ПУБЛИКАЦИИ
2004
Статьи, опубликованные и направленные в печать
- V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov, Surface passivation and morphology of GaAs(100) treated in HCl-isopropyl alcohol solution. Appl. Surf. Sci. 2004, v. 235, pp. 249-259.
- О.Е. Терещенко, В.Л. Альперович, А.С. Терехов, Уменьшение энергии связи атомов мышьяка на поверхности GaAs(100)-(2x4)/c(2x8) под влиянием адсорбированного цезия. Письма ЖЭТФ, 2004, т. 79, вып. 3, с. 163-167.
- А.А. Пахневич, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, С.В. Шевелёв, О.Е. Терещенко, А.С. Ярошевич, А.С. Терехов, Энергетическое распределение фотоэлектронов, эмитированных из p-GaN(Cs,O) с отрицательным электронным сродством. Письма в ЖЭТФ, 2004, т.79, вып. 10, с. 592-596.
- О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, А.С. Ярошевич, С.В. Шевелев, А.С. Терехов, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, А.И. Бесюлькин, Низкотемпературная методика очистки поверхности GaN(0001) для фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством. ФТТ, 2004, т.46, с. 1881.
- D.A.Orlov, U. Weigel, D.Schwalm, A.S.Terekhov, A.Wolf, Ultra-cold electron source with a GaAs-photocathode, Nuclear Instrum. and Methods A, 2004, v. 532, p. 418-421.
- C. Hogan, D. Paget, O.E. Tereshchenko, L. Reining, and G. Onida, Early stages of cesium adsorption on the As-rich c(2x8) reconstruction of GaAs(001): II. Cs-induced optical anisotropy. Phys. Rev. B 2004, v. 69, p. 125332.
- V.L. Berkovits, D. Paget, A.V. Subashiev, O.E. Tereshchenko, Bulk-like behavior of the optical anisotropy of cation-rich (001) surfaces of Ga1-xInxAs alloys. Phys. Rev. B, 2004, v. 69, p. 033305.
- O.E. Tereshchenko, E. Placidi, D. Paget, P. Chiaradia, and A. Balzarotti, Well-ordered (100) InAs surfaces using wet chemical treatments, Surf. Sci. 2004, v. 510, p. 237.
- V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.S. Jaroshevich, G. Lampel, Y. Lassailly, J. Peretti, N. Rougemaille, T. Wirth. Polarized cathodoluminescence induced by low energy spin-polarized electrons injected in p-GaAs(Cs,O). Nuclear Instrum. and Methods A, 2005, v. 536, no. 3, pp. 302-307.
- U. Weigel, D.A. Orlov, S.N. Kosolobov, D. Schwalm, A.S. Terekhov, A. Wolf, Cold intense electron beams from LN2-cooled GaAs-photocathodes, Nuclear Instrum. and Methods A, 2005, v. 536, p. 323-328.
- D.A. Orlov, F. Sprenger, M. Lestinsky, U. Weigel, A.S. Terekhov, D. Schwalm, A. Wolf, Photocathodes as electron sources for high resolution merged beam experiments, Journal of Physics: Conference Series, 2005, v. 4, p. 290-295.
- 12. A.A. Pakhnevich, A.V. Yazkov, V.V. Bakin, O.E. Tereshchenko, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.N. Kosolobov, A.S. Terekhov, Quality characterization of NEA-photocathode for PES by means of photoemission from defect states, Proc. Polarized Electron Sources and Polarimeters, Germany, Mainz, to be published (2005).
- 13. D.A. Orlov, U. Weigel, M. Lestinsky, F. Sprenger, A.S. Terekhov, D. Schwalm, A. Wolf, Performance of the cold photocathode gun at the electron target of the Heidelberg TSR, Proc. Polarized Electron Sources and Polarimeters, Germany, Mainz, to be published (2005) 3&4.
- O. E. Tereshchenko, V. L. Alperovich, A.G. Zhuravlev, A. S. Terekhov, D. Paget, Cesium-induced surface conversion: from As-rich to Ga-rich GaAs(001) at reduced temperatures, accepted for publication in Phys. Rev. B, 2005.
Тезисы и труды конференций
- V.L. Alperovich, O.E. Tereshchenko, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.S. Terekhov. Atomically flat GaAs(001) surfaces with regular arrays of monatomic steps for nanotechnology. Proceedings 12th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St Petersburg, Russia, 21-25 June, 2004, p. 203-204.
- A.A. Pakhnevich, A.V. Yazkov, V.V. Bakin, O.E. Tereshchenko, H.E. Scheibler, A.S. Jaroshevich, S.N. Kosolobov, A.S. Terekhov, Quality characterization of NEA-photocathodes for PES by means of photoemission from defect states. Workshop on Polarized Electron Sources and Polarimeters - PESP-2004, Mainz, Germany, 7-9 October 2004 (приглашенный доклад).
- В.Л. Альперович, Плазмоны в двумерных слоях щелочных металлов на поверхности полупроводников. Тез. докл. XV Уральской международной зимней школы по физике полупроводников, с. 50. Екатеринбург-Кыштым, 16-21 февраля 2004 (приглашенный доклад).