Прием в аспирантуру

Поздравляем
победителей конкурса научных работ Института 2019 года!

По первому направлению:

1 премия:

О.А.Ткаченко, Д.Г.Бакшеев, В.А.Ткаченко, З.Д.Квон, А.С.Ярошевич, Е.Е.Родякина, А.В.Латышев, M.Otteneder, S.D. Ganichev
Фотон-ассистированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт – 7.8 балла

2 премия:

Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г.Галицын, К.С. Журавлев
Начальная стадия эпитаксии А³-нитридов на подложке сапфира: от нитридизации до высококачественного буфер – 3.6 балла

3 премия:

Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, С.А. Рудин, А.В. Ненашев, П.Л. Новиков, Е.Е. Родякина, Б.И. Фомин, А.В.Двуреченский
Зарождение и эпитаксиальный рост трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100) – 2.9 балла

По второму направлению:

1 премия:

С.В. Мутилин, В.Я. Принц, В.А. Селезнев, А.К.Гутаковский, Л.В. Яковкина
Синтез упорядоченного массива вертикальных нанопроволок VO₂ на наноимпринтированном Si – 7.3 балла

2 премия:

А.Г. Милёхин, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, M.Rahaman, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn
Локальный спектральный анализ наноструктур фотоники за дифракционным пределом – 6.4 балла

Лучшим докладчиком признан В.А. Ткаченко (1 место по направлению I)

Премия молодому участнику – соавтору премированной работы присуждена С.В. Мутилину (1 место по направлению II)

Программа
конкурса научных работ ИФП СО РАН

22.04. - 23.04.2019 г.
22 апреля, понедельник 9:00-18:00
конференц-зал АК

Председатель сессии: Шкляев А.А.

Направление I

№ (направление)	Время	Авторы, название работы	Рецензенты
	9:00	Вступительное слово директора ИФП СО РАН акад. РАН А.В. Латышева
	9:10	Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, П. Шенэ, П. Пиле Наблюдение борромеановских трёхчастичных резонансов Фёрстера для трёх взаимодействующих ридберговских атомов рубидия	Информация о развитий работы-победителя конкурса 2018 года по направлению I
1	9:20	Д.С. Милахин, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, Ю.Г.Галицын, К.С. Журавлев Начальная стадия эпитаксии А³-нитридов на подложке сапфира: от нитридизации до высококачественного буфера	В.В. Преображенский О.Е. Терещенко
2	10:00	Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, В.А. Володин, А.Олейничак, В.А. Скуратов, С.В. Ерохин, Д.Г. Квашнин, Л.А. Чернозатонский, А.В. Крашенинников, П.Б.Сорокин Наноструктурирование пленок мультиграфена при помощи облучения тяжелыми ионами высоких энергий	Г.Н. Камаев А.В. Ненашев
3	10:40	А.В. Царев Дисковый оптический резонатор с модуляцией формы с возможностью излучения по нормали к поверхности	С.В. Перминов Д.А. Шапиро
11:20 - 11:30 Перерыв *Председатель сессии: Семёнова О.И.*
4	11:30	Ж.В. Смагина, В.А. Зиновьев, С.А. Рудин, А.В. Ненашев, П.Л. Новиков, Е.Е. Родякина, Б.И. Фомин, А.В. Двуреченский Зарождение и эпитаксиальный рост трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)	Н.Л. Шварц Л.В. Соколов
5	12:10	О.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, В.А. Ткаченко, З.Д. Квон, А.С. Ярошевич, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, M. Otteneder, S.D. Ganichev Фотон-ассистированное прохождение электрона через туннельный точечный контакт	В.Л. Альперович О.Е. Терещенко
6	12:50	М.Ю. Есин, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев, А.Р. Туктамышев, В.И. Машанов, И.Д. Лошкарев, А.С.Дерябин, Ю.Ю. Эрвье, О.П. Пчеляков Формирование доменной структуры в процессе эпитаксии Si и Ge на поверхности Si(100) отклоненной менее 0,5°	В.А. Зиновьев С.В. Ситников
13:30 - 14:30 Перерыв *Председатель сессии: Наумова О.В.* Направление II
7	14:30	А.Г. Милёхин, Т.А. Дуда, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, M. Rahaman, V.M. Dzhagan, D.R.T. Zahn Локальный спектральный анализ наноструктур фотоники за дифракционным пределом	В.А. Володин А.Б. Талочкин
8	15:10	А.С. Тарасов, Д.В. Ищенко, А.Н. Акимов, О.И. Ахундов, В.А. Голяшов, А.Э. Климов, Н.С. Пащин, С.П. Супрун, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоёв PbSnTe с составом вблизи инверсии зон	Н.А. Валишева И.Е. Тысченко
16:30 - 16:40 Перерыв *Председатель сессии: Володин В.А.*
9	16:40	С.В. Мутилин, В.Я. Принц, В.А. Селезнев, А.К. Гутаковский, Л.В. Яковкина Синтез упорядоченного массива вертикальных нанопроволок VO₂ на наноимпринтированном Si	А.В. Алиев С.И. Романов
10	17:20	Л.С. Басалаева, Ю.В. Настаушев, Н.В. Крыжановская, Э.И. Моисеев, Д.А. Раднатаров, С.А. Хрипунов, Д.Е. Уткин, И.Б. Чистохин, А.В. Латышев, Ф.Н. Дульцев Резонансное отражение света упорядоченными массивами кремниевых нанопилларов с вертикальным p-n переходом	О.И. Семёнова А.В. Царев

