ПУБЛИКАЦИИ



1978

  1. Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра глубоких уровней, вводимых облучением в твердые растворы на основе GaAs от состава. В кн: ”Физика соединений A3B5. Тезисы докладов Всесоюзной конференции, Ленинград, 1978.
  2. Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Исследование глубоких центров в арсениде галлия методом емкостной спектроскопии. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
  3. Принц В.Я., Скок Э.М., Шарипов Э.О., Мусаев П.Х., Влияние отжига на напряжение пробоя и энергетический спектр электрополевых ловушек в GaAs. В кн.: ”Арсенид галлия”. IV Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Тезисы докладов. Томск, 1978.
  4. Принц В.Я. Исследование мелких и глубоких уровней в GaAs и твердых растворах на его основе, Физика тонкопленочных систем. Новосибирск 1978, с. 11-26.
  5. Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Зависимость энергетического спектра уровней, вводимых облучением электронами в GaAs1-xP и AlxGa1-xAs, от состава. ФТП, 1978, т. 12, с. 1612.