ПУБЛИКАЦИИ
2009
Работы, опубликованные в реферируемых журналах
- V.L.Alperovich, I.O.Akhundov, N.S.Rudaya, D.V.Sheglov, E.E.Rodyakina, A.V.Latyshev, A.S.Terekhov. Step-terraced morphology of GaAs(001) substrates prepared at quasi-equilibrium conditions. Appl. Phys. Lett. 2009, v.94, p.101908 (3).
- D.A.Orlov, C.Krantz, A.Wolf, A.S.Jaroshevich, S.N.Kosolobov, H.E.Scheibler, A.S. Terekhov. Long term operation of high quantum efficiency GaAs (Сs,O) photocathodes using multiple recleaning by atomic hydrogen. J.Appl.Phys. 2009, v.106, p.054907(7).
- О.Е.Терещенко, К.В.Торопецкий, С.В.Еремеев, С.Е.Кулькова. Новые Ga-обогащенные реконструкции на поверхности GaAs(001). Письма ЖЭТФ 2009, т.89 вып.4, стр.209-214.
- L.B. Jones, S.A. Rozhkov, V.V. Bakin, S.N. Kosolobov, B.L. Militsyn, H.E. Scheibler, S.L. Smith, A.S.Terekhov. Cooled Transmission-Mode NEA-Photocathode with a Band-Graded Active Layer for High Brightness Electron Source. SPIN PHYSICS: 18th International Spin Physics Symposium. AIP Conference Proceedings, 2009, v. 1149, pp. 1057-1061.
- V.L.Alperovich, D.A.Orlov, V.G.Grishaev, S.N.Kosolobov, A.S.Jaroshevich H.E.Scheibler, A.S.Terekhov. Compact vacuum tubes with GaAs(Cs,O) photocathodes for studying spin-dependent phenomena. Proceedings of SPIE Vol. 7398, 739818 (2009).
Работы, опубликованные в трудах конференций
- A.G. Zhuravlev, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, Transformation of atomic structure and electronic properties at Sb/GaAs(001) and Cs/Sb/GaAs(001) interfaces, 17th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Minsk, June 22-26, 2009.
Доклады на конференциях
- V.L.Alperovich, D.A.Orlov, V.G.Grishaev, S.N.Kosolobov, A.S.Jaroshevich H.E.Scheibler, A.S. Terekhov. Compact vacuum tubes with GaAs(Cs,O) photocathodes for studying spin-dependent phenomena, Spintronics II, SPIE Symp. "Optics+Photonics", San-Diego, USA, August 2-6, 2009, (приглашенный доклад).
- А.Г.Журавлев, К.В.Торопецкий, О.Е.Терещенко, В.Л.Альперович. Атомные реконструкции и электронные свойства атомарно-гладкой поверхности GaAs с адсорбатами. Тезисы докладов IX Российской Конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (приглашенный доклад).
- А.С. Терехов. Заряженные цезий-индуцированные состояния на Ga - стабилизированной поверхности GaAs (001) [4x2] формируются цезиевыми кластерами. Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (устный доклад).
- О.Е.Терещенко, К.В.Торопецкий, С.В.Еремеев, С.Е.Кулькова. Новые Ga-обогащённые реконструкции на поверхности GaAs(001). Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (стендовый доклад).
- Г.Э. Шайблер, В.В. Бакин, А.С. Ярошевич, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, А.Ю. Андреев, К.Ю. Телегин, А.А. Падалица, А.А. Мармалюк. «Фотонный перенос» даёт значительный вклад в диффузию неравновесных электронов в p-GaAs. Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (стендовый доклад).
- В.Г. Гришаев, С.Н. Косолобов, Г.Э. Шайблер, А.С. Терехов. Эмиссия с поверхностных состояний ограничивает предельно-достижимую степень спиновой поляризации электронов, эмитированных из p+-GaAs(Cs,O). Тезисы докладов IX Российской конференции по физике полупроводников, Новосибирск, 28 сентября – 3 октября 2009. (стендовый доклад).
- A.G. Zhuravlev, K.V. Toropetsky, V.L. Alperovich, Transformation of atomic structure and electronic properties at Sb/GaAs(001) and Cs/Sb/GaAs(001) interfaces, 17th Int. Symp. Nanostructure: Physics and Technology, Minsk, June 22-26, 2009. (стендовый доклад).