.Ю. Петин, Э.Г. Зайцева, С.А. Пономарев, Ю.А. Живодков, М.А. Демьяненко, А.С. Ярошевич, А.А. Шкляев | стр.99 |
| КНИ структуры со скрытыми слоями SiO 2 и локальной высокоомной областью в низкоомной подложке. В.А. Антонов, Л.Н. Сафронов, В.А. Володин, В.П. Попов | стр.100 |
| Гетероструктуры In0.52Al0.48 As/In0.53Ga0.47As/InP с донорно-акцепторным легированием. Д.Ю. Протасов, Д.В. Дмитриев , Д.В. Гуляев | стр.101 |
| Характеризация тонких пленок оксидов ванадия интерференционно-усиленным комбинационным рассеянием света. В.А. Селезнев, Б.В. Волошин, В.А. Володин, Л.В. Яковкина, С.В. Мутилин | стр.102 |
| Процесс десорбции оксидов с поверхности InSb. М.А. Суханов, А.К. Бакаров, В.А. Голяшов , С.А. Пономарев, Д.В. Гуляев | стр.103 |
| Получение антиотражающих покрытий из чёрного золота. Д.Е. Уткин, Д.И. Рогило, А.А. Шкляев | стр.104 |
| Результаты трех видов постимплантационного отжига при имплантации бериллия в антимонид индия. Д.Э. Фазилов, И.Э. Фазилова, В.П. Астахов, В.В. Карпов, Г.В. Чеканова, К.С. Андрейчиков, Д.В. Косарев | стр.105 |
| Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и
нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si. Юйчжу Чэн, В.А. Володин | стр.106 |
| Исследование оптических свойств CdTe вблизи края фундаментального поглощения при различных
режимах выращивания. В.А. Швец, Л.С. Кузнецова, А.А. Воронин, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев , Е.В. Спесивцев | стр.107 |
| Эллипсометрия тонких пленок диоксида ванадия, синтезированных с помощью химического
осаждения из газовой фазы. В.Б. Калинина, К.Е. Капогузов , С.В. Мутилин , А.Е. Гайдук, И.А. Азаров, В.Н. Кичай, Л.В. Яковкина | стр.108 |
| Фоточувствительные МДП-структуры ITO/GeOx/Si. Г.А. Хамуд, Г.Н. Камаев, М. Вернья, В.А. Володин | стр.109 |
| Монте-Карло моделирование энергетических распределений электронов, эмитированных из
полупроводников с отрицательным электронным сродством. Д.М. Казанцев, В.В. Бакин, С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович, О.Е. Терещенко | стр.110 |
| Генерация игольчатого пучка из Бесселева пучка на основе излучения полупроводникового лазера. С.Х. Абдулразак, Н.Г. Дерягин, В.В. Дюделев, Г.С. Соколовский | стр.111 |
| Увеличение скорости генерации квантового ключа за счет одновременной передачи одиночных
фотонов с двумя длинами волн по одному атмосферному каналу. Д.Б. Третьяков, А.В. Коляко, А.С. Плешков, И.И. Рябцев, И.Г. Неизвестный | стр.112 |
| Выравнивание амплитуд запомненных состояний для решения задачи ассоциативной памяти на
кутритах посредством квантового отжига. И.С. Пичковский, В. Е. Зобов | стр.113 |
| Оптическая ориентация и оптическое выстраивание экситонов в нанокристаллах CsPbI3 в стеклянной матрице. Т.С. Шамирзаев, Я.Е. Майдэбура, М.С. Кузнецова, Е.В. Колобкова | стр.114 |
| Исследование характеристик пироэлектрических детекторов МГ-32 от видимого до
терагерцевого диапазонов. В.В. Герасимов, С.Е. Краснопевцев, Е.Б. Гольденберг, Г.Р. Туркия, Д.В. Фромичев, С.А. Кузнецов | стр.115 |
| Переключаемый двухполосный селективный поглотитель терагерцового излучения на основе
частотно-избирательных поверхностей. М.А. Демьяненко, О.В. Наумова, А.Ю. Петин | стр.116 |
| Широкополосный конвертор ТГц и миллиметрового излучения в ИК излучение, основанный на
вертикально ориентированных углеродных нанотрубках. М.А. Демьяненко, С.В. Родякин, Д.И. Рогило, Л.И. Федина, О.И. Семёнова, Д.В. Щеглов DOI 10.34077/RCSP2025-117 | стр.117 |
| Плазмонные волноводы для терагерцовых квантово-каскадных лазеров. А.А. Дубинов, Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, Р.А. Хабибуллин . | стр.118 |
| Многослойная линза-объектив для ИК спектра из халькогенидных стекол состава AsxSy(1-x)Se1-y(1-x). А.К. Баршенин, А.В. Семенча, П.С. Мелконян, Н. Маннатхоко | стр.119 |
| Новый метод определения вероятности выхода фотоэлектронов в вакуум из полупроводников с
отрицательным эффективным электронным сродством. С.А. Рожков, В.В. Бакин, В.С. Хорошилов, В.Л. Альперович, Г.Э. Шайблер | стр.120 |
| Распределение электронов, эмитированных мультищелочным фотокатодом, по поперечной
компоненте энергии. Г.Э. Шайблер, В.А. Голяшов, В.Л. Альперович, В.В. Бакин, С.А. Рожков, Д.А. Кустов, В.С. Русецкий, А.В.Копотилов, H.В. Кислых, O.E. Терещенко | стр.121 |
| Ограничения стандартных подходов при изготовлении широкоформатных охлаждаемых
фотоприёмников для спектрального диапазона 8-12 мкм. П.А. Алдохин, А.Р. Новосёлов, К.П. Шатунов | стр.122 |
| Установка для анализа качества разварки проволочных соединений перед корпусированием полупроводниковых изделий. А.А. Голицын | стр.123 |
| Механические напряжения в МЭМС с металлическими поглотителями. Э.Г. Зайцева, Е.А. Федотов, О.В. Наумова | стр.124 |
| Автоматизация эллипсометрических измерений в миллиметровом диапазона спектра. С.А. Кузнецов, В.Н. Федоринин, А.В. Гусаченко, Ю.Л. Кравченко, А.В. Гельфанд | стр.125 |
| Перспективные износостойкие покрытия пар трения микрокриогенной системы ФПУ. А.В. Кулеш, Е.Д. Коротаев | стр.126 |
| Контроль высоты полета БПЛА с помощью компьютерного зрения. А.О. Лебедев, В.В. Васильев, А.Г. Паулиш | стр.127 |
| Влияние синусоидальной вибрации на работу микрокриогенной системы охлаждаемого
фотоприемного устройства. Е.П. Лобачев, Е.О. Тимошенков | стр.128 |
| Исследование управления перестраиваемыми узкополосными фильтрами для гиперспектральных
систем наблюдения. А.А. Голицын, А.В. Голицын, Н.А. Сейфи, С.Д. Чибурун | стр.129 |
| Плазмон-усиленное комбинационное рассеяние света отдельными нанопроволоками GaP. А.В. Тараненко, Л.С. Басалаева, Н.Н. Курусь, И.А. Милёхин, В.В. Фёдоров, В.С. Тумашев, А.Г. Милёхин | стр.130 |
| Влияние размера фотодиодов на пространственное разрешение матричных ИК фотоприемников. В.А. Стучинский, В.В. Васильев, А.В. Вишняков | стр.131 |
| Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером. А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев | стр.132 |
| Подготовка поверхности 100 мм пластин Si с изготовленными структурами pin-фотодиодов перед
магнетронным напылением контактной системы Cr-Au. А.С. Кондрахин, А.А. Трофимов, Д.О. Царегородцев, Н.Ю. Будтолаев, В.А. Рафикова | стр.133 |
| Определение концентраций дефектов в слоях GaN-on-Si и GaN-on-SiC, выращенных при различных
температурах, методами фотолюминесцентной спектроскопии. И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, Д.Ю. Протасов, Д.С. Абрамкин, К.С. Журавлёв | стр.134 |
| Оптические свойства пленок GeSiSn плёнок: эксперимент и ab initio моделирование. Т.В. Перевалов, В.А. Тимофеев, И.В. Скворцов, И.А. Азаров | стр.135 |
| Моделирование функции преобразования волоконно-оптических датчиков давления на
основе AWG мультиплексоров/демультиплексоров. А.Д. Бялик, Д.Б. Ямщиков | стр.136 |
| Исследование поляризации в сенсорах ионизирующих излучений на основе арсенида галлия,
компенсированного хромом. М.С. Трофимов | стр.137 |
