Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии

Федина Людмила Ивановна

ведущий научный сотрудник, к.ф.-м.н.

тел. 330-90-82, вн. 1263

105 ТК

email:

Научная деятельность: In situ высоковольтная и высокоразрешающая просвечивающая электронная микроскопия. Механизмы кластеризации собственных точечных дефектов, формирование и атомная структура протяженных дефектов в кремнии при различных технологических воздействиях (окисление, имплантация, эпитаксия). Топологические дефекты.

Образование:
1972 г. - окончила Новосибирский государственный технический университет по специальности физическая электроника.
В 1991 г. - защитила кандидатскую диссертацию.
В 1998 г. присвоено звание старший научный сотрудник.

Трудовая деятельность: основное место работы - Институт физики полупроводников. 1973-1975 аспирантура НЭТИ. 1976-1982 – НИС НГУ - м.н.с. 1983 - по настоящее время - ИФП СО РАН, где с 1989 г. - в должности в.н.с.

Педагогическая деятельность: руководство студентами, аспирантами, соискателями.

Избранные публикации: с 1973 по 2012 гг. опубликовано 85 научных работ. Среди опубликованных работ можно выделить следующие оригинальные статьи, характеризующие область научной деятельности:

  • Л.Н.Александров, Е.А.Криворотов, Р.Н.Ловягин, Л.И.Федина. Электронно-микроскопические исследования начальных стадий роста эпитаксиальных пленок кремния на реальной поверхности кремния и германия при ионном распылении. 1974. Известия АН СССР, сер. физ. Т.38, в. №7. 5с.
  • F. L. Edelman, L. N. Aleksandrov, V. S. Latuta, L. I. Fedina. The structure of GeO2 films grown on Ge. 1976. Thin.Solid Films. Vol.34. 127-136. Л.И.Федина, В.М.Кудряшов, А.Асеев. Анализ структуры дефектов упаковки окисления в кремнии с помощью методов электронной микроскопии. 1985, Электронная техника., сер.3, микроэлектроника. В.1. с.43-45.
  • L. Fedina, A. Aseev. Study of point defects interaction with dislocation in silicon by means of irradiation in an electron microscope. 1986, Phys.stat.sol.(a). Vol.95, 517-529.
  • Л.И.Федина, А.Л.Асеев, С.Г.Денисенко, Л.С.Смирнов. Пороговая энергия образования точечных дефектов в кремнии по данным электронной микроскопии. 1987, Физика и техника полупроводников. Т.21, в.4. 6с.
  • Л.И.Федина, А.Л.Асеев. Взаимодействие точечных дефектов с атомами бора и фосфора в кристаллах кремния при большой скорости генерации вакансионно-междоузельных пар. 1990, Физика твердого тела, т.32,№1.
  • А.Качурин, Л.И.Федина, И.Е.Тысченко. Структурные нарушения в кремнии, облученном ионами при 600-1100оС. 1990, Поверхность. Физ.хим.мех.№1. L. Fedina, S. Denisenko, A. Aseev. Self-interstitial atoms and structure of intrinsic getter in Si crystals. 1991, Solid State Phenomena. Vol.20, 20-24.
  • В.Ф. Тришункин, Л.Федина, Е.Б.Горохов, А.Л.Асеев, В.Л.Денисов, А.Н.Бельц, А.Л.Чулинина, Б.Г.Тепман. Авторское свидетельство №1635827 (СССР). Способ формирования внутреннего геттера в пластинах кремния. ДСП, №795, 26.07.91.
  • J. L. Hutchison, A. Aseev, L. Fedina, {113} defects in He+ implanted Germanium.1993, Inst.Phys.Conf.Ser.No. Oxford 1993, 134, 1993, 41-46. L. Fedina, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. Observation of vacancy clustering in FZ-Si during in situ electron irradiation in a high voltage electron microscope. 1996, Nucl. Instr. and Methods in Phys. Res. B, Vol. 112, 133-138.
  • L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont, On the mechanism of {111} defect formation in silicon studied by in situ electron irradiation in a high resolution electron microscope. 1998, Philosophical Magazine A, Vol. 77, No2, 423-435
  • V. Buschmann, L. Fedina, G. Van Tendeloo, M. Rodewald. A new model for the (2x1) reconstructed CoSi2/Si(001) interface based on the intermediate defect configuration. 1998, Philosophical Magazine Letters, No.2, 12-17.
  • Fedina, L.; Gutakovskii, A.; Aseev, A.; Landuyt, van, Joseph; Vanhellemont, J. - Extended defects formation in Si crystals by clustering of intrinsic point defects studied by in-situ electron irradiation in an HREM - In: Phys. stat. sol: A: applied research, 171:1(1999), p. 147-157. http://hdl.handle.net/10067/214120151162165141
  • L. Fedina, O. Lebedev, G. Van Tendeloo, J. Van Landuyt, O. Mironov, E. Parker. In situ HREM irradiation study of point defect clustering in in MBE-grown strained GexSi1-x/(001)Si heterostructure, 2000, Physical Review B, Volume 61, issue 15 (April 15, 2000), p. 10336-10345. ISSN: 0163-1829.
  • Л. И Федина. О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кластеризации точечных дефектов в Si. 2001, ФТП, т. 35, № 9, стр. 1120-1127.
  • L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev. FZ-Si crystal growth and HREM study of new types of extended defects during in situ electron irradiation. 2001, J. Crystal Growth, V. 229, pp. 1-5.
  • LI Fedina, SA Song, AL Chuvilin, AK Gutakovskii and AV Latyshev, On the mechanism of {113}-defect formation in Si, In; Microscopy of semiconducting Materials, Proceedings of the 14th Conference, April 11-14 2005, Oxford UK, A.G. Cullis and J.L. Hutchison (eds.), Springer proceedings in Physics No 107, 2005 pp. 359-362.
  • Konstantin Feklistov, Ludmila I. Fedina, Boron nonuniform precipitation in Si at the Ostwald ripening stage, Physica B 404, 4641-4644 (2009). Л.И.Федина, Д.В.Щеглов, А.К. Гутаковский, С.С. Косолобов, А.В. Латышев, Прецизионные измерения параметров наноструктур, Автометрия, т.46 (2010), №4, с. 5-18.
  • L I Fedina, D V Sheglov, S S Kosolobov, A K Gutakovskii and A V Latyshev, Precise surface measurements at the nanoscale. Meas. Sci. Technol. 21 (2010) 054004 (6pp) doi:10.1088/0957-0233/21/5/054004

