Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

Гутаковский Антон Константинович

ведущий научный сотрудник, к.ф.-м.н.

тел. 330-90-82, вн. 1263

103, 105 ТК

e-mail:

Научная деятельность: Высокоразрешающая аналитическая электронная микроскопия. Область научных интересов: проведение работ по исследованию атомной структуры твердотельных материалов, включая системы пониженной размерности, синтезируемых как в ИФП СО РАН, так и в других Институтах Сибирского отделения. Сюда относятся исследования ультрадисперсных объектов химии и катализа; неорганические материалы, включая высокотемпературные сверхпроводники и различные формы углерода (фулерены, бакитрубки, алмазы и алмазоподобные вещества), природные материалы различного генезиса и т.д. Полученные данные электронно-микроскопических исследований используются для оптимизации технологических процессов создания новых материалов для микро- и наноэлектроники. Проводятся работы по укреплению методической базы структурных исследований на атомарном уровне: разработка и совершенствование методов препарирования объектов для просвечивающей электронной микроскопии, методик моделирования и цифровой обработки электронно-микроскопических изображений и т.п.

Образование: 1972 г. - окончил Новосибирский электротехнический институт по специальности физическая электроника.
1982 г. - защитил кандидатскую диссертацию на тему "Механизмы формирования дислокационной структуры гетероэпитаксильных твердых растворов GaAsP и InGaAs на подложках из арсенида галлия".
1998 г. - присвоено звание старший научный сотрудник.

Трудовая деятельность: основное место работы - ИФП СО РАН.
1972 по 1974 гг.: служба в Советской Армии в должности командира взвода в г.Керки Туркменской ССР.
1972 по 1974 гг.: инженер ЦКБ "Точприбор".
1975 по 1982 гг.: научный сотрудник лаборатории физической электроники НИСа НГУ.
1982г. по настоящее время в.н.с. ИФП СО РАН.

Педагогическая деятельность: руководство студентами и аспирантами.

Избранные публикации:
С 1977 по 2012 г.г. опубликовано 180 научных работ. Среди опубликованных:

  • А.К.Гутаковский, С.И.Стенин. Электронно-микроскопичкские исследования механизмов образования дефектов в гетеросистемах. В кн.: Современная электронная микроскопия в исследовании вещества, 1982, М., Наука, с.139-147.
  • Гутаковский А.К., Кантер Ю.О., Ревенко М.А., Рубанов С.В., Стенин С.И. Исследование процессов зарождения, роста и дефектообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии InAs на подложках из GaAs. Кристаллография, 1989, т.34, вып.3, с.706-712.
  • А.К. Гутаковский, Ю.О.Кантер, В.Ю.Карасев, член-корреспондент АН СССР Н.А.Киселев, СМ. Пинтус, С.В.Рубанов, С.И.Стенин, А.А.Федоров. Структура пленок и границ раздела в многослойных системах на основе арсенидов индия и галлия. Доклады АН, 1989. т. 304, №2, с. 355-357.
  • I.V.Sabinina, A.K.Gutakovsky, S.A.Dvoretskii, V.D.Kuzmin. Defect formation during growth of CdTe(111) and HgCdTe films by MBE. J.Cryst.Growth, 1992, v.117, No1-4, p.238-243.
  • А.К.Гутаковский, С.М.Пинтус, А.Л.Асеев "Применение высокоразрешающей электронной микроскопии для изучения атомной структуры дефектов и границ раздела в полупроводниках", Поверхность, 1993, №10, с. 5-16.
  • A.K.Gutakovsky, L.I.Fedina, and A.L.Aseev "High resolution electron microscopy of semiconductor interfaces", Phys. Stat. Sol.(a), 1995, v.150, p.127-140.
  • А.К. Гутаковский, А.В. Катков, М.И. Катков, О.П. Пчеляков, М.А. Ревенко. Влияние высоты ступеней вицинальной поверхности германия на процесс образования антифазных границ в системе арсенид галлия- -германий-арсенид галлия (001) Письма в ЖТФ, 1998, том 24, № 24, с.7-12.
  • A.K.Gutakovskii, S.M.Pintus, A.I.Toropov, N.T.Moshegov, V.A.Haisler, S.Rubanov, P.Munroe "Study of Strain Relaxation in InAs/GaAs Strained-layer Superlattices by Raman Spectroscopy and Electron Microscopy". Aust. J.Phys., 2000, v.53, p.697-705.
  • A.B.Vorob'ev, A.K.Gutakovsky, V.Ya.Prinz, V.V.Preobrazhenskii, M.A.Putyato. Interface corrugation in (311)A GaAs/AlAs superlattices. Appl.Phys.Lett., 2000, v.77, No19, p.2976-2978.
  • H Bender, O Richard, L Nistor, A Gutakovskii, C Stuer and C Detavernier, "Structural characterisation of advanced silicides", Book series:INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES, MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS, 2003, (180), p.453-462.
  • А.К.Гутаковский, А.Л.Асеев. Исследование полупроводниковых гетеросистем современными методами просвечивающей электронной микроскопии. В кн.: "Нанотехнологии в полупроводниковой электроники", под редакцией А.Л.Асеева, Новосибирск, Издательство СО РАН, 2004, с.154-179.
  • Yu.B.Bolkhovityanov, A.S.Deryabin, A.K.Gutakovskii, M.A.Revenko, and L.V.Sokolov. Direct observations of dislocation half-loops inserted from the surface of the GeSi heteroepitaxial film. Applied Physics Letters. 2004, v.85, No25, p.6140 – 6142.
  • Ю.Б.Болховитянов, А.С.Дерябин, А.К.Гутаковский, М.А.Ревенко, Л.В.Соколов. Оптимизация пластической релаксации механических напряжений несоответствия в гетероструктурах GexSi1-x/Si(001) (x = 0.61). Письма в ЖТФ, 2004, №30, вып. 2, с.61-65.
  • А.И.Никифоров, В.В.Ульянов, О.П.Пчеляков, С.А.Тийс, А.К.Гутаковский "Получение наноостровков Ge ультрамалых размеров с высокой плотностью на атомарно-чистой поверхности окиси кремния", Физика твердого тела, 2005, т.47, вып.1., с.67- 69.
  • Yu.B.Bolkhovityanov, A.S.Deryabin, A.K.Gutakovskii, M.A.Revenko, L.V.Sokolov, Heterostructures GexSi1-x/Si(001) grown by low temperature (300 - 400°C) molecular beam epitaxy: Misfit dislocation propagation, J. Cryst.Growth, 2005, v.280, No1-2, p.309-319.
  • И.В.Сабинина, А.К.Гутаковский, Ю.Г. Сидоров, А.В.Латышев. Образование прорастающих дефектов при молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTе. Поверхность, №11, 2005, с.6-11