| Видимая электролюминесценция в пленках In2O3:Er, магнетронно напыленных на кремнии. К.В. Феклистов, А.Г. Лемзяков, Д.С. Абрамкин, К.А. Свит, А.М. Пугачев, В.А. Володин, Д.В. Марин, Е.В. Спесивцев, Л.Н. Сафронов, С.А. Кочубей, К.С. Ершов, А.В. Капишников, А.Н. Шмаков, А.А. Шкляев, Ю.А. Живодков, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, Д.Ю. Протасов | стр.138 |
| Влияние различных диэлектрических покрытий и p-легированного слоя InAlAs на перемешивание
материалов в структурах с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs. И.А. Александров, Д.В. Дмитриев , М.С. Аксенов, Д.В. Гуляев | стр.139 |
| Широкозонные слои увеличенной проводимости. А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, М.С. Аксенов, А.С. Ярошевич, К.С. Журавлев | стр.140 |
| Электродинамическая оптимизация и экспериментальное исследование поглощающей структуры
тонкоплёночных пиродетекторов для ТГц диапазона частот. С.А. Кузнецов, В.В. Герасимов, В.А. Степанов, Д.В. Фромичев, А.А. Рыбак | стр.141 |
| Гибридный метод расчёта многослойных интерференционных структур на основе частотно-
избирательных поверхностей с использованием импедансного подхода. С.А. Кузнецов | стр.142 |
| Люминесцентные свойства квантовых точек CdxZn1-xS, синтезированных с помощью метода Ленгмюра-Блоджетт в матрице бегеновой кислоты. К.А. Свит, Д.В. Гуляев | стр.143 |
| Метод измерения фотоэлектрических параметров быстродействующих охлаждаемых матричных
фотоприемников в нестационарных условиях. К.В. Чиж, Д.С. Викторов, В.В. Карпов | стр.144 |
| Стабилизация скорости напыления и контроль толщины покрытий при формировании фотоприемных
и светоизлучающих структур. А.С. Кривенко, С.А. Алексеев, И.А. Безруков, Н.А. Белич, И.М. Глухов, А.Б. Тарасов | стр.145 |
| Методология обеспечения и контроля качества на всех этапах реставрационных (ремонтных) работ
фотоприемных модулей. М.И. Конча, К.С. Лопаткин, И.С. Щукин | стр.146 |
| Организация и порядок проведения модернизации, модификации и совершенствования изделий
электронной компонентной базы. М.И. Конча, А.А. Сенин, Р.Н. Журиков | стр.147 |
ФОТОНИКА 2023: Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. / ИФП СО РАН. – М. : Издательство "Перо", 2023. – 170 с.
ISBN 978-5-00218-581-8
В сборник вошли тезисы докладов, представленных на Российской конференции и школе молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2023», проходившей 4-8 сентября 2023 года в г. Новосибирске.
Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов физики квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, формирования наноструктур на основе широкого спектра полупроводниковых материалов и нанокристаллов, преобразования и взаимодействия оптического излучения. Материалы отражают новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией сверхслабых оптических сигналов в ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом и видимом диапазонах спектра. Сборник может быть полезен специалистам в области фотоэлектроники, а также будет интересен преподавателям ВУЗов, аспирантам и студентам.
Тезисы издаются в авторской редакции.
УДК 621.383(043)
ББК 32.854я431+22.343я431
ISBN 978-5-00218-581-8
© ИФП СО РАН, 2023
| Содержание | стр. 7 |
| Состояние работ и перспективы матричных фотоприемных устройств на основе
антимонида индия. К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, П.В. Власов, В.В. Ерошенков, А.А. Лопухин, Н.И. Яковлева DOI 10.34077/RCSP2023-16 | стр.16 |
| Состояние и перспективы развития охлаждаемых фотоприемных устройств на основе сложных
гетероструктур узкозонных полупроводников. М.В. Якушев, А.В. Латышев, К.С. Лопаткин, Г.Ю. Сидоров, П.А. Сысоев DOI 10.34077/RCSP2023-17 | стр.17 |
| Фотоприемники и фотоприемные устройства ИК-диапазона спектра для оптико-электронных
систем космического базирования. В.В. Карпов, С.А. Кузнецов DOI 10.34077/RCSP2023-18 | стр.18 |
| Магнитооптические эффекты в композитных плазмонных наноструктурах И.А. Колмычек, В.Б. Новиков, Т.В. Мурзина DOI 10.34077/RCSP2023-19 | стр.19 |
| Киральные пленочные структуры на основе массивов кобальтовых наноспиралей, получаемые
методом наклонного напыления. О.С. Трушин, И.С. Фаттахов, А.А. Попов, Л.А. Мазалецкий, Р.А. Гайдукасов, А.В. Мяконьких DOI 10.34077/RCSP2023-20 | стр.20 |
| Влияние состава матрицы и режимов эпитаксиальных роста на оптические и структурные
свойства квантовых точек InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы. В.В. Андрюшкин, И.И. Новиков, А.Г. Гладышев, А.В. Бабичев, Л.Я. Карачинский, Е.С. Колодезный, А.Ю. Егоров DOI 10.34077/RCSP2023-21 | стр.21 |
| Влияние ионной очистки и отжига на параметры Pt/InAlAs барьеров Шоттки. И.Ю. Гензе, М.С. Аксенов, Д.В. Дмитриев DOI 10.34077/RCSP2023-22 | стр.22 |
| Сверхлегирование кремния различными примесями с помощью прямой лазерной записи: от
фундаментальных исследований к практическим результатам. М.С. Ковалев, С.И. Кудряшов DOI 10.34077/RCSP2023-23 | стр.23 |
| Подготовка подложек CdZnTe с морфологией поверхности «epi-ready» для синтеза твердых
растворов A2B6 методом МЛЭ. А.А. Трофимов, И.А. Денисов, М.Б. Гришечкин, А.Н. Моисеев, А.В. Чилясов, В.С. Евстигнеев, А.Е. Гончаров, К.А. Гладышева, А.С. Суханова, В.А. Малыгин, А.М. Косякова, Е.А. Климов DOI 10.34077/RCSP2023-24 | стр.24 |
| Термопластичное халькогенидное стекло ИК диапазона для микрооптических элементов. А.В. Семенча, Н. Маннатхоко, В.А. Клинков, Н.А. Кононов DOI 10.34077/RCSP2023-25 | стр.25 |
| Двухфотонные квантовые каскадные лазеры терагерцового диапазона В.И. Гавриленко DOI 10.34077/RCSP2023-26 | стр.26 |
| Моделирование терагерцового квантово-каскадного лазера на основе AlGaInP. А.А. Дубинов, А.А. Афоненко, Д.В. Ушаков DOI 10.34077/RCSP2023-27 | стр.27 |
| Оптические свойства кристаллов GaSe:S и перспективы их применения в
телекоммуникационных устройствах. О.Н. Шевченко, Н.А. Николаев, В.Д. Анцыгин, К.А. Кох, С.Л. Микерин DOI 10.34077/RCSP2023-28 | стр.28 |
| Применение поверхностного плазмонного резонанса на антимониде индия для исследования
тонких пленок в терагерцевом диапазоне. В.В. Герасимов, И.Ш. Хасанов, А.К. Никитин, О.Э. Камешков, А.И. Иванов, А.Г. Лемзяков, В.П. Назьмов DOI 10.34077/RCSP2023-29 | стр.29 |
| Покрытия VO2 на кристаллических подложках для устройств визуализации ИК и ТГц
диапазонов. О.В. Бойцова, О.Н. Макаревич, А.М. Макаревич DOI 10.34077/RCSP2023-30 | стр.30 |
| Диалкиламинозамещённые красители и их комплексы как перспективные системы для
лазеров терагерцового диапазона. Е.С. Медянцев, Н.О. Дубинец, Н.А. Лобова DOI 10.34077/RCSP2023-31 | стр.31 |
| Развитие рентгеновской нанофотоники на базе совершенствования плоских рентгеновских
волноводов-резонаторов. В.К. Егоров, Е.В. Егоров DOI 10.34077/RCSP2023-32 | стр.32 |
| Квантовые сенсоры электрических полей на основе ридберговских атомов. И.И. Рябцев, В.М. Энтин, Д.Б. Третьяков, Е.А. Якшина, И.И. Бетеров DOI 10.34077/RCSP2023-33 | стр.33 |
| Формирование нанокристаллов CsPbBr3 в боросиликатном стекле. В.А. Клинков, В.Б. Арчелков, А.В. Семенча, Т.Ю. Седегова DOI 10.34077/RCSP2023-34 | стр.34 |
| Детектор ЭМ излучения на основе лазерно-индуцированного пористого графена. А.В. Телегин, Ю.П. Сухоруков, К.Г. Михеев, Р.Г. Зонов, Л.И. Наумова, Г.М. Михеев DOI 10.34077/RCSP2023-35 | стр.35 |
