Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

Шкляев Александр Андреевич

ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н.

тел. 8-913-001-0085

НОК НГУ

email:

Область научных интересов: Эпитаксиальный рост полупроводниковых слоёв, морфология поверхностей германия и кремния, сканирующая туннельная микроскопия, люминесценция, двумерные фотонные кристаллы.

Образование: 1974г. - окончил НГУ по специальности физика
1981 г. - защитил к.ф.-м.н. и 2008 д.ф.-м.н.

Трудовая деятельность: в.н.с. ИФП СО РАН с 2008 года.

Избранные публикации: с 1977 по 2013 гг. опубликовано 85 научных работ. Среди опубликованных:

Монографии, главы монографий, обзоры:

  • Shklyaev A.A. and Ichikawa M., Chapter 8, Single and Highly Dense Germanium/Silicon Nanostructures, in Handbook of Semiconductor Nanostructures and Nanodevices, Vol. 1, edited by A.A. Balandin and K.L. Wang (American Scientific Publishers, California, 2006), p. 337-387.
  • Шкляев А.А. и Ичикава М., Создание наноструктур германия и кремния с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа, УФН, 2006, т. 176, № 9, стр. 913-930.
  • Ichikawa M. and Shklyaev A., Formation of Si and Ge nanostructures at given points by using surface microscopy and ultrathin SiO2 film technology, in Nanoscience and technology. Lateral alignment of epitaxial quantum dots, edited by Schmidt O.G. (Springer, Berlin, 2007), p. 569-588.
  • Шкляев А.А. и Ичикава М., Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния, УФН, 2008, т. 178, № 2, стр. 139-169.

Оригинальные работы:

  • Shklyaev A.A., Shibata M. and Ichikawa M., High-density ultrasmall epitaxial Ge islands on Si(111) surfaces with a SiO2 coverage, Phys. Rev. B 2000, v. 62, № 3, p. 1540-1543.
  • Shklyaev A.A., Nobuki S., Uchida S., Nakamura Y., Ichikawa M., Photoluminescence of Ge/Si structures grown on oxidized Si surfaces, Appl. Phys. Lett. 2006, v. 88, p. 121919-1-3.
  • Shklyaev A. A., Dultsev F. N., Mogilnikov K. P., Latyshev A. V. and Ichikawa M., Electroluminescence of dislocation-rich Si layers grown using the oxidized Si surfaces, J. Phys. D: Appl. Phys. 44 (2011) 025402-1—7.
  • Шкляев А. А., Романюк К. Н., Латышев А. В., Аржанников А. В., Влияние дислокаций на форму островков при росте кремния на оксидированной поверхности Si(111), Письма в ЖЭТФ 2011, Т.94, Вып. 6, С.477-480.
  • Shklyaev A. A., Kozhukhov A. S., Armbrister V. A. and Gulyaev D. V., Surface morphology of Si layers grown on SiO2. Appl. Surf. Sci. available online 20 May 2012.
  • Shklyaev A. A., Gulyaev D. V., Zhuravlev K. S., Latyshev A. V., Armbrister V. A. and Dvurechenskii A. V., Resonant photoluminescence of Si layers grown on SiO2, Optics Communications, 2013, V. 286, P. 228–232.