Ситников Сергей Васильевич
инженер
тел. 330-90-82, вн. 1288
106 ТК
email:
Область научных интересов: экспериментальные исследования атомных процессов, протекающих на поверхности кремния (111) при сублимации и эпитаксиальном росте методом сверхвысоковакуумной отражательной микроскопии.
Научная деятельность: экспериментально измерены: кинетика разрастания двумерных островков при сублимации и эпитаксиальном росте, температурная зависимость длины миграции адатомов по поверхности при сублимации, определён коэффициент эффективного линейного натяжения ступени при сублимации. На разработан метод создания атомно-гладких террас размером до 200 мкм и оформлен патент «Способ формирования плоских гладких поверхностей твердотельных материалов».
Образование: 2011 г. - окончил магистратуру физического факультета НГУ по специальности физика полупроводников. с 2011 г. и по настоящее время обучается в аспирантуре ИФП по специальности "конденсированное состояние".
Трудовая деятельность: с 2007 г. по настоящее время работает в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.
Публикации:
- С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А. В. Латышев. Кинетика двумерных отрицательных островков на поверхности кремния (111) при сублимации. // Международная конференция-семинар по микро/нанотехнологиямм и электронным приборам, Эрлагол, Алтай Россия, 2009, 69.
- С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А. В. Латышев. Кинетика концентрических двумерных отрицательных островков на поверхности Si(111) при сублимации. // XXIII российская конференция по электронной микроскопии. г. Черноголовка, Россия, 2010, 253.
- С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А. В. Латышев. Концентрические моноатомные ступени на поверхности кремния (111). // Четвертая школа "Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы", г. Новосибирск, Россия, 2011, 84.
- Е.В. Сысоев, И.А. Выхристюк, Р.В. Куликов, С.В. Ситников, А.В. Латышев. Оптические методы пикометрового разрешения интерференционных измерений нанорельефа поверхности. // Четвертая школа "Метрология и стандартизация в нанотехнологиях и наноиндустрии. Функциональные наноматериалы", г. Новосибирск, Россия, 2011, 30
- С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А. В. Латышев. Способ формирования плоских гладких поверхностей твердотельных материалов // заявка на патент № 2011100189 приоритет от 11.01.2011г.
- С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев. Концентрические моноатомные ступени на поверхности Si(111). // Материалы Х Российской конференции по физики полупроводников "Полупроводники-2011" г. Нижний Новгород, 2011, 38.
- S.V.Sitnikov, S.S. Kosolobov, A.V. Latyshev, "Formation of wide ultra-flat surface on Silicon»,тезисы конференции APAM-2012, устный доклад.
- С.В. Ситников, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, "Кинетика релаксации 3D субмикронных структур на атомно-гладкой поверхности SI(111)", тезисы конференции "Физические и физико–химические основы ионной имплантации" 2012г, устный доклад.