| Электрооптические модуляторы C-диапазона на основе InP. Д.В. Гуляев, Д.В. Дмитриев, А.В. Царев, М.С. Аксенов и К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2023-36 | стр.36 |
| ФИС – Почему так просто и почему так сложно? (состояние и перспективы развития
Фотонных Интегральных Схем в РФ). А.А. Ковалев, В.В. Светиков, К.Э. Певчих DOI 10.34077/RCSP2023-37 | стр.37 |
| Подход к формированию киральных метаматериалов методами 3D-печати и теневого напыления металла. С.В. Голод, А.Е. Гайдук DOI 10.34077/RCSP2023-38 | стр.38 |
| Моделирование бимодового сенсора со встроенным модовым фильтром в структуре кремний
на изоляторе. А.В. Царев DOI 10.34077/RCSP2023-39 | стр.39 |
| Зависимость частотно-модуляционной характеристики вертикально-излучающих лазеров 1,55
мкм от топологических размеров рабочей области. К.О. Воропаев, И.О. Воропаева, С.А. Блохин, Л.Я.Карачинский, И.И. Новиков DOI 10.34077/RCSP2023-40 | стр.40 |
| Исследование конструкций гетерогенной интеграции полупроводниковых A3B5 лазеров на SOI волноводные фотонные схемы. В.В. Золотарев, И.С. Шашкин, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, В.В. Светиков, К.Э. Певчих DOI 10.34077/RCSP2023-41 | стр.41 |
| Изменение направления распространения света покрытиями из диэлектрических частиц. А.А. Шкляев, Ч. Чжен DOI 10.34077/RCSP2023-42 | стр.42 |
| Фотоприемники на основе материалов с ограниченной размерностью. В.С. Попов, В.П. Пономаренко, В.Ф. Разумов, В.В. Иванов DOI 10.34077/RCSP2023-43 | стр.43 |
| Исследование динамики носителей заряда в гибридных структурах InGaAs «Квантовые Яма-
Точки» методом ап-конверсии фотолюминесценции. А.М. Надточий, К.А. Иванов, С.А. Минтаиров, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков DOI 10.34077/RCSP2023-44 | стр.44 |
| Магнитооптика квантовых точек из халькогенидов свинца. И.Д. Авдеев, С.В. Гупалов, М.О. Нестоклон DOI 10.34077/RCSP2023-45 | стр.45 |
| Получение и свойства золей и тонких пленок коллоидных квантовых точек селенида ртути. И.А. Шуклов, Д.В. Дёмкин DOI 10.34077/RCSP2023-46 | стр.46 |
| Излучающие свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со
встроенными в них GeSi квантовыми точками. Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, М.В. Степихова, С.А. Дьяков, И.А. Смагин, Е.Е. Родякина, В.А. Вербус, А.В. Кацюба, М.С. Михайловский, К.Н. Астанкова, П.А. Кучинская, А.В. Новиков DOI 10.34077/RCSP2023-47 | стр.47 |
| Фотолюминесценция пленок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+ в режимах ионного синтеза нанокристаллов InAs. И.Е. Тысченко, Ч. Сы, С.Г. Черкова, В.П. Попов DOI 10.34077/RCSP2023-48 | стр.48 |
| Влияние лигандов на свойства тонких пленок коллоидных квантовых точек халькогенидов
ртути и характеристики фоторезисторов, полученных на их основе. Т. Миленкович, И.А. Шуклов, В.С. Попов DOI 10.34077/RCSP2023-49 | стр.49 |
| Алгоритмы и аппаратно-программные решения формирования и обработки изображений для
современных отечественных матричных ИК ФПУ. А.В. Полесский, И.Д. Бурлаков, Д.Э. Драгунов, П.С. Лазарев, М.Ю. Ляпустин, В.В. Старцев DOI 10.34077/RCSP2023-50 | стр.50 |
| Разработка высокоскоростных и высокотемпературных охлаждаемых ИК фотоприемных
устройств на основе КРТ. Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, И.В. Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.В. Васильев, М.П. Семенов, Д.В. Марин, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, Д.Г. Икусов, А.В. Зверев, Ю.С. Макаров, А.В. Предеин, И.В. Марчишин, А.В. Вишняков, В.Г. Ремесник, Д.В. Горшков, А.В. Латышев DOI 10.34077/RCSP2023-51 | стр.51 |
| Увеличение дальности обнаружения и распознавания объектов с использованием устройства
микросканирования. Р.А. Гладков, И.И. Кремис DOI 10.34077/RCSP2023-52 | стр.52 |
| Оценка влияния деконволюции на качество изображения оптико-электронных систем
средневолнового ИК диапазона спектра. П.С. Лазарев, А.Д. Юдовская, М.Ю. Ляпустин DOI 10.34077/RCSP2023-53 | стр.53 |
| Фотоприемные устройства для оптико-электронной системы глобального мониторинга
содержания малых газовых компонент атмосферы Земли из космоса. А.М. Малхасян, И.Я. Рассказов, Е.А. Лапшин, Ю.А. Пластинин, Ю.П. Сырых DOI 10.34077/RCSP2023-54 | стр.54 |
| Влияние распределения освещенности в пятне рассеяния оптического зонда на значение
коэффициента фотоэлектрической связи ФПУ. Н.А. Семенченко DOI 10.34077/RCSP2023-55 | стр.55 |
| “Медленный” свет в спектрах фототока в структурах с квантовыми точками Ge/Si,
сопряженных с фотонными кристаллами. А.И. Якимов , В.В. Кириенко, А.В. Двуреченский, Д.Е. Уткин DOI 10.34077/RCSP2023-56 | стр.56 |
| Магнитопоглощение в гетероструктурах на основе CdHgTe с двойными квантовыми ямами. А.В. Иконников, С. С. Криштопенко, Л.С. Бовкун, М.А. Фадеев, В.Я. Алешкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, S. Ruffenach, C. Consejo, J. Torres, B.А. Piot, M. Potemski, M. Orlita, С.В. Морозов, F. Teppe, В.И. Гавриленко DOI 10.34077/RCSP2023-57 | стр.57 |
| Релаксация фототока в эпитаксиальных пленках узкозонного PbSnTe:In в условиях
меняющейся освещенности. А.Э. Климов, И.О. Ахундов, В.А. Голяшов, Д.В. Ищенко, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2023-58 | стр.58 |
| Самоохлаждение гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs0.9Sb0.1 при обратном смещении p-n перехода. С.А. Карандашев, А.А. Лавров, Т.С. Лухмырина, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный DOI 10.34077/RCSP2023-59 | стр.59 |
| Активированная лазерным излучением енерация второй гармоники в гибкой мембране с
кремниевыми нитевидными нанокристаллами. В.А. Масталиева, В.В. Неплох, А.В. Айбуш, В.В. Фёдоров, А.А. Якубова, О.Ю. Коваль, А.С. Гудовских, С.В. Макаров, И.С. Мухин DOI 10.34077/RCSP2023-60 | стр.60 |
| 2D-GaN/AlN monolayer quantum disks for mid-ultraviolet emitters. V.N. Jmerik, D.V. Nechaev, A.N. Semenov, E.A. Evropeitsev, T.V. Shubina, M.A. Yagovkina, P.A. Alekseev, B.R. Borodin, M.M. Kulagina, Yu.M. Zadiranov, S.I. Troshkov, A.A. Toropov, V.I. Kozlovsky, M.M. Zverev, N.A. Gamov, T. Wang, X. Wang, M. Pristovsek, H. Amano, S.V. Ivanov DOI 10.34077/RCSP2023-61 | стр.61 |
| Локальный контроль слабых напряжений на поверхности структур (013) HgCdTe/CdTe/ZnTe/GaAs с помощью генерации второй гармоники. М.Ф. Ступак, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин DOI 10.34077/RCSP2023-62 | стр.62 |
| Малошумящие лавинные фотодиоды для систем связи (Обзор). И.Б. Чистохин, А.М. Гилинский, М.С. Аксенов, В.В. Преображенский, К.С. Журавлев, А.С. Башкатов DOI 10.34077/RCSP2023-63 | стр.63 |
| Фотопроводимость сверхлегированного кремния в среднем-дальнем ИК-диапазоне, усиленная
квази-континуумом примесных состояний легирующей серы. С.И. Кудряшов, А.А. Настулявичус, М.С. Ковалев, А.Р. Ахматханов, В.И. Пряхина, В.Я. Шур DOI 10.34077/RCSP2023-64 | стр.64 |
