Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Впервые наблюдался режим квантового эффекта Холла (КЭХ) при азотных температурах для двумерных электронных систем на основе полупроводников. Подобное стало возможным благодаря реализации системы бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах c критической толщиной (6.3 – 6.6) нм, соответствующей переходу от прямого к инвертированному энергетическому спектру. Благодаря линейному энергетическому спектру указанной системы в ней реализуется ситуация, когда щель между основным и первым уровнем Ландау достигает сотен мэВ в магнитных полях выше 10 Т. Работа открывает перспективу реализации КЭХ при комнатной температуре.
Рис. Зависимости диссипативной (ρхх) и холловской (ρхy) компонент тензора сопротивления двумерных дираковских электронов от магнитного поля при температуре 80 К для концентраций Ns = 7.2·1011 см-2 (а) и 1.37·1012 см-2(б).
