ПУБЛИКАЦИИ
2010
Работы, опубликованные в реферируемых журналах
- A.G. Zhuravlev, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich and V.L. Alperovich. Spectroscopy of systems with time variable parameters: photoreflectance of GaAs(001) under cesium adsorption. J. Phys.: Condens. Matter 2010, v.22, 185801 (5pp).
- А.Г. Журавлев, К.В. Торопецкий, П.А. Половодов, В.Л. Альперович, Атомные реконструкции и электронные состояния на поверхности GaAs(001) с адсорбированными слоями сурьмы и цезия. Письма в ЖЭТФ, 2010, т. 92, вып. 5, с. 351-356.
- B.L. Militsyn, I. Burrows, R.J. Cash, B.D. Fell, L.B. Jones, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. High voltage DC photoinjector development at Daresbury Laboratory. ICFA Beam Dyn. Newslett. 2010, v.51, p.161-170.
Работы, опубликованные в трудах конференций
- I.O. Akhundov, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov. Step-terraced morphology formation on patterned GaAs(001) substrates. Proceedings 18th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, 2010, p. 327-328.
- B. Militsyn, B. Fell, L. Jones, J. McKenzie, K. Middleman, I. Burrows, R. Cash , H. Scheibler, A. Terekhov, First Results from III-V Photocathode Preparation Facility for the ALICE ERL Photoinjector. In the Proceedings of 1st International Particle Accelerator Conference: IPAC'10, Kyoto, Japan, 23-28 May 2010, pp TUPE095.
Доклады на конференциях
- А.Г. Журавлев, И.О. Ахундов, К.В. Торопецкий, О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, В.Л. Альперович. Электронные состояния на реконструированных поверхностях полупроводников А3В5 с адсорбатами. XVIII Международная зимняя школа по физике полупроводников, Екатеринбург-Новоуральск, 15-19 февраля 2010 (приглашенный доклад).
- А.Г. Журавлев, П.А. Половодов, К.В. Торопецкий, В.Л. Альперович, Атомные реконструкции и электронные состояния поверхности GaAs с адсорбированными слоями сурьмы и цезия, Тезисы докладов XIV симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2010, с. 315-316 (устный доклад).
- I.O. Akhundov, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, N.S. Rudaya, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov. Step-terraced morphology formation on patterned GaAs(001) substrates. 18th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June, 21-25, 2010, p. 327-328 (стендовый доклад).
- В.В. Бакин, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, С.В. Иванов, Планарный вакуумно–полупроводниковый фотоприёмник с полупрозрачным фотокатодом p-GaN(Cs,O)/AlN/с-Al2O3, Тезисы докладов 7-ой Всероссийской конференции «Нитриды галлия индия и алюминия – структуры и приборы, Москва, 1-3 февраля 2010, с. 127 (устный доклад).
- K. Middleman, I. Burrows, R.J. Cash, B.D. Fell, L.B. Jones, J.W. McKenzie, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov, B.L. Militsyn, Photocathode Preparation System and Photoinjector Upgrade for the ALICE Facility Workshop on Sources of Polarized Leptons and High Brightness Electron Beams PESP2010, Bonn, September, 21-24, 2010 (устный доклад).
- B.L. Militsyn, I. Burrows, R.J. Cash, N. Chanlek, B.D. Fell, L.B. Jones, S.N. Kosolobov, J.W. McKenzie, K.J. Middleman, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov, Development of high brightness high repetition rate photoelectron injectors at STFC Daresbury Laboratory, Workshop on Sources of Polarized Leptons and High Brightness Electron Beams PESP2010, Bonn, September, 21-24, 2010 (устный доклад).
- B. Militsyn, B. Fell, L. Jones, J. McKenzie, K. Middleman, I. Burrows, R. Cash , H. Scheibler, A. Terekhov, First Results from III-V Photocathode Preparation Facility for the ALICE ERL Photoinjector. In the Proceedings of 1st International Particle Accelerator Conference: IPAC'10, Kyoto, Japan, 23-28 May 2010 (стендовый доклад).