Д.А. Козлов, З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий
Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5.
Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6.
Экспериментально изучены магнитотранспортные свойства трехмерного топологического изолятора (ТИ) на основе напряженного HgTe с рекордно высокой подвижностью (до 5·105 см2/Вс). Благодаря такой подвижности получена информацию о зонной структуре указанного ТИ и определена объемная щель, величина которой хорошо согласуется с результатами теоретического расчета. Создана полевая транзисторная структура, основным элементом которой является описываемый ТИ. Ее использование позволило реализовать переход объемная валентная зона-поверхностная дираковская зона - объемная зона проводимости простым изменением затворного напряжения.
Рис.: слева: а) экспериментальные структуры и зависимость подвижности от затворного напряжения; б) а) зависимости диссипативной (ρхх) и б) холловской (ρхy) компонент сопротивления от затворного напряжения; справа: а) ρхх (Vg) при различных температурах и б) в разных магнитных полях.
