Лаборатория физики и технологии трёхмерных наноструктур

ПУБЛИКАЦИИ



1997

  1. Vorob'ev A.B., Gutakovsky A.K., Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Kuznetsov V.L., Butenko Yu.V., Sharaya A.B., Moroz E.M., Kolomiichuk V.N., A technology for fabricating two- and one-dimensional ensembles of superparamagnetic nanoparticles. Proceedings: “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Peterburg, Russia, 1997 p.339-343.
  2. Принц В.Я., Володин В.А., Ефремов М.Д., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Расщепление поперечных оптических фононных мод. Локализованных в квантовых проволоках GaAs на фасетированной поверхности (311)А, Письма в ЖЭТФ, 1997, т. 66, в. 1, с. 45-48.
  3. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Gutakovsky A.K., Application of controllable crack formation for nanoelectronic device elements fabrication. Compound Semiconductors 1996: Chapter 2, 1997, IOP Publishing Ltd., p.49-54.
  4. Panaev I.A., Prinz V.Ya., Nondestructive and contactless microwave methods for profiling mobility in active layers of multilayer structures grown on semiinsulating substrates. Materials Science and Engineering, 1997, B44, p. 130-133.
  5. Prinz V.Ya., Rechkunov S.N., Samoylov V.A., Correlation between high-speed device performance and defect in multilayer structures recognized by nondestructive microwave methods. Inst. Phys. Conf. Ser., 1997, 160, p. 487-490.
  6. Panaev I.A., Prinz V.Ya., Preobrazhensky V.V., Semyagin B.R., Transport properties of AlAs/GaAs multilayer structures grown on (311)A GaAs substrates. Compound Semiconductors. Inst.Phys.Conf.Ser., 1997, 155, IOP Publishing Ltd, p. 113-116.
  7. Yakunin M.V,, Arapov Yu.G., Gorodilov N.A., Neverov V.N., Buldygin S.A., Vorob’ev A.B., Panaev I.A., Prinz V.Ya., Preobrazhensky V.V., Semyagin B.R., Quantum Hall effect in a laterally corrugated layer AlAs/GaAs/AlAs(311)A. Compound Semiconductors. Inst. Phys. Conf. Ser., 1997, 155, Ch.2, IOP Publishing Ltd., p. 739-742.
  8. Принц В.Я., Селезнев В.А., Воробьев А.Б., Палкин К.Н., Туннельные процессы в полупроводниковой структуре с подвижными электродами, III Российская конференция по физике полупроводников, Москва, 1—5 декабря с. 183, 1997 г.
  9. Принц В.Я., Селезнев В.А., Воробьев А.Б., Никифоров А.А., Гутаковский А.К., Создание и исследование полимерных и фуллеритовых нанопроволок в тонких пленках GaAs, III Российская конференция по физике полупроводников, Москва, 1—5 декабря, с.280, 1997.
  10. Воробьев А.Б., Гутаковский А.К., Принц В.Я., Селезнев В.А., Бутенко Ю.В., Кузнецов В.Л., Шарая А.Б., Cоздание и исследование двумерных и одномерных ансамблей суперпарамагнитных наночастиц, III Российская конференция по физике полупроводников, Москва, 1—5 декабря с. 279, 1997.
  11. Prinz V.Ya., Seleznev V.A., Vorob’ev A.B., Gutakovsky A.K., Maskless technology for nanoelectronic and nanomechanic devices fabrication, The Second International Conference on Low Dimensional Structures & Devices, Lisbon, Portugal 19—20 May, 1997.
  12. Патент 2097872. Неразрушающий способ определения подвижности носителей заряда в полупроводниковых структурах на полуизолирующих подложках и устройство для его осуществления. Принц В.Я., Панаев И.А., Опубл. в Б.И., 1997, №33.
  13. Патент 2094902. Способ изготовления субмикронных и нанометровых элементов приборов. Горохов Е.Б., Носков А.Г., Принц В.Я., Опубл в БИ., 1997, №30.
  14. Патент 2094908. Неразрушающий способ контроля качества многослойных полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках, Принц В.Я., Опубл. в Б.И., 1997, №30.