Лаборатория физики и технологии трёхмерных наноструктур

ПУБЛИКАЦИИ

1986

1. Речкунов С.Н., Принц В.Я., Низкочастотный емкостной спектрометр глубоких уровней в полупроводниках. ПТЭ, 1986, N. 5, с. 182-185.
2. Принц В.Я., Хайри Е.Х., Самойлов В.А., Болховитянов Ю.Б., Глубокий уровень вводимый в GaAs легированием изовалентной примесью Sb. ФТП, 1986, т. 20(8), с. 1392-1395.
3. Yakusheva N.A., Prinz V.Ya., Bolkhovityanov Yu.B., Discovery of Electron Traps in LPE GaAs Grown from a Bismuth Melt. Phys. St. Sol. (a.), 1986, 95, p. K43-K46.