Гранты, договоры, контракты



Гранты, договоры, контракты, 2017 год

    Совместные гранты РФФИ

  1. Грант РФФИ 15-52-16008 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Лаборатория сильных магнитных полей НЦНИ), «Свойства поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора на основе теллурида ртути», 2015-2017 гг. (Н.Н. Михайлов).
  2. Грант РФФИ 15-52-16017 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Университет Монпелье), «Терагерцовая спектроскопия двумерных топологических изоляторов HgTe/CdHgTe». 2015-2017гг (С.А.Дворецкий).
  3. Грант РФФИ 16-52-00160 Бел_а (Россия –Беларусь, Институт физики им. Б.И.Степанова НАНБ ) «Экситон-плазмонное взаимодействие в системе Ge/Si с квантовыми точками Ge», 2016-2017гг. (А.В.Двуреченский).
  4. Грант РФФИ 16-52-48010 ИНД_оми 2017 (Россия–Индия, Индийский институт технологии, Индаур), «Микроструктурные и электронные параметры гетероструктурных тонкопленочных солнечных батарей на основе материалов типа Cu2ZnSn(S,Se)4 и Cu2(Sn,Ge)S3,полученных методом ионного распыления», 2016-2018гг.. (А.В.Атучин).
  5. Грант РФФИ 17-52-53031 ГФЕН_а (Россия – Китай, Технический Институт физики и химии Академии наук Китая (TIPCCAS), Пекин ) «Отрицательная сжимаемость, электронные и оптические свойства новых сложных оксидных кристаллов», 2017 – 2018гг. (А.В.Атучин).
  6. Грант РФФИ 17-52-14007 АНФ_а (Россия –Австрия, Венский технический университет) «Терагерцовая магнитооптика дираковских фермионов в структурах на основе HgTe и CdHgTe», 2017-2019г.г.. (Квон-Зе Дон)
  7. Грант РФФИ 17-52-04023 Бел_мол_а (Россия-Белорусь, ГНПО «Оптика, оптоэлектроника и лазерная физика») «Атомная и энергетическая структура гетерограниц и интерфейсных дефектов в низкоразмерных структурах на основе нитридов металлов третьей группы», 2017 – 2018гг (Александров И.А.).
  8. Грант РФФИ 16-52-12023 ННИО_а (Россия – Германия, Технический Университет, Институт физики твёрдого тела) «Эффективные источники запутанных фотонных пар на основе детерминированных квантовых точек и микролинз», 2016 –2017гг. (Гайслер В.А.)

    9. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  9. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2019гг. (А.Г.Милехин)
  10. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2019гг. (Т.С.Шамирзаев)
  11. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2009-2018гг. (Квон Зе Дон)
  12. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2010-2019гг. ( Р.А.Жачук).
  13. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2018гг. (Квон Зе Дон)
  14. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники» , 2015-2020гг. (О.И.Семёнова)
  15. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2018гг. (А.В.Ненашев).
  16. Университет науки и технологии (Пекин, Китай) «Исследование в области новых люминесцентных материалов» (“The investigation in the field of new luminescent materials”), 2014-2017гг. (В.В.Атучин).
  17. Центр развития оптоэлектронной технологии (Лоян, Китай) «Исследование физических процессов при эпитаксиальном росте материалов на основе полупроводниковых структур и изучение их свойств» (Basic physics on epitaxial growth of semiconductor nanostructure materials and study of their properties), 2013-2018гг. (В.В.Преображенский)
  18. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) "Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения" (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им.В.Е.Лашкарёва НАНУ, Украина), 2016-2019гг. (Квон Зе Дон, С.А.Дворецкий).
  19. Nippon Telegraph and Telephone Corporation (Токио, Япония), «Физические принципы и технология новых полупроводниковых и сверхпроводящих гибридных структур», 2016-2019гг. (А.А.Шевырин)
  20. Национальный институт ядерной физики - Национальная лаборатория (Гран Сассо Istituto Nazionale di Fisica Nucleare – Laboratori Nazionali del Gran Sasso) (Л’Акуила, Италия), «Исследование болометрических свойств слоёв КРТ на подложках кремния при температурах ниже чем 10mK» , 2017- 2020гг.(М.В.Якушев)
  21. Технический университет (г.Бари, Италия) «Исследования в области интегральной оптики и фотонных сенсоров», 2017-2021гг. (А.В.Царёв).
  22. Университет де Лоррейн (г.Нанси, Франция) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 2017 -2020 гг. (В.А.Володин). “Quantum Science and Technology in Novel Semiconductor and Superconductor Hybrid Structures”

    23. Контракты, Договоры с фирмами

  23. Контракт 881-16 «Изучение возможных путей получения и исследования гетеропереходов на основе материалов AIIIBV (AlInSn и InSb)»,2016-2017гг. (шифр "Топаз") (В.В.Преображенский)

    24. Партнерские Соглашения

  24. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Разработка высоэффективных фотокатодных материалов и методик характеризации фотокатодов” 2017-2020гг. (А.С.Терехов)
  25. Университет Нагоя (Япония, г.Нагоя), Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2016-2021гг. (А.В.Латышев)
  26. Соглашение о создании Международной лаборатории терагерцовых и средневолновых явлений в полупроводниковых наноструктурах(“Laboratory of Terahertz and Mid-Infrared collective Phenomena in Semiconductor Nanostructures”, TERAMIR), Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Институт физики микро структур РАН(оба Россия), Институт физики высоких давлений ПАН (Польша), Университет Парижа DIDEROT (Франция) 2015-2019гг. (С.А.Дворецкий).
  27. Меморандум «Исследование полупроводниковых соединений, полученных МВЕ и MOCVD; применение эллипсометрической технологии», Институт микролектроники Китайской академии наук и Jiagsu Leuven Instruments Co.Ltd. (Бельгия), 2016-2021гг. (А.В.Двуреченский, С.В.Рыхлицкий).