ПУБЛИКАЦИИ



1994

  1. Босый В.И., Иващук А.В., Принц В.Я., Самойлов В.А., Влияние параметров буферного слоя на шумовые характеристики ПТШ на основе GaAs. Расшир. тезис в кн.: Микро-электроника-94, Российская конференция, г. Звенигород, 1994, с. 325-326.
  2. Принц В.Я., Речкунов С.Н., Булдыгин А.Ф., Неразрушающий контроль эффекта обратного управления в полупроводниковых структурах A3B5, Расшир. тезис в кн.: Микро-электроника-94, Российская конференция г. Звенигород, 1994, ч.1, с.195-196.
  3. Принц В.Я., Осадчий В.М., Измерение и моделирование C-V профиля - способ для диагностики и оптимизации HEMT структур, Расшир. тезис в кн.: Микро-электроника-94, Российская конференция г. Звенигород, 1994, ч.2, с.403-404.
  4. Prinz V.Ya., Panaev I.A., Preobrazhensky V.V., Semyagin B.R., Buldygin A.F., High temperature anisotropic transport properties of GaAs quantum -wire superlattices “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Peterburg, Russia, 1994, p. 110-113.
  5. Prinz V.Ya., Buldygin A.F., Rechkunov S.N., New methods for microwave nondestructive characterization of the multilayer structures grown on SI substrates, Abstracts of 8th Conference on Semi-insulating III-V materials. Warsaw, Poland, 1994, p. 30-33.
  6. Gorokhov E.B., Noskov A.G., Prinz V.Ya., Stress generation and relaxation in passivating films and its new application in nanolitography, 7th International Symposium on the Passivity of Metals and Semiconductors, Germany, 1994.
  7. Принц В.Я., Панаев И.А., Преображенский В.В., Семягин Б.Р., Высокотемпературная анизотропия проводимости сверхрешеток GaAs квантовых проволок, выращенных на фасетированных поверхностях [311]А. Письма ЖЭТФ, 1994, т. 60, № 3, с. 209-212.
  8. Prinz V.Ya., Buldygin A.F., Rechkunov S.N., Samoylov V.A., New methods for microwave nondestructive characterization of the multilayer structures grown on SI substrates, Semi-insulating III-V materials. Edited by M. Godlewski, Wold Scientific, 1994, p. 159-162.
  9. Самойлов В.А., Принц В.Я., Якушева Н.А., Влияние изовалентной примеси Sb на образование электрически активных дефектов в GaAs. ФТП, 1994, т. 28, в. 9, с. 1617.
  10. Prinz V.Ya., Panaev I.A., Preobrazhenaky V.V., Seyagin B.R., Buldigin A.F., High temperature anisotropic transport properties of GaAs quantum-wire superlattices, Nanostrucures: Physics and technology, International Symposium, St. Petersburg, Russia, 1994, p. 110-113.
  11. Патент 2006984. Способ отбраковки полупроводниковых структур на полуизолирующих подложках по степени проявления эффекта обратного управления. Принц В.Я., Опубл. в Б.И., 1994, №2.
  12. Журавлев К.С., Принц В.Я. и др., Электронное свойство буферных слоев GaAs, полученных методом МЛЭ при Т=360-640 С. ФТП, 1994, т. 28, c. 1937-1946.