23 апреля, вторник 10:00
конференц-зал АК

Направление I,II

Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: О.Е. Терещенко

После окончания дискуссии — заседание конкурсной комиссии

Программа
конкурса научных работ ИФП СО РАН

26.04. - 28.04.2023 г.

26 апреля, среда 9:30-16:00
конференц-зал АК

Направление I *Сессия 1. Председатель сессии: Д.В. Щеглов*
№ работы	Время	Авторы, название работы	Рецензенты
	9:30	Вступительное слово директора ИФП СО РАН акад. РАН А.В. Латышева
	9:40	Работа - победитель конкурса 2022 г. И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Н.В. Альянова, К.Ю. Митянин, А.М. Фарук, Я.В. Кудлаев, У. Сингх, И.И. Рябцев «Однокубитовые вентили с ультрахолодными нейтральными атомами» Текущее состояние и перспектива развития работы.
1	9:55	А.А. Спирина, В.Л. Альперович, Н.Л. Шварц «Ленгмюровское испарение GaAs(111)A и GaAs(111)B: моделирование методом Монте-Карло»	А.А. Шкляев А.В. Васев
2	10:35	Я.Е. Майдэбура, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, К.С. Журавлев «Поверхностная энергия и морфология монослоев GaN на поверхности AlN в потоке аммиака»	В.А. Голяшов, Н.Л. Шварц
11:15 - 11:30 Перерыв
*Сессия 2. Председатель сессии: А.А. Шкляев*
3	11:30	P. Zhao, Ch.H. Sharma, R. Liang, Ch. Glasenapp, L. Mourokh, V.M. Kovalev, P. Huber, M. Prada, L. Tiemann, R.H. Blick «Acoustically Induced Giant Synthetic Hall Voltages in Graphene»	А.Г. Погосов В.А. Ткаченко
4	12:10	О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, О.П. Сушков «Диаграммы Ванье и магнитотранспорт в мезоскопическом полупроводниковом искусственном графене»	А.Г. Погосов Е.Б. Ольшанецкий
12:50 - 14:00 Перерыв
*Сессия 3. Председатель сессии: В.М. Ковалёв*
5	14:00	Л.А. Федюхин, А.В. Горчаков, Е.А. Колосовский, Н.Г. Коробейщиков, И.В. Николаев «Новый подход к измерению оптических характеристик материалов. Теоретическое обоснование. Метод угловых инвариантов»	Е.В. Спесивцев В.Г. Половинкин
6	14:40	Н.Н. Курусь, И.А. Милёхин, Н.А. Небогатикова, И.В. Антонова, Е.Е. Родякина, А.Г. Милёхин, А.В. Латышев «Плазмон-усиленное комбинационное рассеяние света в многослойном графене: от микро- к наноуровню»	В.А. Володин А.Б. Талочкин
7	15:20	А.М. Фарук, И.И. Бетеров, Сюй Пэн, И.И. Рябцев «Масштабируемая архитектура гетероядерного регистра нейтральных атомов на основе электромагнитно-индуцированной прозрачности»	Е.Б. Хворостов В. А. Томилин

