Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

Область научных интересов: просвечивающая электронная микроскопия, дефекты в полупроводниках, механизмы генерации дислокаций, эпитаксия, ионная имплантация, прямое соединение пластин.

Образование: высшее.
В 1974 г. окончил Московский институт стали и сплавов по специальности «Полупроводники и диэлектрики».
В 1987 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Электронно-микроскопическое исследование эпитаксиальных структур на основе четверных твердых растворов соединений А3В5» по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков».

Трудовая деятельность:

1974 – 1996 - инженер, старший научный сотрудник, НИИ «Гиредмет», г. Москва.
1996 – 2009 - старший научный сотрудник, Институт химических проблем микроэлектроники (ИХПМ), г. Москва.
2009 – 2012 - ведущий научный сотрудник, Междисциплинарный ресурсный центр по направлению «Нанотехнологии», С.-Петербургский государственный университет, г. Санкт-Петербург.
2013 – н/в - ведущий инженер, Институт физики полупроводников, г. Новосибирск.
Основное место работы: ИФП, лаб. 20.

Избранные публикации:

С 1977 по 2013 г. опубликовано 120 научных статей в отечественных и международных журналах. Среди опубликованных:

1. В.И. Вдовин, Е.В. Убыйвовк, О.Ф. Вывенко, Закономерности образования дислокационных сеток на границе сращенных пластин Si(001), ФТП, 2013, т.47(2), 228.
2. V. Vdovin, O. Vyvenko, E. Ubyivovk, and O. Kononchuk, Mechanisms of Dislocation Network Formation in Si(001) Hydrophilic Bonded Wafers, Solid State Phenomena Vols. 178-179 (2011) 253-258.
3. V.I. Vdovin, N.D. Zakharov, E. Pippel, P. Werner, M.G. Milvidskii, M. Ries, M. Seacrist and R. Falster, Si Wafer Bonding: Structural Features of the Interface, Solid State Phenomena, v. 156-158 (2010) 85-90.
4. Vladimir Vdovin, Nikolai Zakharov, Eckhard Pippel, Peter Werner, Mikhail Milvidskii, Mike Ries, Mike Seacrist, and Robert Falster, Dislocation structure in interfaces between Si wafers with hybrid crystal orientation, Phys. Status Solidi (c) 6, No. 8 (2009) 1929–1934.
5. V.I. Vdovin, N.D. Zakharov, Misfit dislocation generation in SiGe epitaxial layers supersaturated with intrinsic point defects, Thin Solid Films, 517 (2008) 278-280.
6. N. D. Zakharov, P. Werner, V. I. Vdovin, D. V. Denisov, R. N. Kyutt, and N. A. Sobolev, Crystal lattice defects in MBE grown Si layers highly doped with Er, Phys. Stat. Sol. (a), (2008) v. 205, No. 2, 282–288.
7. N. Burle, B. Pichaud, V.I. Vdovin, M.M.Rzaev, Very first relaxation steps in low temperature buffer layers SiGe/Si heterostructures studied by X-ray topography, Solid State Phenomena Vols. 131-133 (2008) 77-82.
8. V. I. Vdovin, T. A. Torack, Lu Fei, V. Ya. Reznik, M. G. Mil'vidskii, R. Falster, Formation of extended defects in SiGe/Si heterostructures with SiGeC intermediate layers, Physica Status Solidi (c), 2007, v. 4, No. 8, 3043-3047.
9. V.I. Vdovin, M.G.Mil'vidskii, M.M. Rzaev, F. Schäffler, Misfit dislocations in SiGe/Si heterostructures: nucleation-propagation-multiplication, Solid State Phenomena v. 108-109 (2005) 483-488.
10. M. Rzaev, F. Schäffler, V. Vdovin, T. Yugova, Misfit dislocation nucleation and multiplication in fully strained SiGe/Si heterostructures under thermal annealing, Materials Science in Semiconductor Processing, 8 (2005) 137-141.
11. В.И. Вдовин, П. Вернер, Н.Д. Захаров, Д.В. Денисов, Н.А. Соболев, В.М. Устинов, Светоизлучающие структуры Si:Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: структурные дефекты, ФТТ, 2005, т. 47, вып. 10, 1754-1757.
12. Т.Г.Югова, М.Г.Мильвидский, В.И.Вдовин, Дефектообразование в эпитаксиальных гетероструктурах Ge_1-xSi_x/Ge(111), ФТТ, 2004, т. 46, вып. 8, 1476-1483.
13. В.С.Аврутин, Ю.А.Агафонов, А.Ф.Вяткин, В.И.Зиненко, Н.Ф.Изюмская, Д.В.Иржак, Д.В.Рощупкин, Э.А.Штейнман, В.И.Вдовин, Т.Г.Югова, Низкотемпературная релаксация упругих напряжений в SiGe/Si-гетероструктурах, облученных ионами Ge⁺, ФТТ, 2004, т.38, в.3, с.325-330.