| 1.54 мкм электролюминесценция в пленках In2O3:Er, магнетронно напыленных на кремнии. К.В. Феклистов, А.Г. Лемзяков, А.А Шкляев, Д.В. Гуляев, Д.С. Абрамкин, Е.В. Спесивцев, А.М. Пугачев, В.А. Володин, С.А. Кочубей, К.С. Ершов, Л.Н. Сафронов, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, Ю.А. Живодков, А.Ф. Зиновьева, Д.Ю. Протасов, А.С. Дерябин, А.И. Комонов, Д.Г. Есаев, А.Н. Шмаков, А.В. Капишников, И.П. Просвирин, В.А. Голяшов, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2023-65 | стр.65 |
| Возможности управления излучающими свойствами кремниевых структур с наноостровками
Ge(Si) в двумерных фотонных кристаллах. А.В. Перетокин, М.В. Степихова, А.Н. Яблонский, А.В. Новиков, Д.В. Юрасов, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, Е.Е. Родякина, Ж.В. Смагина, С.А. Дьяков DOI 10.34077/RCSP2023-66 | стр.66 |
| Гибридные электронно-оптические преобразователи от УФ до ТГц диапазона. Г.Э. Шайблер, В.В. Бакин, С.А. Рожков, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Д.А. Кустов, Д.М. Казанцев, В.С. Хорошилов, И.О. Ахундов, А.С. Тарасов, А.Ю. Демин, О.Е. Терещенко, А.С. Башкатов DOI 10.34077/RCSP2023-67 | стр.67 |
| Кремниевые фотодиоды для регистрации излучения от ближнего инфракрасного до жёсткого
рентгеновского диапазонов и электронов. В.В. Забродский, П.Н. Аруев, А.В. Николаев, Е.В. Шерстнёв DOI 10.34077/RCSP2023-68 | стр.68 |
| Электрически перестраиваемые метаструктуры миллиметрового диапазона на основе жидких
кристаллов. С.А. Кузнецов, В.И. Лапаник, С.Н. Тимофеев, В.С. Сутормин, В.Я. Зырянов, С.Б. Глыбовский, В.В. Суриков, Д.А. Овсов, А.Д. Саянский, К.В. Лемберг, Н.А. Николаев DOI 10.34077/RCSP2023-69 | стр.69 |
| Фотомемристивные детекторы на основе низкоразмерных материалов для интеллектуальных
систем распознавания образов. Г.Н. Панин, О.О. Капитанова DOI 10.34077/RCSP2023-70 | стр.70 |
| Гетероструктурные фотопреобразователи солнечного и лазерного излучения. М.З. Шварц, В.М. Андреев, С.А. Левина, Н.А. Калюжный DOI 10.34077/RCSP2023-71 | стр.71 |
| Диффузионная структура LiNbO3:Cu Z-среза для реализации оптических пинцетов. А.А. Колмаков, Т.А. Журин, Э. Комов DOI 10.34077/RCSP2023-72 | стр.72 |
| Резонансное поведение коллективного сечения экстинкции треугольного кластера малых
частиц с электрическим дипольным рассеянием. А.А. Сапегин, М.Ю. Барабаненков DOI 10.34077/RCSP2023-73 | стр.73 |
| Современные экспериментальные и инженерные технологии для зондово-оптических
измерений характеристик поверхности на наномасштабе. Д.А. Козодаев, Е.В. Кузнецов, А.О. Погонышев, М.А. Трусов DOI 10.34077/RCSP2023-74 | стр.74 |
| Микрополосковая линия для сверхширокополосной электрооптической стробоскопической
измерительной системы. А.В. Клеопин DOI 10.34077/RCSP2023-75 | стр.75 |
| Атомарно-тонкие органо-неорганические наноструктуры AIIBVI с энантиомерными
лигандами: от синтеза к хиральным 2D экситонам. Д.А. Куртина, В.П. Графова, А.И. Лебедев, Р.Б. Васильев DOI 10.34077/RCSP2023-76 | стр.76 |
| Светодиоды на структурах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, встроенными в
фотонные кристаллы. А.В. Новиков, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский, М.В. Степихова, Д.В. Юрасов, А.Н. Михайлов, Д.И. Тетельбаум, Е.Е. Родякина, Ж.В. Смагина, П.А. Юнин, М.Н. Дроздов DOI 10.34077/RCSP2023-77 | стр.77 |
| Методы оптимизации разрешения СВИК линейчатых ФПУ на основе КРТ. В.В. Васильев, А.В. Вишняков, И.В.Сабинина, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский DOI 10.34077/RCSP2023-78 | стр.78 |
| Выращивание слоёв VOх при эллипсометрическом in situ контроле и характеризация их
оптических свойств. В.А. Швец, И.А. Азаров, В.Ш. Алиев, С. Г. Бортников, Е.В. Спесивцев DOI 10.34077/RCSP2023-79 | стр.79 |
| Оптико-электронные и мехатронные системы и приборы нового поколения. С. М. Чурилов, П.А. Алдохин, Р. А. Гладков, А.А. Голицын, А.В. Голицын, И.И. Кремис, С.А. Кузнецов, И. В. Минин, А.Р.Новоселов, А.Г. Паулиш, Н.А. Сейфи, С.В. Хрящёв, К.П. Шатунов DOI 10.34077/RCSP2023-80 | стр.80 |
| Стимулированное излучение в диапазоне 25 – 31 мкм в структурах с квантовыми ямами на
основе HgCdTe при импульсной и непрерывной накачках. С.В. Морозов DOI 10.34077/RCSP2023-81 | стр.81 |
| Вертикально-излучающие лазеры телекоммуникационных диапазонов 1310 и 1550 нм на
основе сверхрешеток: принципы создания, технология изготовления, характеристики. А.Ю. Егоров DOI 10.34077/RCSP2023-82 | стр.82 |
| Магнитоуправляемый спиновый светоизлучающий диод. М.В. Дорохин, М.В. Ведь, П.Б. Дёмина, А.В. Здоровейщев, Д.А. Здоровейщев, Ю.А. Дудин, В.Е. Котомина, И.Л. Калентьева DOI 10.34077/RCSP2023-83 | стр.83 |
| Оптимизация условий возбуждения Xe лазерной плазмы в источнике EUV излучения для
нанолитографии с целью повышения его эффективности. П.С. Буторин, С.Г. Калмыков, М.Э. Сасин DOI 10.34077/RCSP2023-84 | стр.84 |
| Рост и характеризация nBn структур на основе СdxHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов. Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков, Р.В. Меньшиков, Г.Ю. Сидоров DOI 10.34077/RCSP2023-85 | стр.85 |
| Сравнение методов расчета эффективных тепловых параметров микрорезонаторов. В.И. Павлов, Н.М. Кондратьев, В.Е. Лобанов DOI 10.34077/RCSP2023-86 | стр.86 |
| Фотокаталитические свойства нанокомпозитов ZnO-Cr2O3-CuO синтезированных полимерно-
солевым методом. А.А. Шелеманов, С.К. Евстропьев, К.А. Портнова DOI 10.34077/RCSP2023-87 | стр.87 |
| Фотодетекторы и излучатели ИК и УФ диапазонов для актуальных газоаналитических задач в
промышленности. Требования и характеристики. М.А. Максютенко DOI 10.34077/RCSP2023-88 | стр.88 |
| Особенности применения метода импульсной терагерцовой спектроскопии для изучения
полупроводниковых материалов и метаструктур. Н.А. Николаев, С.А. Кузнецов, О.Н. Шевченко, А.А. Рыбак, Ф.А. Минаков, Л.В. Максимов, В.Д. Анцыгин DOI 10.34077/RCSP2023-89 | стр.89 |
| Разработка установки для экспериментального исследования методов измерения задержки
распространения сигналов в оптическом волокне. Б.Р. Алекперова DOI 10.34077/RCSP2023-90 | стр.90 |
| Исследование влияния параметров гиперхроматического объектива на точностные
характеристики оптоволоконной конфокальной системы для измерения профиля микроструктур. Д.А. Коверзнев, М.А. Завьялова, П.С. Завьялов DOI 10.34077/RCSP2023-91 | стр.91 |
| Безредукторные электромеханические приводы для позиционирования оптических элементов
в тепловизионных каналах. И.И. Кремис, Р.А. Гладков, А.В. Турбин DOI 10.34077/RCSP2023-92 | стр.92 |
| Установка для измерения абсолютной и дифференциальной задержки распространения сигнала в оптическом волокне. О.В. Колмогоров, В.М. Хайретдинова, Д.А. Любченко DOI 10.34077/RCSP2023-93 | стр.93 |
| Детекторы и излучатели фотонов для систем квантовой связи и квантовых стандартов частоты. В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, А.С. Плешков, В.А. Гайслер, И.А. Деребезов, А.В. Гайслер, М.М. Качанова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, И.Г. Неизвестный, И.И. Рябцев, А.В. Латышев DOI 10.34077/RCSP2023-94 | стр.94 |
| Xe лазерная плазма как эффективный источник рабочего излучения для нанолитографии с
длиной волны вблизи 11 нм. С.Г. Калмыков, П.С. Буторин, М.Э. Сасин DOI 10.34077/RCSP2023-95 | стр.95 |
