Лаборатория физики и технологии трёхмерных наноструктур

ПУБЛИКАЦИИ

1987

1. Принц В.Я., Кулагин С.А., Майор В.И., Зависимость параметров остаточных глубоких уровней в n- InGaAs от состава. ФТП, 1987, т. 12, с. 2130.
2. Принц В.Я., Бородовский П.А., Булдыгин А.Ф., Сильнополевой эффект переключения проводимости эпитаксиальных слоев GaAs и InP на полуизолирующих подложках. ФТП, 1987, т. 8, с. 1517-1523.