14. V.I. Vdovin, M. Mühlberger, M.M. Rzaev, F. Schäffler, T.G. Yugova, Dislocation structure formation in SiGe/Si(001) heterostructures with low temperature buffer layers, J. Phys.: Condens. Matter 14 (2002) 13313–13318.
15. В.И.Вдовин, А.К.Гутаковский, Ю.А. Николаев, М.Г.Мильвидский, Дефектообразование в пластинах кремния, имплантированных высокоэнергетическими ионами эрбия, Изв. АН, сер. физическая, 2001, т. 65, № 2, 281-285.
16. В.И.Вдовин, К.Д.Щербачев, М.Миронов, К.Парри, Э.Н.С.Паркер, Исследование структурного совершенства гетерограниц в сверхрешетках Si-SiGe, Кристаллография, 2000, т. 45, № 4, 722-730.
17. V.I.Vdovin, Misfit dislocations in epitaxial heterostructures: mechanisms of generation and multiplication, Phys.Stat. Sol. (a) 171 239-250, 1999.
18. T.G.Yugova, V.I.Vdovin, M.G.Mil'vidskii, L.K.Orlov, V.A.Tolomasov, A.V.Potapov, N.V.Abrosimov, Dislocation pattern formation in epitaxial structures based on SiGe alloys, Thin Solid Films, 336 (1998) 112-115.
19. Vdovin V.I., Nature and origin of pure edge dislocations in low mismatched epitaxial structures, J. Crystal Growth, 172 (1997) 58-63.
20. В.И.Вдовин, М.Г.Мильвидский, Т.Г.Югова, Механизмы генерации дислокаций в гетероструктурах на основе твердых растворов SiGe, Кристаллография, 1996, т. 41, вып. 6, 1087-1092.
21. V.I.Vdovin, A formation of three-dimensional misfit dislocation networks in SiGe/Si and SiGe/Ge heterostructures, Inst. Phys. Conf. Ser. No 146, 187-190.
22. V.I.Vdovin, M.G.Mil'vidskii, T.G.Yugova, K.L.Lyutovich, S.M.Saidov, Effect of alloy composition on defect formation in Ge_xSi_1-x/Si heterostructures obtained by molecular beam epitaxy, J. Crystal Growth, 1994, v.141, 109-118.
23. V.I.Vdovin, M.G.Mil'vidskii and T.G.Yugova, Antiphase boundaries in GaAs layers on Si and Ge, J. Crystal Growth, 1993, v.132, 477-482.
24. Вдовин В.И., Красильников В.С., Югова Т.Г., Влияние природы и состава четверных твердых растворов соединений А³В⁵ на формирование дислокационной структуры в эпитаксиальных гетерокомпозициях, Кристаллография, 1991, т.36, вып.3, 744-749.
25. Николайчик В.И., Вдовин В.И., Ходос И.И., Расчетные и экспериментальные электронно- микроскопические изображения расщепленных дислокаций в сильных пучках, Кристаллография, 1987, т.32, вып.6, 1474-1479.
26. Vdovin V.I., Matveeva L.A., Semenova G.N., Skorohod M.Ya., Tkhorik Yu.A., Khazan L.S., Mechanism of misfit dislocation network formation in the heteroepitaxial system Ge-GaAs (001), Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v.92, N2, 379-390.
27. Вдовин В.И., Моргулис Л.М., Приготовление тонких фольг из многослойных гетероструктур методом ионного травления, Известия АН СССР, физическая сер., 1977, т.41, N 7, стр.1478-1482.

• Разработано устройство ионного травления для изготовления фольг из полупроводниковых материалов для просвечивающей электронной микроскопии /Вдовин В.И., Моргулис Л.М., Приготовление тонких фольг из многослойных гетероструктур методом ионного травления, Известия АН СССР, физическая сер., 1977, т.41, N 7, стр.1478./
• Предложена модель размножения дислокаций несоответствия на границе в гетероэпитаксиальных структурах по механизму Хагена-Штрунка / Vdovin V.I., Matveeva L.A., Semenova G.N., Skorohod M.Ya., Tkhorik Yu.A., Khazan L.S., Mechanism of misfit dislocation network formation in the heteroepitaxial system Ge-GaAs (001), Phys. Stat. Sol. (a), 1985, v.92, N2, 379/
• Предложен механизм зарождения дислокаций несоответствия от V-образного источника в гетероэпитаксиальных структурах SiGe/Si / M. Rzaev, F. Schäffler, V. Vdovin, T. Yugova, Misfit dislocation nucleation and multiplication in fully strained SiGe/Si heterostructures under thermal annealing, Materials Science in Semiconductor Processing, 8 (2005) 137/