| Явления резонансного взаимодействия в люминесцентном отклике низкоразмерных фотонных
структур с наноостровками Ge(Si). М.В. Степихова, А.В. Перетокин, В.А. Вербус, М.И. Петров, Д.В. Юрасов, Д.В. Шенгуров, Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, С.А. Дьяков, А.В. Новиков DOI 10.34077/RCSP2023-96 | стр.96 |
| Локальный спектральный анализ полупроводниковых наноструктур для устройств фотоники. А.Г. Милёхин, I.A. Milekhin, Н.Н. Курусь, Л.С. Басалаева, Р.Б. Васильев, К.В. Аникин, В.Г. Мансуров, К.С. Журавлев, Е.А. Емельянов, В.В. Преображенский, А.В. Латышев, D.R.T. Zahn DOI 10.34077/RCSP2023-97 | стр.97 |
| Магнитосопротивление двойной квантовой ямы HgTe/CdHgTe в параллельном магнитном поле. М.В. Якунин, В.Я. Алешкин, М.Р. Попов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий DOI 10.34077/RCSP2023-98 | стр.98 |
| Усиление фотоотклика множественных квантовых ям GeSiSn/Si, совмещенных с плазмонными
наноантеннами и двумерными фотонными кристаллами. И.В. Скворцов, В.А. Тимофеев, В.И. Машанов, А.Е. Гайдук, А.А. Блошкин, В.В. Кириенко, Д.Е. Уткин, А.И. Никифоров, А.В. Коляда, Д.Д. Фирсов, О.С. Комков DOI 10.34077/RCSP2023-99 | стр.99 |
| Транспорт электронов в p-GaAs фотокатоде: влияние «фотонного переноса». Г.Э. Шайблер, В.В. Бакин, С.С. Михеев, С.А. Рожков, А.С. Терехов DOI 10.34077/RCSP2023-100 | стр.100 |
| Легирование Zn слоев i-InAlAs(001) из планарного источника Zn3P2. М.О. Петрушков, М.С. Аксенов, Д.Б. Богомолов, Д.Ю. Протасов, П.П. Камеш, М.А. Путято, И.Б. Чистохин, В.В. Преображенский DOI 10.34077/RCSP2023-101 | стр.101 |
| Ростовые технологии оксида галлия: объемные кристаллы β-Ga2O3 и эпитаксиальные слои метастабильных α- и κ-фаз. В.И. Николаев, П.Н. Бутенко, В.М. Крымов, С.В. Шапенков, А.А. Кицай, Ю.Г. Носов, Р.Б. Тимашов, А.И. Печников DOI 10.34077/RCSP2023-102 | стр.102 |
| Оптимизация роста гетероструктур InGaAs/(Al)GaAs с квантовой ямой InGaAs спектрального
диапазона 940-980 нм. С.Ю. Гаврилов, Н.В. Гультиков, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк DOI 10.34077/RCSP2023-103 | стр.103 |
| Перестройка моноатомных и биатомных ступеней на поверхности при эпитаксиальном росте Si
на Si(001). В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов, К.А. Лозовой, А.П. Коханенко DOI 10.34077/RCSP2023-104 | стр.104 |
| Атомарные процессы на поверхности epi-ready InP(001) в потоке мышьяка. Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, В.А. Голяшов, А.И. Торопов, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2023-105 | стр.105 |
| Исследование свойств границы раздела ALD HfO2–HgCdTe. Е.Р. Закиров, Д.В. Горшков, Г.Ю. Сидоров, С.А. Пономарев DOI 10.34077/RCSP2023-106 | стр.106 |
| Зарождение островков InAs на InP(001) при отжиге в потоке мышьяка. Д.А. Колосовский, Д.В. Дмитриев, С.А. Пономарев, А.И. Торопов, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2023-107 | стр.107 |
| Электростатическая силовая микроскопия как способ детектирования наноструктур оксидов
ванадия, формируемых методами сканирующей зондовой литографии. А.И. Комонов, Н.Д. Манцуров, В.А. Селезнев, Б.В. Волошин, С.В. Мутилин DOI 10.34077/RCSP2023-108 | стр.108 |
| Температурная зависимость длины димерного ряда при эпитаксиальном росте германия на
кремнии. К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко, А.Г. Коротаев DOI 10.34077/RCSP2023-109 | стр.109 |
| Структурное разупорядочение и оптические свойства пленок HgCdTe, выращенных
молекулярно-лучевой эпитаксией. М.С. Ружевич, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов, Н.Л. Баженов, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, И.Н. Ужаков, Д.В. Марин, С.А. Дворецкий, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев DOI 10.34077/RCSP2023-110 | стр.110 |
| Капельная эпитаксия нанокластеров GaN на подложках Si(111): Монте-Карло моделирование. А.Г. Настовьяк, М.А. Литвиненко, Н.Л. Шварц DOI 10.34077/RCSP2023-111 | стр.111 |
| Исследование выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3 и SiC слоев Al0.9Ga0.1N:Si с различным уровнем легирования методом фотолюминесцентной
спектроскопии. И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2023-112 | стр.112 |
| Электрохимическое профилирование гетероструктур GaAs с n+-контактным слоем. Д.Ю. Протасов, П.П. Камеш, А.А. Макеева, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2023-113 | стр.113 |
| Получение пленок VO2 на различных подложках в условиях гидротермального воздействия для
оптических устройств терагерцового диапазона. А.А. Самойлова, О.В. Бойцова DOI 10.34077/RCSP2023-114 | стр.114 |
| Синтез тонкопленочных наноструктур перспективных для спин-орбитроники. А.В. Телегин, М.E. Стеблий, А.С. Самардак, В.С. Теплов, Я.Я. Пыжьянов, В.Д. Бессонов DOI 10.34077/RCSP2023-115 | стр.115 |
| Резонансные оптические свойства решёток из частиц Ge на Si. Д.Е. Уткин, А.А. Шкляев, А.В. Царёв DOI 10.34077/RCSP2023-116 | стр.116 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур Ge на Si для фотоприемников спектрального
диапазона 1.3-1.55 мкм. А.С. Дерябин, И.Д. Лошкарев, А.И. Никифоров, К.Э Певчих, Д.Н. Придачин, О.П. Пчеляков, В.В. Светиков, Л.В. Соколов, К.Б. Фрицлер, И.Б. Чистохин DOI 10.34077/RCSP2023-117 | стр.117 |
| Фотолюминесценция в гетероструктуре с квантовыми ямами Ga(Sb,P)/GaP. Т.С. Шамирзаев, М.А. Путято DOI 10.34077/RCSP2023-118 | стр.118 |
| Микрорельеф поверхности как критерий качества буферных слоёв CdTe. В.А. Швец, Д.В. Марин, Л.С. Кузнецова, И.А. Азаров, М.В. Якушев, С.В. Рыхлицкий DOI 10.34077/RCSP2023-119 | стр.119 |
| Спиновая система NV-13C в магнитометрии. А.Т. Салказанов, Н.С. Кукин, А.Р. Мурадова, А.П. Низовцев, П.А. Семенов, М.О. Смирнова, А.Л. Пушкарчук, А.Н. Васильев, А.С. Гусев, М.М. Калошин, Н.И. Каргин DOI 10.34077/RCSP2023-120 | стр.120 |
| Моделирование оптических потерь в пористой пленке алюминия на подложке кремния с
подслоем SiON. А.В.Царев, О.В.Наумова, Ю.А. Живодков DOI 10.34077/RCSP2023-121 | стр.121 |
| Модификация метода Герцбергера для выбора стекол широкоспектрального объектива-
суперапохромата. А.В. Голицын DOI 10.34077/RCSP2023-122 | стр.122 |
| Исследования уровней паразитного фона ИК излучения на фотоприёмнике в криостате
разными методами. П.А. Алдохин, А.Р. Новоселов, С. В. Хрящёв, П.П. Добровольский, К.П. Шатунов DOI 10.34077/RCSP2023-123 | стр.123 |
| Определение диэлектрических постоянных и толщин теплозащитных керамических покрытий
методом эллипсометрии миллиметрового диапазона. В.Н. Федоринин, С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, А.Ю.Горшков DOI 10.34077/RCSP2023-124 | стр.124 |
| Макет высокоточного лазерного фазового дальномера с применением оптической линии
задержки и цифровой регистрации сигналов. Д.А. Любченко, О.В. Колмогоров DOI 10.34077/RCSP2023-125 | стр.125 |
| Расчетная оценка дальности действия активно-импульсной системы на базе ПЗС-фотоприемника. А.А. Голицын, Н.А. Сейфи DOI 10.34077/RCSP2023-126 | стр.126 |
