Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках

ПУБЛИКАЦИИ



2001

  1. Alperovich V.L., Tereshchenko O.E., Litvinov A.N., Terekhov A.S. Evolution of interface excitations under phase transition in two-dimensional layer of Cs on GaAs(100) and (111). Appl. Surf. Sci., 2001, Vol. 175-176, pp 176-181.
  2. O.E. Tereshchenko, D.V. Daineka, D. Paget, Metallicity and disorder at the alkali-metal/GaAs(100) interface. Phys.Rev. B, 2001, V.64, p.085310.
  3. D.V. Daineka, O.E. Tereshchenko and D. Paget. Modulated photovoltage changes at the nonmetal-metal transition of the Na/GaAs(001) and K/GaAs(001) interfaces. Surface Science (488)1-2 (2001) p. 193-206.
  4. D.A.Orlov, M.Hoppe, U.Weigel, D.Schwalm, A.S.Terekhov, A.Wolf. Energy distributions of electrons emitted from GaAs(Cs,O). Appl. Phys. Lett. 2001, v. 78, No. 18, p. 2721.
  5. Бригинец В.А., Ярошевич А.С., Терехов А.С. Система автоматизированного проектирования ЭОП с параллельным переносом изображения на основе библиотеки параметризованных узлов. Оптико-электронные системы визуализации и обработки изображений. 2001, вып. 1, с. 139-150.
  6. Альперович В.Л., Болховитянов Ю.Б., Чикичев С.И., Паулиш А.Г., Терехов А.С., Ярошевич А.С. Эпитаксиальный рост, электронные свойства и фотокатодные применения напряженных псевдоморфных слоев InGaAsP/GaAs. ФТП 2001, т. 35, №9, с. 1102-1110.

Труды конференций

  1. T. Nishitani, O. Watanabe, T.Nakanishi, S. Okumi, K. Togawa, C. Suzuki, F. Furuta, K. Wada, M. Yamamoto, J. Watanabe, S. Kurahashi, M. Miyamoto, H. Kobayakawa, Y. Takeda, S. Saka, K. Kato, A.K. Bakarov, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A.I. Toropov, A.S. Terekhov. Development of spin polarized electron photocathodes: GaAs-GaAsP superlattice and GaAs-AlGaAs superlattice with DBR. Proc. 14th Int. Spin Physics Symposium (SPIN 2000), Osaka, Japan, 16-21 October 2000, ed. by K. Hatanaka et al., 2001 AIP Conference Proceedings, 570 (2001) p. 1021-1023.
  2. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A.S. Terekhov, A. Wolf. Longitudinal and transverse energy distributions of electrons emitted from GaAs(Cs,O). Proc. 14th International Spin Physics Symposium (SPIN 2000), Osaka, Japan, 16-21 October 2000, AIP Conference Proceedings, 570 (2001) p. 912-915.

Тезисы докладов

  1. В.Л. Альперович, В.С. Воронин, А.Г. Паулиш, Н.С. Рудая, О.Е. Терещенко, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер, М.В. Энтин. Эволюция одночастичных и коллективных электронных возбуждений при фазовом переходе в двумерных слоях цезия на поверхности GaAs. Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, 10-14 сентября 2001 г., с. 274.
  2. А.С. Терехов, А.С. Ярошевич, А.Г. Паулиш, G. Lampel, Y. Lassailly, J. Peretti, T. Wirth. Инжекция предельно медленных спин-поляризованных электронов в p–GaAs(Cs,O). Тезисы докладов V Российской конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, 10-14 сентября 2001 г., с. 113.
  3. O.E. Tereshchenko, A.S. Terekhov, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, R. Belkhou, A. Taleb-Ibrahimi. Local structure of chemically prepared well-ordered GaAs(100) surfaces. Abstracts of the 20th European Conf. on Surf. Science (ECOSS 20), Krakow, Poland, September 4-7, 2001, p. 72.
  4. O.E. Tereshchenko, V.S. Voronin, H.E. Scheibler, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov. Structural and electronic transformations at the Cs/GaAs(100) interface. Abstracts of the 20th European Conf. on Surf. Science (ECOSS 20), Krakow, Poland, September 4-7, 2001, p. 128.
  5. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A.S. Terekhov, A. Wolf. Cold electrons from GaAs(Cs,O). 9th International Workshop on Polarized Sources and Targets, Nashville, USA, Sep. 30-Oct. 4, 2001, Book of Abstarcts (2001).
  6. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A. Wolf, A.S. Jaroshevich, A.S. Terekhov. Cold electrons from cryogenic GaAs photocathodes: Energetic and angular distributions. 3rd Euroconference on Atomic Physics at accelerators, Aarhus, Denmark, 8-13 September 2001, Book of Abstarcts (2001), Poster No.7.
  7. F. Sprenger, G. Wissler, B. Lange, M. Hoppe, U.Weigel, D.A. Orlov, D. Schwalm, A. Wolf, A.S. Terekhov, A.S. Jaroshevich. The high-resolution electron-ion collision facility at the TSR. 3rd Euroconference on Atomic Physics at accelerators, Aarhus, Denmark, 8-13 September 2001; Book of Abstarcts (2001), Poster No.4.
  8. U. Weigel, D.A. Orlov, M. Hoppe, A.S. Terekhov, A. Wolf, D. Schwalm. Cold electrons from cryogenic GaAs photocathodes: energetic and angular distributions. The Seventh European Conference on Atomic and Molecular Physics, Berlin, 2-6 April 2001. Europhysics Conference abstracts, v.25B (2001), p.69.
  9. В.В. Бакин, В.С. Воронин, А.А. Пахневич, В.Э. Андреев, В.Л. Альперович, С.Н. Косолобов, Н.С. Рудая, А.С. Ярошевич, Г.Э. Шайблер, О.Е. Терещенко, А.С. Терехов. Разработка GaAs фотокатода с предельными характеристиками для фотоэлектронных телевизионных приборов. Тезисы докладов XII-ой научно-технической конференции "Пути развития телевизионных фотоэлектронных приборов и устройств на их основе", Санкт-Петербург, 27-29 июня 2001 г.