Гранты, договоры, контракты



Гранты, договоры, контракты, 2018 год

    Совместные гранты РФФИ

  1. Грант РФФИ 18-52-16007 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Лаборатория сильных магнитных полей НЦНИ), «Структурный и зарядовый беспорядок в системе двумерных дираковских фермионов на основе теллурида ртути»,2018-2018гг. (Россия – к.ф-м.н.Н.Н.Михайлов; Франция – Dr. Milan Orlita ).
  2. Грант РФФИ 18-52-16008 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Университет Монпелье), «Исследования топологических фазовых переходов в одиночных и двойных квантовых ямах HgTe/CdHgTe». 2018-2018гг (Россия – к.ф-м.н.С.А.Дворецкий; Франция - prof. Woiciech Knap).
  3. Грант РФФИ 18-52-00014 Бел_а (Россия –Беларусь, Институт физики им. Б.И.Степанова НАНБ ), « Светоизлучающие структуры на основе SiGe квантовых точек, формируемых при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков» 2018-2019гг.(Россия - член-корр.РАН В.Двуреченский, к.ф-м.н. В.А.Зиновьев; Беларусь – к.ф-м.н. А.В.Мудрый).
  4. Грант РФФИ 16-52-48010 ИНД_оми 2017 (Россия–Индия, Индийский институт технологии, Индаур), «Микроструктурные и электронные параметры гетероструктурных тонкопленочных солнечных батарей на основе материалов типа Cu2ZnSn(S,Se)4 и Cu2(Sn,Ge)S3,полученных методом ионного распыления», 2016-2018гг.. (Россия – к.ф-м.н.А.В.Атучин; Индия – Dr.Shaibal Mukherjee).
  5. Грант РФФИ 17-52-53031 ГФЕН_а (Россия – Китай, Технический Институт физики и химии Академии наук Китая (TIPCCAS), Пекин ) «Отрицательная сжимаемость, электронные и оптические свойства новых сложных оксидных кристаллов», 2017 – 2018гг. (Россия – к.ф-м.н. А.В.Атучин; Китай – prof. Zheshuai Lin).
  6. Грант РФФИ 17-52-14007 АНФ_а (Россия –Австрия, Венский технический университет) «Терагерцовая магнитооптика дираковских фермионов в структурах на основе HgTe и CdHgTe», 2017-2019г.г.. (Россия – д.ф-м.н.Квон-Зе Дон; Австрия – Dr. Alexey Shuvaev).
  7. Грант РФФИ 17-52-04023 Бел_мол_а (Россия-Беларусь, ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная физика») «Атомная и энергетическая структура гетерограниц и интерфейсных дефектов в низкоразмерных структурах на основе нитридов металлов третьей группы», 2017 – 2018гг (Россия - Александров И.А; Беларусь – к.ф-м.н. Е.В.Лебедок).
  8. Грант РФФИ 16-52-12023 ННИО_а (Россия – Германия, Технический Университет, Институт физики твёрдого тела) «Эффективные источники запутанных фотонных пар на основе детерминированных квантовых точек и микролинз», 2016 –2018гг. (Россия – д.ф-м.н.Гайслер В.А; Германия – prof. Stephan E. Reitzenstein).
  9. Соглашение РНФ 18-49-08001 RSF-MOST: Исследование и разработка многоуровневых мемристоров на основе SiOx и SiNx для нейроморфных устройств и флэш памяти терабитного масштаба. (Россия – Тайвань, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Национальный Чиао Тун Университет, Синьчжу,, Тайвань), 2018 -2020гг.( Россия – д.ф-м.н. В.А.Володин, д.ф-м.н.В.А.Гриценко; Тайвань –Prof.Chin Albert).
  10. Грант РФФИ 18-52-41006 Узб_т (Россия – Узбекистан, Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз) «Формирование слоев на основе Ge, Si, Sn под воздействием частично ионизированного потока кремния для солнечной энергетики», 2018-2019гг. (Россия – д.ф-м.н. А.И.Никифоров: Узбекистан – д.т.н. Х.Б.Ашуров).
  11. Грант РФФИ 18-57-80006 БРИКС_т (Россия, Китай(Университет Сучжоу), Бразилия(Федеральный университет Риу-Гранди-ду-Сул), Индия (Индийский научный институт), «Электронные синапсы на основе двумерных материалов для нейроморфных вычислений», 2018-2021гг.(Россия – д.ф-м.н.Гриценко В.А.; Китай – prof. Mario Lanza, Бразилия – prof. Gilson I.Wirth, Индия – prof. Santanu Mahapatra).
  12. Грант РФФИ 18-52-00008 Бел_а (Россия, Беларусь, Институт физики им. Б.И.Степанова НАНБ) «Графеноподобные GaN/AlN наноструктуры». 2018-2019гг.(Россия - д.ф-м.н.Журавлёв К.С; Беларусь – к.ф-м.н. Н.В.Ржеуцкий.)

