Исследовано прохождение микроволнового излучения на частоте 125 ГГц через двухподзонную электронную систему в GaAs квантовой яме при температуре T = 4.2 К в магнитных полях B < 1 Тл. В магнетополевой зависимости проходящей микроволновой мощности обнаружены осцилляции, периодичность которых определяется отношением энергии межподзонного расщепления к циклотронной энергии. Полученные экспериментальные данные качественно согласуются с теорией динамической проводимости квантовых ям с двумя заполненными подзонами размерного квантования.

Рис. (a) Схематический вид профиля ограничивающего потенциала квантовой ямы GaAs с двумя заполненными подзонами (слева). Две серии уровней Ландау, возникающие из первой и второй подзон в магнитном поле B (справа). E₁ - энергетическое положение дна первой подзоны, E₂ - энергетическое положение дна второй подзоны, Δ₁₂ - межподзонное энергетическое расщепление, E_F - энергетическое положение уровня Ферми, ħ_c - энергетическое расстояние между уровнями Ландау.
(б) Схематический разрез селективно-легированной GaAs квантовой ямы с боковыми сверхрешеточными барьерами AlAs/GaAs (слева). Упрощенная схема эксперимента (справа). QW – квантовая яма. Стрелками обозначены слои GaAs, AlAs и δ-Si. Цифрами 1-4 обозначены омические контакты к образцу. RT – угольный резистор, измеряющий микроволновую мощность.
(в) Зависимость проходящей через образец микроволновой мощности P_T от магнитного поля B.
(г) Зависимость осциллирующей компоненты проходящей через образец микроволновой мощности P^osc_T от магнитного поля B. T = 4.2 K, ω/2π = 125 ГГц. Стрелками указано положение циклотронного резонанса.