Монографии, главы монографий, обзоры:

  • А.Л.Асеев, Л.И.Федина, Х.Барч, Д.Хеэль. Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. Книга, «Наука», Сиб. отд., 1991, 147с.
  • A. Aseev, L. Fedina, D. Hoehl, H. Barsch, Clusters of interstitial atoms in Silicon and Germanium. Academy Verlag, Berlin, 1994, 152p.
  • Fedina, L.; Gutakovskii, A.; Aseev, A.; Landuyt, van, Joseph; Vanhellemont, J. - Intrinsic point defect clustering in Si: a study by HVEM and HREM in situ electron irradiation - In: In-situ microscopy in materials research: leading international research in electron and scanning probe microscopies. Pratibha, L. Gai [edit.]: Kluwer Academic, 1997. p. 63-92 (invited). http://hdl.handle.net/10067/214120151162165141
  • Liudmila I Fedina. "On the roles of bulk recombination of intrinsic point defects in Si and their interaction with the surface in the course of {113} defect growth: a kinetic study by in situ HVEM irradiation". -In: Defects and Diffusion in Semiconductors, Trans Tech. Public. Ed. by D. J. Fisher, 2002, (V. 210-212), pp. 21-36 (invited). DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.210-212.21.
  • Л.И.Федина, А.Л.Асеев. "Атомные механизмы кластеризации собственных точечных дефектов в Si". Нанотехнологии в полупроводниковой электронике(под редакцией А.Л.Асеева), Издательство СОРАН, 2004, с.179-201 (глава 5).