ПУБЛИКАЦИИ



2010

Работы, опубликованные в реферируемых журналах

  1. A.G. Zhuravlev, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich and V.L. Alperovich. Spectroscopy of systems with time variable parameters: photoreflectance of GaAs(001) under cesium adsorption. J. Phys.: Condens. Matter 2010, v.22, 185801 (5pp).
  2. А.Г. Журавлев, К.В. Торопецкий, П.А. Половодов, В.Л. Альперович, Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs(001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия. Письма в ЖЭТФ, 2010, т. 92, вып. 5, с. 351-356.
  3. B.L. Militsyn, I. Burrows, R.J. Cash, B.D. Fell, L.B. Jones, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. High voltage DC photoinjector development at Daresbury Laboratory. ICFA Beam Dyn. Newslett. 2010, v.51, p.161-170.

Работы, опубликованные в трудах конференций

  1. I.O. Akhundov, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov. Step-terraced morphology formation on patterned GaAs(001) substrates. Proceedings 18th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, 2010, p. 327-328.
  2. B. Militsyn, B. Fell, L. Jones, J. McKenzie, K. Middleman, I. Burrows, R. Cash , H. Scheibler, A. Terekhov, First Results from III-V Photocathode Preparation Facility for the ALICE ERL Photoinjector. In the Proceedings of 1st International Particle Accelerator Conference: IPAC'10, Kyoto, Japan, 23-28 May 2010, pp TUPE095.

Доклады на конференциях

  1. А.Г. Журавлев, И.О. Ахундов, К.В. Торопецкий, О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, В.Л. Альперович. Электронные состояния на реконструированных поверхностях полупроводников А3В5 с адсорбатами. XVIII Международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 15-19 февраля 2010 (приглашенный доклад).
  2. А.Г. Журавлев, П.А. Половодов, К.В. Торопецкий, В.Л. Альперович, Атомные реконструкции и электронные состояния поверхности GaAs с адсорбированными слоями сурьмы и цезия, Тезисы докладов XIV симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2010, с. 315-316 (устный доклад).
  3. I.O. Akhundov, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov. Step-terraced morphology formation on patterned GaAs(001) substrates. 18th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June, 21-25, 2010, p. 327-328 (стендовый доклад).
  4. В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, С.В. Иванов, Планарный вакуумно–полупроводниковый фотоприёмник с полупрозрачным фотокатодом p-GaN(Cs,O)/AlN/с-Al2O3, Тезисы докладов 7-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия индия и алюминия – структуры и приборы, Москва, 1-3 февраля 2010, с. 127 (устный доклад).
  5. K. Middleman, I. Burrows, R.J. Cash, B.D. Fell, L.B. Jones, J.W. McKenzie, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov, B.L. Militsyn, Photocathode Preparation System and Photoinjector Upgrade for the ALICE Facility Workshop on Sources of Polarized Leptons and High Brightness Electron Beams PESP2010, Bonn, September, 21-24, 2010 (устный доклад).
  6. B.L. Militsyn, I. Burrows, R.J. Cash, N. Chanlek, B.D. Fell, L.B. Jones, S.N. Kosolobov, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov, Development of high brightness high repetition rate photoelectron injectors at STFC Daresbury Laboratory, Workshop on Sources of Polarized Leptons and High Brightness Electron Beams PESP2010, Bonn, September, 21-24, 2010 (устный доклад).
  7. B. Militsyn, B. Fell, L. Jones, J. McKenzie, K. Middleman, I. Burrows, R. Cash , H. Scheibler, A. Terekhov, First Results from III-V Photocathode Preparation Facility for the ALICE ERL Photoinjector. In the Proceedings of 1st International Particle Accelerator Conference: IPAC'10, Kyoto, Japan, 23-28 May 2010 (стендовый доклад).