ПУБЛИКАЦИИ
2012
Статьи, опубликованные в реферируемых журналах
- I.O. Akhundov, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Kinetics of atomic smoothing GaAs(001) surface in equilibrium conditions. Appl. Surf. Sci., 2012, DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.09.150.
- О.Е. Терещенко, А.Г. Паулиш, М.А. Неклюдова, Т.С. Шамирзаев, А.С. Ярошевич, И.П. Просвирин, И.Э. Жаксылыкова, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.Н. Варнаков, М.В. Рауцкий, Н.В. Волков, С.Г. Овчинников, А.В. Латышев, Формирование, границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов, Письма в ЖТФ, том 38, вып. 1, (2012).
- O.E. Tereshchenko, D. Paget, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, S.V. Eremeev, A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, B.P. Doyle, and S. Nannarone, Etching or Stabilization of GaAs(001) under Alkali and Halogen Adsorption. J. Phys. Chem. C 2012, v. 116, 8535-8540.
Работы, опубликованные в трудах конференций
- L.B. Jones, R.J. Cash, B.D. Fell, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, B.L. Militsyn, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. An experimental facility for measuring the electron energy distribution from photocathodes. Proceedings of the International Particle Accelerator Conference IPAC12, 20-25 May, New Orleans, USA, pp.1557-1559, 2012.
- А.Г. Журавлев, И.Л. Сербин, М.Л. Савченко, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, В.Л. Альперович, Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными субмонослойными цезиевыми покрытиями, Труды XIX Международной зимней школы по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 20-25 февраля 2012, стр. 225-226.
- I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, S.N. Kosolobov, A.V. Latyshev and A.S. Terekhov. Step-terraced morphology of GaAs(001) surface with straight monatomic steps induced by misfit dislocations. Proceedings 20th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, Nizhny Novgorod, pp.122-123, 2012.
- I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Characterization of GaAs(001) step-terraced morphology formation. Proceedings XIII International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM 2012, pp.9-12.
Доклады на конференциях
- L.B. Jones, R.J. Cash, B.D. Fell, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, B.L. Militsyn, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. An experimental facility for measuring the electron energy distribution from photocathodes. Proceedings of the International Particle Accelerator Conference IPAC12, 20-25 May, New Orleans, USA, pp.1557-1559, 2012 (стендовый доклад).
- K.V. Toropetsky, H.E. Scheibler and A.S. Terekhov The relative influence of work function and stoichiometry of GaAs(001) surface on Cs - promoted oxygen adsorption, Abstracts of Symposium on Surface Science 3s’12, St.Christoph/Arlberg, Austria, March 11-17, 2012 (стендовый доклад).
- А.Г. Журавлев, И.Л. Сербин, М.Л. Савченко, А.Г. Паулиш, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, В.Л. Альперович, Электронные свойства поверхности GaAs(001) с неравновесными субмонослойными цезиевыми покрытиями, Труды XIX Международной зимней школы по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 20-25 февраля 2012, стр. 225-226 (приглашенный доклад).
- I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, S.N. Kosolobov, A.V. Latyshev and A.S. Terekhov. Step-terraced morphology of GaAs(001) surface with straight monatomic steps induced by misfit dislocations. Proceedings 20th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, Nizhny Novgorod, June, 24-30, 2012, p. 122-123 (устный доклад).
- I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Characterization of GaAs(001) step-terraced morphology formation. Proceedings XIII International Conference and Seminar on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM, Erlagol-Altai, July 2-6, 2012, p. 9-12 (устный доклад).
- A.G. Zhuravlev, M.L. Savchenko, A.G. Paulish, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, V.L. Alperovich, Kinetics of Band Bending and Electron Affinity at GaAs(001) Surface with Nonequilibrium Cesium Overlayers, 31th Intern. Con. on Physics of Semiconductors, Zurich, Switzerland, 30 July – 3 August 2012, p.234-235 (стендовый доклад).
- I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov. Formation of step-terraced GaAs(001) surfaces by annealing in equilibrium conditions: comparison of experiment and Monte Carlo simulations. Abstracts of Asia-Pacific Academy of Materials topical seminar “Films and Structures of Innovative Applications”, Novosibirsk, August 28-30, 2012, p. 141-142 (стендовый доклад).
- I.O. Akhundov, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Atomic smoothing of GaAs surface in equilibrium conditions, Abstracts of Int. Conf. "Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science", SURFINT-SREN III, Florence, Italy, May 14-19, 2012, p.14-17 (приглашенный доклад).