| Плазмон-усиленная оптическая спектроскопия эпитаксиальных нанокристаллов GaAs. Л.С. Басалаева, Е.А. Емельянов, В.В. Фёдоров, Л.Н. Дворецкая, В.В. Преображенский, А.Г. Милёхин DOI 10.34077/RCSP2023-127 | стр.127 |
| Квантовые точки InAs/GaAs как элементы плёночных термоэлектрических преобразователей. П.Б. Демина, О.В. Вихрова, М.В. Дорохин, Ю.А. Данилов, В.П. Лесников, Ю.М. Кузнецов, Н.В. Байдусь, С.Ю. Зубков, А.В. Здоровейщев, А.Е. Парафин DOI 10.34077/RCSP2023-128 | стр.128 |
| Мультифрактальные флуктуации проводимости по геликоидальным краевым состояниям в
двумерном топологическом изоляторе на основе HgTe. Е.Б. Ольшанецкий, Г.М. Гусев, А.Д. Левин, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов DOI 10.34077/RCSP2023-129 | стр.129 |
| Генерация квантового ключа в свободном пространстве с помощью передачи поляризованных
одиночных фотонов. А.В. Коляко, Д.Б. Третьяков, А.С. Плешков, И.И.Рябцев, И.Г. Неизвестный DOI 10.34077/RCSP2023-130 | стр.130 |
| Сравнение способов монтажа мощных решеток лазерных диодов в корпусе на медный
теплоотвод. Д.С. Иванов, Н.В. Гультиков, А.И. Данилов, А.В. Подкопаев, С.М. Сапожников, М.А. Ладугин DOI 10.34077/RCSP2023-131 | стр.131 |
| КМОП фотоматрица и телевизионный модуль формата 1280×1024 ячеек 5,3×5,3 мкм. Д.В.Бородин, Ю.В. Осипов, А.А.Дементьев, Е.В.Чеботов DOI 10.34077/RCSP2023-132 | стр.132 |
| Cпиновые светоизлучающие диоды InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt, модифицированные ионным
облучением. А.В. Здоровейщев, П.Б. Дёмина, М.В. Дорохин, Ю.А. Данилов, Ю.А. Дудин, И.Л. Калентьева DOI 10.34077/RCSP2023-133 | стр.133 |
| Двухуровневая лазерная генерации в микродисковых лазерах с InAs/InGaAs квантовыми
точками. А.А. Караборчев, И.С. Махов, К.А. Иванов, М.В. Максимов, Н.В. Крыжановская, А.Е. Жуков DOI 10.34077/RCSP2023-134 | стр.134 |
| Обзор: Искусство нано- и микрофотоэлектроники для конгруэнтности базовых элементов при
создании мозаичных фотоприемников сверхвысокой размерности и микротепловизоров в широком спектральном диапазоне видеосигналов. А.И. Козлов DOI 10.34077/RCSP2023-135 | стр.135 |
| Разработка узкополосного пропускающего фильтра для импульсной терагерцовой
спектроскопии. А.А. Рыбак, С.А. Кузнецов, Н.А. Николаев DOI 10.34077/RCSP2023-136 | стр.136 |
| Разработка перспективных БИС считывания с аналого-цифровым преобразованием
фотосигнала. Н.А. Ларионов, П.А. Кузнецов, Ю.А. Якимов, А.Н. Кузнецов DOI 10.34077/RCSP2023-137 | стр.137 |
| Проектирование легких и ультратонких III-V/Ge солнечных элементов для гибких панелей
для космических и наземных применений. Н.А. Паханов, М.З.Шварц DOI 10.34077/RCSP2023-138 | стр.138 |
| Особенности распространения потоков оптического излучения в световодных структурах. В.К. Егоров, Е.В. Егоров DOI 10.34077/RCSP2023-139 | стр.139 |
| Расчет энергетических барьеров диффузии атомов As и P в InP и InAs. И.А. Александров, К.С. Журавлев DOI 10.34077/RCSP2023-140 | стр.140 |
| Развитие методов спектральной фильтрации терагерцового излучения с использованием
технологий частотно-избирательных поверхностей. С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, В.Н. Федоринин, А.В. Аржанников, П.А. Лазорский, Н.А. Николаев, А.А. Рыбак, А.Н. Генцелев, В.П. Бессмельцев DOI 10.34077/RCSP2023-141 | стр.141 |
| Применение сеточных диодов с плавающим потенциалом в линейчатом КРТ-фотоприемнике
для улучшения разрешения. В.В. Васильев, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров, В.А. Стучинский DOI 10.34077/RCSP2023-142 | стр.142 |
| Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe
со сверхрешётками в качестве барьера. А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Г.Ю. Сидоров DOI 10.34077/RCSP2023-143 | стр.143 |
| Эвристическая формула для оценки латеральной эффективной длины диффузии
фотогенерированных носителей заряда от линейного пятна засветки в фотоприемных КРТ-матрицах. А.В. Вишняков, В.А. Стучинский, В.В. Васильев DOI 10.34077/RCSP2023-144 | стр.144 |
| Частотно-контрастная характеристика и эффективная длина диффузии фотогенерированных
носителей заряда в фотоприемных КРТ-матрицах с разными значениями геометрических параметров. В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, В.В. Васильев DOI 10.34077/RCSP2023-145 | стр.145 |
| Энергетическая диаграмма Na2KSb и Na2KSb/Cs3Sb фотокатодов. В.В. Бакин, С.А. Рожков, В.С. Русецкий, Д.А. Кустов, В.А. Голяшов, А.Ю. Демин, Г.Э. Шайблер, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2023-146 | стр.146 |
| Тонкая структура энергетических распределений фотоэлектронов, эмитированных полупрозрачным p-GaAs(Cs,O) – фотокатодом. В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, С.А. Рожков, А.С. Терехов DOI 10.34077/RCSP2023-147 | стр.147 |
| Исследование зависимости плотности электронных состояний и оптических переходов в
нанокристаллах кремния в зависимости от окружения. А.В. Герт, А.В. Белолипецкий DOI 10.34077/RCSP2023-148 | стр.148 |
| Расчет распределений по энергии электронов, эмитированных из p-GaAs(Cs,O), с учетом
испускания оптических фононов и захвата в области изгиба зон. Д.М. Казанцев, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович, В.А. Голяшов, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2023-149 | стр.149 |
| Фотоэмиссия спин-поляризованных электронов из механически напряжённых Na2KSb/Cs3Sb фотокатодов. Д.А. Кустов, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, А.Ю. Демин, С.А. Рожков, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2023-150 | стр.150 |
| Оптические свойства меза-структур на основе GaAs, обработанных водородной плазмой и
пассивированных слоем Al2O3. И.А. Мельниченко, Н.В. Крыжановская, А.М. Надточий, М.Г. Козодаев, Р.Р. Хакимов, А.А. Воробьев, А.М. Можаров, Ю.А. Гусева, А.Е. Жуков DOI 10.34077/RCSP2023-151 | стр.151 |
| Энергетические распределения горячих электронов из Na2KSb/Cs3Sb фотокатода. С.А. Рожков, В.В. Бакин, В.С. Русецкий, Д.А. Кустов, В.А. Голяшов, А.Ю. Демин, Г.Э. Шайблер, О.Е. Терещенко DOI 10.34077/RCSP2023-152 | стр.152 |
| Гигантский микроволновой фотокондактанс кремниевого транзистора: моделирование и
эксперимент. О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, А.С. Ярошевич, З.Д. Квон, В.А. Антонов, В.П. Попов DOI 10.34077/RCSP2023-153 | стр.153 |
| Особенности СВЧ-фотокондактанса квантового точечного контакта в гетерострутурах GaAs/AlGaAs. А.С. Ярошевич, Н.С.Кузьмин, З.Д. Квон, В.А. Ткаченко, А.К. Бакаров, E.E. Родякина, А.В.Латышев DOI 10.34077/RCSP2023-154 | стр.154 |
| О возможности существенного влияния фотовозбужденного объемного заряда (ФОЗ) на
величину и направление фототока продольного фоторезистора (ПФР). В.А. Холоднов DOI 10.34077/RCSP2023-155 | стр.155 |
| Влияние избыточного цезия на эмиссионные свойства поверхности p-GaAs(Cs,O). В.С. Хорошилов, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович DOI 10.34077/RCSP2023-156 | стр.156 |
Тезисы докладов Международной конференции по актуальным проблемам физики и технологии полупроводниковых наноструктур, посвященной 60-летию образования Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Новосибирск, 22-23 апреля 2024 г. / ИФП СО РАН. 35 с.