27 апреля, четверг 9:30 -15:30
конференц-зал АК

*Сессия 4. Председатель сессии: Д.С. Милахин*
8	9:30	Д.С. Абрамкин, М.О. Петрушков, Д.Б. Богомолов, Е.А. Емельянов, М. Ю. Есин, А.В. Васев, А.А. Блошкин, Е.С. Коптев, М.А. Путято, В.В. Атучин В.В. Преображенский «Новые самоорганизованные A^IIIB^V квантовые точки для создания элементов универсальной памяти»	Д.Р. Исламов В.А. Зиновьев
9	10:10	Д.В. Щеглов, Д.И. Рогило, Л.И. Федина, С.В. Ситников, Е.В. Сысоев, А.В. Латышев «Меры высоты, созданные на основе bottom-up подхода, для кремниевой нанометрологии»	В.Л. Альперович Н.А.Небогатикова
10	10:50	A.S. Petrov, D.I. Rogilo, R.A. Zhachuk, A.I. Vergules, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev «Structural transitions on Si(111) surface during Sn adsorption, electromigration, and desorption studied by in situ UHV REM»	В.Г. Мансуров А.Е. Долбак
11:30 - 11:45 Перерыв
*Сессия 5. Председатель сессии: О.И. Семёнова*
11	11:45	Т.С. Шамирзаев, D. S. Smirnov, D. R. Yakovlev, M. Bayer «Динамическая спиновая поляризация электронов: новый механизм спиновой поляризации в немагнитных наноструктурах»	В.М. Ковалёв А.Ф. Зиновьева
12	12:25	V. S. Rusetsky, V. A. Golyashov, S. V. Eremeev, D. A. Kustov, I. P. Rusinov, T. S. Shamirzaev, A. V. Mironov, A. Yu. Demin, and O. E. Tereshchenko «Источник спин-поляризованных электронов на основе мультищелочного фотокатода»	А.С. Терехов М.В. Энтин
13:05 - 14:10 Перерыв
Направление II *Сессия 6. Председатель сессии: В.Л. Альперович*
13	14:10	В.А. Антонов, В.П. Попов, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, А.В. Мяконьких, К.В. Руденко «КНС структуры для радиофотонных и СВЧ интегральных схем»	Д.Р. Исламов В.Ш. Алиев
14	14:50	Д.Ю. Протасов, Д.В. Дмитриев, К.С. Журавлев, Г.И. Айзенштат, А.Ю. Ющенко, А.Б. Пашковский. «Гетероструктуры для ключевых pHEMT транзисторов СВЧ-диапазона»	А.Э. Климов С.Н. Речкунов

28 апреля, пятница 9:30 -12:35
конференц-зал АК

*Сессия 7. Председатель сессии: А.Э Климов*
15	9:30	Д.В. Горшков, С.Н. Косолобов, А.С. Терехов, Г.Э. Шайблер, L.B. Jones, B.L. Militsyn, T.C.Q. Noakes «Методика измерения распределений эмитируемых фотокатодами электронов по поперечной компоненте энергии и её реализация на спектрометре TESS»	Л.С. Брагинский А.Г. Паулиш
16	10:10	Д.В. Щеглов, О.И. Семёнова, М.А. Демьяненко, С.В. Родякин, Д.И. Рогило, С.В. Ситников, Н.Н. Курусь, А.К. Гутаковский, А.Л. Асеев, А.В. Латышев, Л.И. Федина «Углеродные нанотрубки в терагерцовой полупроводниковой сенсорике»	В.А. Гайслер И.В. Антонова
10:50 - 11:05 Перерыв
*Сессия 8. Председатель сессии: Н.Л. Шварц*
17	11:05	А.И. Иванов, И.В. Антонова, Р.А. Соотс, А.К. Гутаковский, В.Я. Принц «Гибкие мемристоры на основе фторированного графена с наночастицами V₂O₅»	В.А. Гриценко Ю.А. Новиков
18	11:55	Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, А.М. Гилинский, О.Е. Терещенко, Д.Ю. Протасов, И.А. Александров, И.Д. Лошкарёв, К.С. Журавлев «Рост in situ пассивированных SiN/AlN/GaN гетероструктур с бинарным барьером AlN для нормально-закрытых СВЧ транзисторов»	В.В. Преображенский О.В. Наумова

