Гаврилова Татьяна Александровна
научный сотрудник
тел. 330-90-82, вн. 1275
e-mail:
Научная деятельность: область научных интересов: исследование процессов роста полупроводников и диэлектриков, а также приборных структур на их основе, методами растровой электронной микроскопии.
Образование: окончила НГТУ по специальности "Физическая электроника".
Трудовая деятельность: 1971-1975 инженер СНИИГГиМС.
1975.. по 1988 м.н.с. и н.с. НИС НГУ.
1988 по 2013 н.с. ИФП СО РАН.
Избранные публикации:
С 1971 по 2012 гг. опубликовано 64 научных работы. Среди опубликованных:
- FREE-STANDING AND OVERGROWN INGAAS/GAAS NANOTUBES, NANOHELICES AND THEIR ARRAYS
Prinz V.Y., Seleznev V.A., Gutakovsky A.K., Chehovskiy A.V., Preobrazhenskii V.V., Putyato M.A., Gavrilova T.A.
Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2000. Т. 6. № 1-4. С. 828-831. - MICROTOMOGRAPHY WITH SCANNING ELECTRON MICROSCOPE UNDER THE REFLECTED ELECTRONS
Bronnikov A.V., Bulyshev A.E., Gavrilova T.A.
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1995. № 7-8. С. 81-86. - EFFECT OF NICKEL ON CLEAN SILICON SURFACES: TRANSPORT AND STRUCTURE
Dolbak A.E., Olshanetsky B.Z., Stenin S.I., Teys S.A., Gavrilova T.A.
Surface Science. 1989. Т. 218. № 1. С. 37-54.