В сборник вошли тезисы докладов, представленных на Международной конференции по актуальным проблемам физики и технологии полупроводниковых наноструктур, посвященной 60-летию образования Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, проходившей 22-23 апреля 2024 года в г. Новосибирске.
Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов синтеза полупроводниковых наноструктур и наногетероструктур, актуальных проблем физики наноструктур и перспективных устройств электроники и фотоники на их основе. Сборник может быть полезен специалистам в области физики полупроводников.
Тезисы издаются в авторской редакции.
© ИФП СО РАН, 2024
| Содержание | стр. 5 |
| Фотоэлектрические эффекты в квантовых низкоразмерных структурах. Ковалёв В.М. DOI 10.34077/ISP-60_7 | стр.7 |
| Физика и технология гетероструктур применительно к твердотельной и
вакуумной спинтронике и оптоэлектронике. Терещенко О.Е., Альперович В.Л., Шамирзаев Т.С., Голяшов В.А., Ищенко Д.В., Степина Н.П., Русецкий В. С., Кустов Д.А., Бакин В.В., Шайблер Г.Э., Рожков С.А.,Хорошилов В.С., Казанцев Д.М., Супрун С.П., Ахундов И.О., Федосенко Е.В., Закиров Е.Р., Микаева А.С., Соловова Н.Ю., Степанов С.А., Кырова Е.Д. DOI 10.34077/ISP-60_8 | стр.8 |
| Нанометровые слои и структуры в кремниевой электронике Попов В.П., Тарков М.С., Тысченко И.Е., Мяконьких A.В., Руденко K.В. DOI 10.34077/ISP-60_9 | стр.9 |
| Десять лет технологи наногетероэпитаксиальных структур HgCdTe. Рост,
квантовые эффекты и устройства. Якушев М.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Вишняков А.В., Дворецкий С.А., Зверев А.В., Макаров Ю.С., Марин Д.В., Марчишин И.В., Михайлов Н.Н., Ремесник В.Г., Рыхлицкий С.В., Сабинина И.В., Сидоров Г.Ю., Сидоров Ю.Г., Спесивцев Е.В., Швец В.А., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_10 | стр.10 |
| Синтез наногетероструктур на основе соединений материалов 4 группы методом
молекулярно-лучевой эпитаксии. Никифоров А.И., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Тимофеев В.А., Фрицлер К.Б. DOI 10.34077/ISP-60_11 | стр.11 |
| Лавинный фотодиод на основе гетероструктуры InP/InGaAs/InP для счетчика
фотонов в системах оптоволоконных квантовых коммуникаций. Чистохин И.Б., Путято М.А., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Аксенов М.С., Рябцев И.И., Преображенский В.В., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_12 | стр.12 |
| Разработка элементов сенсорных систем кремниевой электроники и фотоники. Наумова О.В. DOI 10.34077/ISP-60_13 | стр.13 |
| Новые квантовые эффекты в низкоразмерных электронных системах на основе HgTe. Квон З.Д., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.Д. DOI 10.34077/ISP-60_14 | стр.14 |
| Высокая чувствительность мезоскопических наносистем к микроволнам. Ткаченко В.А., Ярошевич А.С., Квон З.Д., Кузьмин Н.С., Ткаченко О.А., Бакшеев Д.Г., Марчишин И.В.,Бакаров А.К., Родякина Е.Е., Антонов В.А., Попов В.П., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_15 | стр.15 |
| Рост и характеризация nBn структур на основе Сdх Hg1-х Te для фотоприемников
среднего и дальнего ИК диапазонов Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Дзядух С.М., Меньшиков Р.В., Ремесник В.Г., Сидоров Г.Ю., Ужаков И.Н. DOI 10.34077/ISP-60_16 | стр.16 |
| Технологии формирования массивов наноструктур, основанные на методах
штамповой литографии и атомно-слоевого осаждения пленок оксидов ванадия. Селезнев В.А., Тумашев В.С., Волошин Б.В. DOI 10.34077/ISP-60_17 | стр.17 |
| Ближнепольная оптическая спектроскопия полупроводниковых наноструктур. Милёхин А.Г., Курусь Н.Н., Басалаева Л.С., Родякина Е.Е., Милёхин И.А., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_18 | стр.18 |
| Управление функциональными характеристиками компонент нанофотоники и
наноэлектроники на основе полупроводниковых наноструктур. Двуреченский А.В., Якимов А.И., Кириенко В.В., Зиновьева А.Ф., Смагина Ж.В., Зиновьев В.А., Кацюба А.В., Володин В.А., Камаев Г.Н., Погосов А.Г., Похабов Д.А., Жданов Е.Ю., Степина Н.П., Блошкин А.А. DOI 10.34077/ISP-60_19 | стр.19 |
| Атомно-силовая микроскопия в полупроводниковых нанотехнологиях:
диагностика, метрология и литография. Щеглов Д.В., Федина Л.И., Рогило Д.И., Родякина Е.Е., Ситников С.В., Гутаковский А.К., Сысоев Е.В., Ткаченко О.А., Ткаченко О.В., Уткин Д.Е., Шкляев А.А., Жачук Р.А., Астанкова К.Н., Насимов Д.А., Пономарев С.А., Петров А.С., Вдовин В.И., Наумова О.В., Семенова О.И., Есаев Д.Г., Родякин С.В., Демьяненко М.А., Латышев А.В. DOI 10.34077/ISP-60_20 | стр.20 |
| Применение высоковозбужденных ридберговских атомов в квантовых
вычислениях и квантовых сенсорах. Рябцев И.И., Бетеров И.И., Третьяков Д.Б., Якшина Е.А., Энтин В.М., Ашкарин И.Н. DOI 10.34077/ISP-60_21 | стр.21 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия приборных гетероструктур. Журавлев К.С., Торопов А.И., Бакаров А.К., Дмитриев Д.В., Гилинский А.М., Гуляев Д.В. DOI 10.34077/ISP-60_23 | стр.23 |
| Развитие технологий и приборов оптического, инфракрасного и миллиметрового
диапазона в Филиале ИФП СО РАН «КТИПМ». Чурилов С.М. DOI 10.34077/ISP-60_25 | стр.25 |
| Разработка основ технологии создания фотоприемных устройств на основе
полупроводников A3B5. Аксенов М.С., Журавлев К.С., Преображенский В.В., Чистохин И.Б., Гилинский А.М., Дмитриев Д.В., Путято М.А., Гензе И.Ю., Петрушков М.О., Емельянов Е.А., Закиров Е.Р., Суханов М.А. DOI 10.34077/ISP-60_27 | стр.27 |
| Аммиачная молекулярно-лучевая эпитаксия GaN гетероструктур на подложках
кремния для силовых и СВЧ транзисторов. Милахин Д.С., , Малин Т.В., Мансуров В.Г., Протасов Д.Ю., Осинных И.В.,Майдэбура Я.Е., Башкатов Д.Д. DOI 10.34077/ISP-60_28 | стр.28 |
| Синтез пленок золота на подложках кремния и кварца наносекундными
лазерными импульсами. Колосовский Д.А., Бекреева Д.В., Залялов Т.М., Пономарев С.А., Шухов Ю.Г., Морозов А.А., Старинский С.В. DOI 10.34077/ISP-60_30 | стр.30 |
| Влияние температуры подложки на процессы эпитаксиального роста Ge на Si (001). Дирко В.В., Кукенов О.И., Лозовой К.А., Коханенко А.П. DOI 10.34077/ISP-60_31 | стр.31 |
КВАНТОВЫЕ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ПОСТКРЕМНИЕВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ /Минобрнауки России; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. - Новосибирск, Параллель, 2023. – 224 с
ISBN 978-5-98901-273-2
Под редакцией академика А.В. Латышева
В настоящем издании представлены наиболее значимые научные результаты выполнения крупного научного проекта «Квантовые структуры для посткремниевой электроники» за 2020-2022 гг., поддержанного грантом Минобрнауки России по приоритетным направлениям научно-технологического развития РФ. Результаты отражают актуальные проблемы современной физики полупроводников для создания технологического и научного базиса электроники будущего.
