Гранты, договоры, контракты, 2013 год

  1. Грант РФФИ 11-02-92004-ННС_а (Россия-Тайвань, Центр по изучению конденсированного состояния Государственного Тайваньского университета), «Создание прямозонных полупроводников IV группы добавлением олова», 2011-2013 гг. (В.И. Машанов)
  2. Грант РФФИ 12-02-90437-Укр_а. (Россия-Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины) «Электронная структура кремниевых квантовых точек в германии», 2012-2013гг. (А.В.Двуреченский).
  3. Грант РФФИ 12-02-90036-Бел_а.(Россия-Беларусь, Институт физики им.Б.И.Степанова НАНБ) «Структурные и оптические свойства многослойных Ge/Si наноструктур с совмещенными квантовыми точками и квантовыми кольцами», 2012-2013гг. (А.В.Двуреченский).
  4. Грант РФФИ 12-02-90443-Укр_а (Россия–Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева НАН Украины) «Фундаментальные характеристики и проблемы диагностики нанопроволочных и атомарно тонких полевых приборов на основе алмаза, кремния и графена», 2012-2013гг. (В.П.Попов)
  5. Грант РФФИ 13-02-91182-ГФЕН_а (Россия -_Китай, Институт полупроводников Академии наук Китая) «Исследование механизмов пластической релаксации в буферных слоях AIIIBV при молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках: выявление путей уменьшения плотности прорастающих дислокаций», 2013-2014гг. (В.В.Преображенский)
  6. Грант РФФИ 13-02-92105 ЯФ (Россия-Япония, Радиационный центр Университета Хиросимы) «Исследование электронной структуры новых топологических материалов с разрешением по спину», “Study of spin resolved electronic structures of new topological materials”, 2013-2014гг. (Терещенко)
  7. Интеграционные проекты СО РАН с международным участием

  8. Проект фундаментальных исследований СО РАН и НАН Беларуси №14 «Научные основы инженерии оптических свойств наноструктур А3В5 для лазерных технологий в ближней ИК области спектра» с участием ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению», ГНУ «ИФ НАН Беларуси» и БНТУ, 2012-2014гг. (Н.Н.Рубцова).
  9. Проект СО РАН и Национального Научного Совета Тайваня , «Короткопериодная сверхрешетка InAs / GaSb II-го типа, , выращенная методом молекулярно-лучевой эпитаксии: влияние состава и структуры гетерограниц на параметры фотодетектирования » с участием Национального Ченг Кунг Университета Тайваня , 2013-2015гг. (В.В.Преображенский).
  10. Проект СО РАН и Национального Научного Совета Тайваня «Электронные свойства high-κ диэлектриков в КМОП приборах» с участием Национального Чао Тунг Университета Тайваня (National Chiao Tung University) , 2011-2013гг. (В.А.Гриценко).
  11. Проект фундаментальных исследований СО РАН и НАН Беларуси №11 «Формирование, структурные и электронные свойства квантовых точек Si в Ge» с участием Института физики им. Б.И.Степанова НАНБ , 2012- 2014гг. (А.В.Двуреченский).
  12. Проект фундаментальных исследований СО РАН и НАН Беларуси №28 «Разработка на основе оптимальных спиральных элементов киральных метаматериалов для создания плоской «линзы» в терагерцовом диапазоне» с участием Института физики им. Б.И.Степанова НАНБ и Гомельского государственного университета им.Ф.Скорины Минобразования РБ, 2012-2014гг. (В.Я.Принц).
  13. Другие гранты

  14. Проект научного обмена No.247475 “COLIMA” в рамках 7 Европейской рамочной программы FP7-PEOPLE-2009-IRSES, « Когерентное управление светом и веществом посредством интерференции состояний, одетых лазерным полем», 2011-2014гг. (И.И.Рябцев).
  15. Грант ERA.NET – СО РАН (RUS, SQUAD:PA), (Германия, Швейцария, Норвегия «Кристалл самоорганизованных квантовых точек: физика и применение» (Self-assembled quantum dot crystal: Physics and Application), 2012-2014гг. (Н.П.Стёпина).
  16. Грант EP/K022938/1 «Исследование вычислительной мощности квантового дискорда» («Testing the computational power of discord»), The Open University, Milton Keynes, UK, 2012-2014гг. (И.И.Бетеров)
  17. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  18. Исследовательский институт технической физики и материаловедения ВАН (г.Будапешт, Венгрия) «Структурные и электронные свойства низкоразмерных AlGaN/GaN структур различной полярности», 2011-2013гг. (К.С.Журавлев)
  19. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2016гг. (А.Г.Милехин)
  20. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2014гг. (Т.С.Шамирзаев)
  21. Институт физики АН ЧР (Прага, Чехия) «Исследование квантоворазмерных эффектов в оптических свойствах полупроводниковых наноструктур», 2012-2014гг. (К.С.Журавлёв)
  22. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2009-2015гг. (Квон Зе Дон)
  23. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2010-2015гг. (Б.З.Ольшанецкий, Р.А.Жачук).
  24. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2015гг. (Квон Зе Дон)
  25. Институт Пауля Шерера (Вилиген, Швейцария) «Развитие методов наноструктурирования для получения наноматериалов и покрытий больших площадей», 2012-2014гг. (В.Я.Принц).
  26. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследование физических процессов при эпитаксиальном росте материалов на основе полупроводниковых структур и изучение их свойств», 2012-2014гг. (В.В.Преображенский)
  27. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2015гг. (А.В.Ненашев).
  28. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Электромеханические и адсорбционные свойства графена», 2013 – 2015 гг. (К.Н.Романюк)
  29. Технический университет (г.Бари, Италия) «Исследования в области интегральной оптики» 2010-2014гг. (А.В.Царев).
  30. Контракты, Договоры с фирмами

  31. Контракт с Советом по научным и технологическим услугам (STFC), Daresbury Laboratory о научных исследованиях и разработках № 070042081 «Разработка и передача новой экспериментальной методики измерения распределений фотоэлектронов по поперечной компоненте энергии»“Development and implementation of a new experimental technique for the measurement of photoelectron transverse energy distributions”, 2012-2013гг. (А.С.Терехов)
  32. Контракт 749-12 с Лоянгским Центром развития оптоэлектронной технологии ( Лоянг, Китай) «Исследование механизмов роста напряженных сверхрешёток GaSb/InAs методом МЛЭ», 2013-2014гг. (А.И.Никифоров).
  33. Контракт 782-13 с Лоянгским Центром развития оптоэлектронной технологии ( Лоянг, Китай) «Определение возможных путей изготовления и исследования гетеропереходов на основе материалов AIIIBV , 2013-2014гг. (В.В.Преображенский)
  34. Партнерские Соглашения

  35. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Research and development in accelerator physics and related techniques”2011-2014гг. (А.С.Терехов)
  36. Техасский центр по сверхпроводимости и перспективным материалам, Университет Хьюстона (Хьюстон, США) Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2009-2015гг. (О.П.Пчеляков)
  37. Университет Брешиа (Италия) Меморандум о сотрудничестве в области фундаментальных исследований по осаждению тонких плёнок и их характеризации с помощью рентгеновских методов, 2009-2014гг. (О.П.Пчеляков)