Направление I,II

14:00 Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: А.Г. Милёхин

После окончания дискуссии — заседание конкурсной комиссии

Программа
конкурса научных работ ИФП СО РАН

26.04. - 27.04.2022 г.

26 апреля, вторник 9:00-18:00
конференц-зал АК

Председатель сессии:А.И. Никифоров

Направление I

№ работы	Время	Авторы, название работы	Рецензенты
	9:00	Вступительное слово директора ИФП СО РАН акад. РАН А.В. Латышева
1	9:10	Р.А. Жачук, Д.И. Рогило, А.С. Петров, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, С. Колонна, Ф. Ронси «Динамика адатомов Sn на поверхности Si(111)- √3×√3 -Sn вблизи ступеней»	А.Е. Долбак, Н.Л. Шварц
2	9:50	А. Ф. Зиновьева, В.А. Зиновьев, А. В. Ненашев, А. А. Шкляев, Л. В. Кулик, А. В. Двуреченский. «Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами Ge/Si квантовых точек»	В.П. Попов О.Е. Терещенко
3	10:30	И.А. Милехин, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, А.Г. Милехин, А.В. Латышев, Д.Р.Т. Зан «Нано-ИК спектроскопия нанопроволок SiO_x»	В.А. Володин А.А. Шкляев
11:10 - 11:25 Перерыв *Председатель сессии: О.В. Наумова*
4	11:25	И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, Д.Б. Третьяков, В.М. Энтин, Н.В. Альянова, К.Ю. Митянин, А.М. Фарук, Я.В. Кудлаев, У. Сингх, И.И. Рябцев «Однокубитовые вентили с ультрахолодными нейтральными атомами»	А.Ф.Зиновьева А.В. Царев
5	12:05	Д. Р. Исламов, А. А. Чернов, А. А. Пильник «Модели нелинейного транспорта через ловушки в диэлектриках»	В.М. Ковалев М.В. Энтин
12:45 - 14:00 Перерыв *Председатель сессии: А.А. Шкляев*
6	14:00	Д.М. Казанцев, А.Г. Журавлев, В.Л. Альперович, Л.Д. Шварцман, "Угловые распределения электронов, эмитированных из полупроводников с отрицательным и положительным электронным сродством: влияние скачка массы"	Л.С. Брагинский В.А. Ткаченко
7	14:40	I. Vakulchyk, V. M. Kovalev, and I. G. Savenko «Nonequilibrium theory of the photoinduced valley Hall effect»	Д.А. Козлов Д.А.Похабов
8	15:20	В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, С.А. Тийс, Д.С. Милахин, К.С. Журавлев, «Графеноподобная модификация нитрида кремния g-Si₃N₃ на поверхности кремния Si(111)»	В.А. Гриценко И.В. Антонова
16:00 - 16:15 Перерыв *Председатель сессии: А.А. Шкляев*
9	16:15	И.О. Ахундов, В.В. Вилков, В.А. Голяшов, С.А. Дворецкий, Д.В. Ищенко, А.Е. Климов, А.С. Кожухов, К.А. Кох, О.Ю. Кузнецов, Р.В. Менщиков, Н.Н. Михайлов, А.Г. Рыбкин, И.Н. Ужаков, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, Е.В. Федосенко, В.Н. Шерстякова, О.Е. Терещенко. «Универсальный метод приготовления атомарно-чистых и структурно-упорядоченных поверхностей соединений A^IIB^VI, A^VB^VI и A^IVB^VI»	М.С. Аксенов Е.Р. Закиров
10	16:55	О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, О.П. Сушков «Моделирование квантового эффекта Холла в образцах с длинноволновым слабым беспорядком»	Д.А. Козлов А.Г.Погосов