    13. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  13. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 03.04.2006- 01.04.2021гг. (Россия – д.ф-м.н. А.Г.Милехин; Германия – prof. Dr. Dr. h.c. Dietrich R.T.Zahn).
  14. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 08.09.2009 – 31.12.2019гг. (Россия- д.ф-м.н.Т.С.Шамирзаев; Германия- prof. Dr. M.Bayer).
  15. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 31.12.2012- 31.12.2018гг. (Россия – д.ф-м.н.Квон Зе Дон; Германия – prof. S.D.Ganichev)
  16. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 01.12.2016 -01.12.2019гг. ( Россия – к.ф-м.н.Р.А.Жачук; Португалия – Dr. Jose Pedro de Abreu Coutinho).
  17. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 01.01.2008 – 31.12.2018гг. (Россия –д.ф-м.н.Квон Зе Дон; Бразилия – prof. G.V.Gusev).
  18. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники» , 20.11.2015 – 20.11.2020гг. (Россия – к.ф-м.н.О.И.Семёнова; Китай – prof. Yude Yu).
  19. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 01.10.2012-01.10.2018гг.(Россия – к.ф-м.н. А.В.Ненашев; Германия – Prof. Dr.Sergei Baranovski).
  20. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) "Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения" (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им.В.Е.Лашкарёва НАНУ, Украина), 01.07.2016- 01.07.2019гг.. (Россия – д.ф-м.н.Квон Зе Дон, к.ф-м.н. С.А.Дворецкий; Германия - prof. S.D.Ganichev)
  21. Nippon Telegraph and Telephone Corporation (Токио, Япония), «Физические принципы и технология новых полупроводниковых и сверхпроводящих гибридных структур», 12.07.2016- 31.12.2019гг. (Россия – д.ф-м.н. А.Г.Погосов, к.ф-м.н.А.А.Шевырин; Япония – Dr.Hiroshi Yamaguchi).
  22. Национальный институт ядерной физики - Национальная лаборатория (Гран Сассо Istituto Nazionale di Fisica Nucleare – Laboratori Nazionali del Gran Sasso) (Л’Акуила, Италия), «Исследование болометрических свойств слоёв КРТ на подложках кремния при температурах ниже чем 10mK» , 09.03.2017- 09.03.2020гг.(Россия – д.ф-м.н.М.В.Якушев; Италия – Dr.Stefano Pirro).
  23. Технический университет (г.Бари, Италия) «Исследования в области интегральной оптики и фотонных сенсоров», 06.10.2017-06.10.2022гг. (Россия – д.ф-м.н.А.В.Царёв; Италия – Dr. Vittorio Passaro).
  24. Университет де Лоррейн (г.Нанси, Франция) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 27.06.2017 - 27.06.2020 гг. (Россия – д.ф-м.н.В.А.Володин; Франция – prof. Michel Vergnat).
  25. Институт физики Академии наук ЧР (г.Прага, Чешская Республика) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 15.01.2018 – 15.01.2023гг. (Россия- д.ф-м.н.В.А.Володин; Чехия – Ing. Jiri Stuchlik, CSc).

    26. Партнерские Соглашения

  26. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Разработка высоэффективных фотокатодных материалов и методик характеризации фотокатодов” 01.12.2017-01.12.2020гг. (Россия – д.ф-м.н.А.С.Терехов, к.ф-м.н. Г.Э.Шайблер; Великобритания – Dr.Tim Noakes, Dr.Lee Jones).
  27. Университет Нагоя (Япония, г.Нагоя), Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2016-2021гг. (Россия – асад. А.В.Латышев; Япония – prof., Dr.Matsuo Seiichi).
  28. Соглашение о создании Международной лаборатории терагерцовых и средневолновых явлений в полупроводниковых наноструктурах(“Laboratory of Terahertz and Mid-Infrared collective Phenomena in Semiconductor Nanostructures”, TERAMIR), Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Институт физики микро структур РАН(оба Россия), Институт физики высоких давлений ПАН (Польша), Университет Парижа DIDEROT (Франция) 01.01.2015-01.01.2019гг. (Россия – д.ф-м.н. С.А.Дворецкий; Франция – prof. Wojciech Knap).