Гранты, договоры, контракты



Гранты, договоры, контракты, 2014-2016 гг.

    Совместные гранты РФФИ

  1. Грант РФФИ М 14-02-91371 СТ_а (Россия- Турция, Университет Гази), "Управление свойствами двумерного электронного газа с помощью in situ пассивации поверхности AlGaN/GaN гетероструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии", 2014-2015 гг. (К.С. Журавлёв)
  2. Грант РФФИ М 14-02-92007 (Россия – Тайвань, Национальный Чиао Тун Университет) "InGaN/AlN квантовые точки для источников одиночных и запутанных фотонов, работающих при комнатной температуре", 2014-2016гг. (К.С.Журавлёв).
  3. Грант РФФИ М 14-02-90410 Укр_а (Россия-Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины), «Закономерности формирования фононного спектра полупроводниковых нанокристаллов со структурой ядро/оболочка в условиях сильного пространственного ограничения», 2014-2015 гг. (А.Г. Милёхин).
  4. Грант РФФИ М 14-02-90036 Бел_а (Россия- Беларусь, Институт физики им.Б.И.Степанова НАНБ), «Электронная структура планарных молекул из квантовых точек Ge в Si», 2014-2015 гг. (А.В. Двуреченский).
  5. Грант РФФИ М 14-07-90403 Укр_а (Россия - Украина, Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАН Украины), «Формирование и свойства гетероструктур Si/SiO2/Si со встроенными в диэлектрик нанокластерами кремния: эксперимент, моделирование, влияние углерода», 2014-2015 гг. (И.Г. Неизвестный).
  6. Грант РФФИ 15-52-50017 ЯФ_а (Россия-Япония, Радиационный центр Университета Хиросимы), «Структура спин-поляризованных электронных состояний в дираковских материалах на основе Ge», 2015-2016 гг. (О.Е. Терещенко).
  7. Грант РФФИ 15-52-53080 ГФЕН_а ( Россия- Китай, Университет науки и технологии), «Структурные и люминесцентные свойства люминофоров на основе твердых растворов гранатов», 2015-2016 гг. (В.В. Атучин).
  8. Грант РФФИ 15-52-16008 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Лаборатория сильных магнитных полей НЦНИ), «Свойства поверхностных состояний трехмерного топологического изолятора на основе теллурида ртути», 2015-2017 гг. (Н.Н. Михайлов).
  9. Грант РФФИ 15-52-16017 НЦИЛ_а (Россия-Франция, Университет Монпелье), «Терагерцовая спектроскопия двумерных топологических изоляторов HgTe/CdHgTe». (С.А. Дворецкий).
  10. Грант РФФИ 16-52-00160 «Экситон-плазмонное взаимодействие в системе Ge/Si с квантовыми точками Ge», Двуреченский А.В. (Россия-Беларусь, Институт физики им. Б.И. Степанова НАНБ).

    11. Другие гранты

  11. Грант № 295264 “COSMA” в рамках 7 Европейской рамочной программы FP7-PEOPLE-2009-IRSES, «Когерентные оптические сенсоры для медицинских применений», 2012-2016 гг. (В.М. Энтин).

    12. Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

  12. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2016 гг. (А.Г. Милехин)
  13. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2019 гг. (Т.С. Шамирзаев)
  14. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2009-2015 гг. (Квон Зе Дон)
  15. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2010-2015 гг. (Р.А. Жачук).
  16. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2015гг. (Квон Зе Дон)
  17. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники» , 2015-2020 гг. (О.И. Семёнова)
  18. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2018 гг. (А.В. Ненашев).
  19. Университет науки и технологии (Пекин, Китай) «Исследование в области новых люминесцентных материалов» (“The investigation in the field of new luminescent materials”), 2014-2017 гг. (В.В. Атучин).
  20. Центр развития оптоэлектронной технологии (Лоян, Китай) «Исследование физических процессов при эпитаксиальном росте материалов на основе полупроводниковых структур и изучение их свойств» (Basic physics on epitaxial growth of semiconductor nanostructure materials and study of their properties), 2013-2016 гг. (В.В. Преображенский)
  21. Институт физики ПАН (Варшава, Польша), Университет Жешув (Жешув, Польша) «Исследование квантового спинового эффекта Холла и топологических изоляторов в одномерных II – VI квантовых наноструктурах» (“The investigation of Quantum Spin Hall Effect and topological insulators in one- dimensional II-VI quantum nanostructures”), 2014-2016 гг. (С.А. Дворецкий).
  22. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) «Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения» (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАНУ, Украина), 2016-2019 гг. (Квон Зе Дон, С.А. Дворецкий)
  23. Nippon Telegraph and Telephone Corporation (Токио, Япония), «Физические принципы и технология новых полупроводниковых и сверхпроводящих гибридных структур», 2016-2019 гг. (А.А. Шевырин).

    24. Контракты, Договоры с фирмами

  24. Контракт 823-14 с Лоянгским Центром развития оптоэлектронной технологии (Лоянг, Китай) «Изучение возможных путей получения и исследования гетеропереходов на основе материалов AIIIBV (AlInSn и InSb)», 2014-2016 гг. (В.В. Преображенский)

    25. Партнерские Соглашения

  25. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Research and development in accelerator physics and related techniques” 2011-2019 гг. (А.С. Терехов)
  26. Техасский центр по сверхпроводимости и перспективным материалам, Университет Хьюстона (Хьюстон, США) Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2009-2016 гг. (О.П. Пчеляков)
  27. Соглашение о создании Международной лаборатории терагерцовых и средневолновых явлений в полупроводниковых наноструктурах (“Laboratory of Terahertz and Mid-Infrared collective Phenomena in Semiconductor Nanostructures”, TERAMIR), Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Институт физики микроструктур РАН (Россия); Институт физики высоких давлений ПАН (Польша), Университет Парижа DIDEROT (Франция) (С.А. Дворецкий)
  28. Университет Нагойя (Япония, г. Нагойя), Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2016-2021 гг. (А.В. Латышев)
  29. Меморандум «Исследование полупроводниковых соединений, полученных МВЕ и MOCVD; применение эллипсометрической технологии», Институт микроэлектроники Китайской академии наук и Jiagsu Leuven Instruments Co.Ltd. (Бельгия), 2016-2021 гг. (А.В. Двуреченский, С.В. Рыхлицкий)
  30. Соглашение с Минобрнаукой РФ No14.613.21.0039 (Россия – Китай, Институт полупроводников Китайской Академии наук) «Создание новых лазерных сред на основе AlGaN гетероструктур, активированных дефектами; исследование их люминесцентных и генерационных свойств и разработка лазерных систем на этой основе сине-зеленого спектрального диапазона", 2015-2016 гг. (К.С. Журавлёв).