В.А. Гайслер, А.В. Гайслер, А.С. Ярошевич, И.А. Деребезов, М.М. Качанова, Ю.А. Живодков, Т.А. Гаврилова, А.С. Медведев, Л.А. Ненашева, К.В. Грачев, В.К. Сандырев, А.С. Кожухов, В.М. Шаяхметов, А.К. Калагин, А.К. Бакаров, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев

Разработана конструкция полупроводникового брэгговского микрорезонатора для излучателей одиночных фотонов и излучателей фотонных пар на основе InAs квантовых точек. Резонатор состоит из двух полупроводниковых брэгговских зеркал p- и n-типа легирования, AlGaAs апертурного кольца и слоя InAs квантовых точек, расположенного между брэгговскими зеркалами. В сравнении с предыдущими конструкциями микрорезонаторов, содержащих AlO апертуры, данный тип микрорезонатора состоит только из согласованных по параметрам решетки полупроводниковых материалов, что обеспечивает надежную работу при криогенных температурах и устойчивость к термоциклированию. Показано, что AlGaAs кольцо одновременно выполняет функции эффективной оптической и токовой апертуры. Кроме того, это кольцо обеспечивает эффективное селективное позиционирование InAs квантовых точек в пределах своего внутреннего диаметра, размеры которого составляют единицы микрон. Показано, что внешняя квантовая эффективность в микрорезонаторах данного типа может достигать уровня 80 %, в то время как расходимость выходного излучения не превышает числовой апертуры 0.2, что обеспечивает высокую эффективность ввода излучения в стандартное оптическое волокно. Разработаны лабораторные технологические регламенты и изготовлены экспериментальные образцы микорезонаторов.

Рис. 1. Схема полупроводникового брэгговского микрорезонатора с селективно позиционированными InAs квантовыми точками.	Рис. 2. Изображение излучателя, полученное с помощью сканирующего электронного микроскопа (a,б), кристаллографические грани апертурной области (в).