M. Orlita, D.M. Basko, M.S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.-L. Barra, G. Martinez, M. Potemski
Laboratoire National des Champs Magnétiques Intenses, CNRS-UJF-UPS-INSA, Grenoble, France.
Charles University, Faculty of Mathematics and PhysicsPrague 2, Czech Republic.
Université Grenoble 1/CNRS, France.
Laboratoire Charles Coulomb, Université Montpellier II, France.
Institute for Physics of Microstructures, RAS, Nizhny Novgorod, Russia.
Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, Warszawa, Poland.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков полупроводниковых соединений А2В6.
Institut für Physikalische Chemie, Universität Stuttgart, Stuttgart, Germany.
Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, Т.А. Гаврилова, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, К.В. Грачев, В.К. Сандырев, А.С. Кожухов, В.М. Шаяхметов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии.
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик.
Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5.
Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
С.В. Постолова, А.Ю. Миронов, Т.И. Батурина
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.