Гранты, договоры, контракты



Гранты, договоры, контракты, 2020 год

    Международные гранты РФФИ и РНФ

  1. РФФИ 18-52-00014 Бел_а «Светоизлучающие структуры на основе SiGe квантовых точек, формируемых при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков», руководитель чл.-к., д.ф.-м.н. Двуреченский А.В. (ИФП СО РАН, Россия – ГНПО «Научно-практический центр НАНБ, Беларусь).
  2. РФФИ 18-52-00008 Бел_а «Графеноподобные GaN/AlN наноструктуры», руководитель д.ф.-м.н. Журавлев К. С. (ИФП СО РАН, Россия – Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ, Беларусь).
  3. РФФИ 17-52-14007 АНФ_а «Терагерцовая магнитооптика дираковских фермионов в структурах на основе HgTe и CdHgTe», руководитель д.ф.-м.н. Квон З. Д. (ИФП СО РАН, Россия – Венский технический университет, Австрия).
  4. РФФИ 18-57-80006 БРИКС_т «Электронные синапсы на основе двумерных материалов для нейроморфных вычислений», руководитель Гриценко В.А. (ИФП СО РАН, Россия - Университет Сучжоу, Китай - Федеральный университет РиуГранди- ду-Сул, Бразилия - Индийский научный институт, Индия).
  5. РФФИ 19-52-12001 ННИО_а «Динамика экситонов и носителей заряда в непрямозонных полупроводниковых наноструктурах первого рода», руководитель Шамирзаев Т. С. (ИФП СО РАН, Россия - Университет Дортмунда, Германия).
  6. РФФИ 19-52-12041 ННИО_а «Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами с нанометровым пространственным разрешением», руководитель Милёхин А. Г. (ИФП СО РАН, Россия - Университет технологии Кемница, Германия).
  7. РФФИ 19-52-15010 НЦНИ_а «Электрически управляемые многочастичные взаимодействия в мезоскопических ансамблях холодных ридберговских атомов для применения в квантовой информатике», руководитель Рябцев И. И. (ИФП СО РАН, Россия - Университет Париж-Сюд, Франция).
  8. РФФИ 20-52-00016 Бел_а «Разработка физических подходов к получению светоизлучающих структур на основе двумерных слоев Si и Ge, встроенных в диэлектрическую матрицу», руководитель Зиновьев В. А. (ИФП СО РАН, Россия – Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению», Беларусь).
  9. РФФИ 20-57-12003 ННИО_а «Повышение надёжности сегнетоэлектрических материалов на основе оксида гафния», руководитель Исламов Д. Р. (ИФП СО РАН, Россия - Namlab, Германия).
  10. РНФ 19-42-02003 «Сложные Cu-содержащие полупроводники и слоистые структуры для технологичных, экологичных и высоко эффективных ультратонких солнечных элементов», руководитель Атучин В.В. (ИФП СО РАН, Россия - Индийский институт технологии Индаур, Индия).
  11. РНФ 18-49-08001 «Исследование и разработка многоуровневых мемристоров на основе SiO и SiN для нейроморфных устройств и флэш памяти терабитного x x масштаба», руководитель Володин В.А. (ИФП СО РАН, Россия - Национальный Чиао Тун Университет, Синьчжу, Тайвань).

    12. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  12. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2021 гг. (А.Г. Милехин).
  13. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2024 гг. (Т.С. Шамирзаев).
  14. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2012-2021 гг. (Квон Зе Дон).
  15. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2021 гг. (Квон Зе Дон). Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2023 гг. (А.В. Ненашев).
  16. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) «Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения» (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАНУ, Украина), 2016-2020 гг. (Квон Зе Дон, С.А. Дворецкий).
  17. Национальный институт ядерной физики - Национальная лаборатория (Гран Сассо Istituto Nazionale di Fisica Nucleare – Laboratori Nazionali del Gran Sasso) (Л'Акуила, Италия), «Исследование болометрических свойств слоёв КРТ на подложках кремния при температурах ниже, чем 10mK», 2017- 2020 гг. (М.В. Якушев).
  18. Технический университет (Бари, Италия) «Исследования в области интегральной оптики и фотонных сенсоров», 2017-2022 гг. (А.В. Царёв).
  19. Университет де Лоррейн (Нанси, Франция) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 2017 -2020 гг. (В.А. Володин).
  20. Институт физики Академии наук ЧР (Прага, Чешская Республика) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 2018–2023 гг. (В.А. Володин).
  21. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники», 2019-2024 гг. (О.И. Семёнова).

    22. Партнерские Соглашения

  22. Соглашение о сотрудничестве с компанией «Daresbury Laboratory CCLRC» (Вэррингтон, Великобритания) «Разработка высоэффективных фотокатодных материалов и методик характеризации фотокатодов», 2017-2020 гг. (А.С. Терехов).
  23. Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов с Университетом Нагоя (Япония, г. Нагоя), 2016-2021 гг. (А.В. Латышев).
  24. Соглашение о научном сотрудничестве с Институтом ядерной физики Общества Макса Планка «Исследование полупроводниковых фотокатодов для генерации ультрахолодных электронов и их применения для экспериментального моделирования фундаментальных атомных процессов внутри звездных ассоциаций во Вселенной» (Гейдельберг, Германия), 2019-2022 гг. (А.С. Терехов).