Книга может быть полезна специалистам в области физики конденсированных сред, физики полупроводников и диэлектриков, физики и технологии низкоразмерных систем для опто- и наноэлектроники, твердотельной нанофотоники, наноплазмоники, сенсорики, квантовой электроники, спинтроники, лазерной и квантовой информатики.
Утверждено к печати Ученым советом ФГБУН Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
DOI 10.34077/ISP.2023-kvant
© ИФП СО РАН 2023
КВАНТОВЫЕ СТРУКТУРЫ ДЛЯ ПОСТКРЕМНИЕВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
| ГЛАВА 1. InSb/InAlSb nBn-ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ИК ФОТОПРИЕМНИКОВ. М.А. Суханов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлев Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.4 |
| ГЛАВА 2. ДЕТЕКТОРЫ ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ НА ОСНОВЕ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ InP/InGaAs/InP. В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, М.С. Аксенов, Е.А. Емельянов, М.О. Петрушков, А.С. Плешков, И.Г. Неизвестный, И.И. Рябцев, А.В. Латышев Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.15 |
| ГЛАВА 3. ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ТЕМПЕРАТУРЫ В ПРОЦЕССАХ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ
HgCdTe В.А. Швец1,2 , Д.В. Марин1, И.А. Азаров1, М.В. Якушев1, С.В. Рыхлицкий1 1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск 2Новосибирский государственный университет, Новосибирск | стр.26 |
| ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ МЕЖЗОННОЙ РЕЛАКСАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ HgCdTe/CdHgTe ДЛЯ ЛАЗЕРОВ СРЕДНЕГО И ДАЛЬНЕГО ИК ДИАПАЗОНОВ В.Я. Алешкин1, А.А. Афоненко2, В.И. Гавриленко1, А.А. Дубинов1, С.А. Дворецкий3, М.С. Жолудев1, К.Е. Кудрявцев1, Н.Н Михайлов3, С.В. Морозов1, В.Г. Ремесник3, А.О. Рудаков1, В.В. Румянцев1, В.В. Уточкин1, Д.В. Ушаков2, М.А. Фадеев1 1Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород, Россия 2Белорусский государственный университет, Минск, Беларусь 3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия | стр.39 |
| ГЛАВА 5. ОСОБЕННОСТИ КРАЕВОГО ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ТРАНСПОРТА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ НА ОСНОВЕ HgTe. Е.Б. Ольшанецкий, З.Д. Квон, Д.А. Козлов, А.С. Ярошевич, Н.Н.Михайлов Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.53 |
| ГЛАВА 6. ОСОБЕННОСТИ МАГНИТОТРАНСПОРТА В ДВОЙНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЕ HgTe/CdHgTe М.В. Якунин1, В.Я. Алешкин2, С.М. Подгорных1, В.Н. Неверов1, М.Р. Попов1, Н.Н. Михайлов3, С.А. Дворецкий3 1Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург 2Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород 3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.66 |
| ГЛАВА 7. ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЙ ОТКЛИК И СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ В ГИБРИДНЫХ СИСТЕМАХ С КОНДЕНСАТОМ БОЗЕ-ЭЙНШТЕЙНА D. Ko1,2, M. Sun3, A.V. Parafilo1,2, K. Villegas1,4, M.M. Махмудиан5,6, В.М. Ковалёв5,7, А.В. Чаплик5,6 и И.Г. Савенко1,2,5 1 Center for Theoretical Physics of Complex Systems, Institute for Basic Science, Daejon, Korea 2Basic Science Program, Korea University of Science and Technology, Daejon, Korea 3Faculty of Science, Beijing University of Technology, Beijing, China 4Division of Physics and Applied Physics, Nanyang Technological University, Singapore 5Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 6Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия 7Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия | стр.83 |
| ГЛАВА 8. СПИН-ЗАВИСИМЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ А3В5и А4В6 В.А. Голяшов, Д.В. Ищенко, В.С. Русецкий, А.С. Тарасов, А.Э. Климов, Н.П. Стёпина, С.П. Супрун, И.О. Ахундов, Е.В. Федосенко, Д.А. Кустов, А.О. Баженов, О.Е. Терещенко Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия | стр.96 |
| ГЛАВА 9. МАГНИТНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЕ НОВЫХ КВАНТОВЫХ МАТЕРИАЛОВ. А.М. Шикин, А.А. Рыбкина, Д.А. Естюнин, Д.А. Глазкова, А.В. Тарасов, Д.Ю. Усачёв, А.Г. Рыбкин Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург | стр.111 |
| ГЛАВА 10. РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ НОВОГО ПОКОЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ КВАНТОВОЙ ФОТОНИКИ И СЕНСОРИКИ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР СО СПИНОВЫМИ КВАНТОВЫМИ ЦЕНТРАМИ В АЛМАЗЕ. В.П. Попов, С.Н. Подлесный, И.А. Карташев, В.А. Антонов Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.129 |
| ГЛАВА 11. РАЗРАБОТКА ОСНОВ ТЕХНОЛОГИИ БАЗОВЫХ НАНОЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ СВЕРХ-БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ УСТРОЙСТВ НА
ОСНОВЕ VO2, ДИНАМИЧЕСКИ УПРАВЛЯЕМЫХ МЕТАМАТЕРИАЛОВ, КВАНТОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР И 2D-МАТЕРИАЛОВ В.Я. Принц, С.В. Мутилин, А.Е. Гайдук, А.Б. Воробьев, В.А. Селезнев, И.В. Антонова Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.153 |
| ГЛАВА 12. МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ НАНОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ GeSiSn. В.А. Тимофеев, И.В. Скворцов, В.И. Машанов, А.И. Никифоров, А.К. Гутаковский, Т.А. Гаврилова, Д.В. Гуляев Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск | стр.171 |
| ГЛАВА 13. УПОРЯДОЧЕННЫЕ СТРУКТУРЫ С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge/Si ДЛЯ УСТРОЙСТВ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ. А. Ф. Зиновьева1,2, В. А. Зиновьев1, В. А. Володин1,2, А. К. Гутаковский1, А. С. Дерябин1, А. Ю. Крупин3, А. В. Ненашев1,2, А. А. Шкляев1,2, Л. В. Кулик4, В. Д. Живулько5, А. В. Мудрый5, А. В. Двуреченский1,2 1 Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия 3Новосибирский технический государственный университет, Новосибирск, Россия 4Институт химической кинетики и горения СО РАН, Новосибирск, Россия 5ГО “НПЦ НАН Беларуси по материаловедению”, Минск, Республика Беларусь | стр.182 |
| ГЛАВА 14. ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ НАНОЧАСТИЦ И СТРУКТУР СУБВОЛНОВОГО РАЗМЕРА. В.А. Володин1,2, Б.С. Ездин1, С.А. Кузнецов1,3, А.А. Шкляев1,2 1Новосибирский государственный университет, Новосибирск 2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск 3Новосибирский филиал ИФП СО РАН ”КТИПМ”, Новосибирск | стр.192 |
| ГЛАВА 15. ПЛАЗМОН-УСИЛЕННАЯ ОПТИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОСТРУКТУР. А.Г. Милёхин1, И.А. Милёхин1,2, Н.Н. Курусь1, Б.М. Сайджонов3, Р.Б. Васильев3, А.Ю.Кривоногова1, A.В. Латышев1,2, D.R.T. Zahn4 1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия 2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия 3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 4Semiconductor Physics, Chemnitz University of Technology, Germany | стр.208 |
Подкатегории
Крупный проект 075-15-2020-797
Крупный проект 075-15-2020-797
Национальные проекты России
Национальные проекты России