27 апреля, среда 9:00
конференц-зал АК

Председатель сессии: О.И. Семёнова

Направление II

№ работы	Время	Авторы, название работы	Рецензенты
11	9:00	Азаров И.А., Швец В.А., Марин Д.В., Якушев М.В., Рыхлицкий С.В. «Термометрия низкотемпературных процессов эпитаксиального роста КРТ методом спектральной эллипсометрии»	А.И. Торопов, Л.В. Соколов
12	9:40	А. В. Зверев, Д.Е. Ипатов «Программный комплекс симуляции динамических ИК сцен для оптимизации характеристик ФПУ нового поколения»	А.Э. Климов, И.И. Кремес
10:20 - 10:35 Перерыв *Председатель сессии: О.И. Семёнова*
13	10:35	В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Т.С. Шамирзаев, Н.В. Кислых, А.В. Миронов, В.В. Аксёнов, А.Ю. Дёмин, О.Е. Терещенко. «Полупроводниковый спин-детектор свободных электронов с пространственным разрешением»	А.В. Двуреченский, Г.Э. Шайблер
14	11:15	Д.Р. Исламов, Т М. Залялоа, В.А. Гриценко, Т.В. Перевалов, В.А. Пустоваров, О.М. Орлов, А.Г. Черникова, А.М. Маркеев, S. Slesazeck, U. Schroeder, T. Mikolajick, Г.Я. Красников «Влияние собственных дефектов и примесей на сегнетоэлектрические свойства плёнок легированного оксида гафния»	И.Е. Тыщенко В.А. Володин

27 апреля, среда 14:00
конференц-зал АК

Направление I,II

Обсуждение конкурсных работ

Председатель сессии: О.Е. Терещенко

После окончания дискуссии — заседание конкурсной комиссии

Поздравляем
победителей конкурса научных работ Института 2018 года!

По первому направлению:

1 премия:

Д.Б. Третьяков, И.И. Бетеров, Е.А. Якшина, В.М. Энтин, И.И. Рябцев, П. Шенэ, П. Пиле
Наблюдение борромеановских трёхчастичных резонансов Фёрстера для трёх взаимодействующих ридберговских атомов рубидия – 5.7 балла

2 премия:

Д.А. Похабов, А.Г. Погосов, Е.Ю. Жданов, А.А. Шевырин, А.К. Бакаров, А.А. Шкляев
Электрическая спиновая поляризация в подвешенных GaAs квантовых точечных контактах – 4.32 балла

М.В. Бурдастых, С.В. Постолова, А.Ю. Миронов
Сверхпроводник и сверхизолятор как топологические фазы материи – 3.84 балла

3 премия:

О.А. Ткаченко, В.А. Ткаченко
Полупроводниковый искусственный графен: эффекты в слабом магнитном поле – 3.33 балла

Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов
Экспериментальное наблюдение перемещения краевых дислокаций в гетероструктурах Ge/Ge_xSi_1−x/Si(001) – 3.11 балла

Л.С. Брагинский, Л.И. Магарилл, М.М. Махмудиан, М.В. Энтин
Краевые состояния электронов в двумерном топологическом изоляторе: физические последствия линейности электронного спектра – 2.65 балла

По второму направлению:

1 премия:

В.А. Голяшов, И.Б. Чистохин, А.С. Ярошевич, Т.С. Шамирзаев, И.А. Деребезов, В.А. Гайслер, И.И. Мараховка, А.В. Копотилов, Н.В. Кислых, А.В. Миронов, В.В. Аксенов, О.Е. Терещенко
Фотоэмиссионные и инжекционные свойства вакуумного фотодиода с полупроводниковыми электродами с эффективным отрицательным электронным сродством – 7.9 балла

Лучшим докладчиком признана Е.А. Якшина (1 место по направлению I)

Премия молодому участнику – соавтору премированной работы присуждена М.В. Бурдастых (2 место по направлению I)