Лаборатория неравновесных процессов в полупроводниках

ПУБЛИКАЦИИ



2002

Опубликованные статьи

  1. O.E. Tereshchenko, A.S. Terekhov, D. Paget, P. Chiaradia, J.E. Bonnet, R. Belkhou, A. Taleb-Ibrahimi, - Local structure of chemically prepared well-ordered GaAs(100) surface. Surf. Sci. 507-510, (2002) 411-416.
  2. O.E. Tereshchenko, V.S. Voronin, H.E. Scheibler, V.L. Alperovich, and A.S. Terekhov, Structural and electronic transformation at Cs/GaAs(100) interface, Surf. Sci. 507-510, (2002) 51-56.

Доклады на конференциях, опубликованные в сборниках трудов конференций

  1. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Hoppe, D. Schwalm, A.S. Terekhov, A. Wolf. Cold electrons emitted from GaAs(Cs,O). Proc. of Ninth International Workshop Polarized Sources and Targets (PST 2001), Nashville, Indiana, USA, 30 September-4 October 2001, World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd, New Jersey), 2002, p. 151-155.

Тезисы докладов

  1. В.Л. Альперович, В.С. Воронин, А.Г. Паулиш, Н.С. Рудая, О.Е. Терещенко, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер, М.В. Энтин. Электронные состояния поверхности полупроводников А3В5 с адсорбированными слоями цезия. Материалы восьмой Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск, 1-4 октября 2002 г., с. 152-153.
  2. О.Е. Терещенко, В.Л. Альперович, Н.С. Рудая, А.В. Латышев, А.С. Терехов. Химически приготовленная атомно-гладкая поверхность GaAs(100): морфология, реконструкции и электронные свойства. Материалы восьмой Российской конференции "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск, 1-4 октября 2002 г., с. 194-195.
  3. С.Н. Косолобов, А.А. Кравченко, А.Г. Паулиш, С.В. Шевелев, В.В. Хатункин, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, С.А. Бабин, С.И. Каблуков, М.А. Рыбаков, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк, П.В. Булаев, Д.Б.Никитин. Электронно-оптический преобразователь 4-го поколения с GaAs-фотокатодом и малошумящим полупроводниковым прострельным динодом. Тезисы докладов XVII Международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 27-31 мая 2002 г., с. 69.
  4. А.С. Ярошевич, В.Э. Андреев, А.А Кравченко, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов, А.С. Хохорин, Е.В. Дегтярев. Автоматизированная система измерения параметров электронно-оптических преобразователей. Тезисы докладов XVII Международной конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 27-31 мая 2002 г., с. 72.
  5. V.V. Bakin, A.A. Pakhnevich, A.S. Jaroshevich, H.E. Scheibler, A.S. Terekhov. Subthermal transverse energy of photoelectrons emitted from GaAs-(Cs,O) NEA photocathode at 77K. Book of abstracts of Workshop on Polarized Electron Sources and Polarimeters (PESP 2002), Danvers, MA, USA, 4-6 September 2002, p. 15.