Дата рождения: |
10.04.1991 |
Вуз (дата окончания): |
НГУ (2014) |
Год поступления в аспирантуру: |
2014 |
Форма обучения: |
очная |
Направление подготовки: |
03.06.01 - "Физика и астрономия" |
Специальность: |
01.04.10 - "Физика полупроводников" |
Тема диссертации: |
Моделирование процессов выглаживания и разупорядочения поверхности полупроводников |
Научный руководитель: |
д.ф.-м.н. Альперович Виталий Львович |
Лаборатория: |
Лаб. №8 |
E-mail: |
dmkazantsevisp.nsc.ru |
Название | Первая страница |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, V.L. Alperovich, N.L. Shwartz, A.S. Kozhukhov, A.V. Latyshev, Thermal smoothing and roughening of GaAs surfaces: experiment and Monte Carlo simulation, Semiconductors 52, 2018, 618–621. doi:10.21883/FTP.2018.05.45858.47 |
 |
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, A.S. Kozhuhov, V.L. Alperovich, Optimization of conditions for thermal smoothing GaAs surfaces, J. Phys. Conf. Ser. 993, 2018, 012010. doi:10.1088/1742-6596/993/1/012010 |
 |
A.G. Zhuravlev, D.M. Kazantsev, V.S. Khoroshilov, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers, J. Phys. Conf. Ser. 993, 2018, 012007. doi:10.1088/1742-6596/993/1/012007 |
 |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, V.L. Alperovich, Thermodynamic and kinetic roughening: Monte Carlo simulation and experiment on GaAs, J. Phys. Conf. Ser. 816, 2017, 012008. doi:10.1088/1742-6596/816/1/012008 |
 |
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, V.L. Alperovich, D.V. Sheglov, A.S. Kozhukhov, A.V. Latyshev, Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing, Appl. Surf. Sci. 406, 2017, p. 307–311. doi:10.1016/j.apsusc.2017.02.062 |
 |
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, A.S. Kozhuhov, V.L. Alperovich, Thermal roughening of GaAs surface by dislocation-induced step-flow sublimation, J. Phys. Conf. Ser. 741, 2016, 012042. doi:10.1088/1742-6596/741/1/012042 |
 |
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, V.L. Alperovich, N.S. Rudaya, E.E. Rodyakina, A.V. Latyshev, Formation and interaction of dislocation-induced and vicinal monatomic steps on a GaAs(001) surface under stress relaxation, Scripta Materialia 114, 2016, p. 125–128. doi:10.1016/j.scriptamat.2015.12.017 |
 |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Anisotropy in Ostwald ripening and step-terraced surface formation on GaAs(001): experiment and Monte Carlo simulation, Appl. Surf. Sci. 359, 2015, p. 372–379. doi:10.1016/j.apsusc.2015.10.074 |
 |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev, Monte Carlo simulation of GaAs(001) surface smoothing in equilibrium conditions, Appl. Surf. Sci. 333, 2015, p. 141–146. doi:10.1016/j.apsusc.2015.01.226 |
 |
Название | Обложка | Первая страница |
И.О. Ахундов, Д.М. Казанцев, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, Оптимизация условий термического выглаживания поверхности арсенида галлия, Тезисы докладов XIX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2017, с. 17. Устный доклад. |
 |
 |
А.Г. Журавлев, Д.М. Казанцев, А.С. Кожухов, В.С. Хорошилов, В.Л. Альперович, Фотоэмиссионные свойства гладких и шероховатых поверхностей арсенида галлия с адсорбированными слоями цезия и кислорода, Тезисы докладов XIX Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2017, с. 19. Стендовый доклад. |
 |
 |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, Кинетическое огрубление рельефа поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, Екатеринбург, 2017, с. 89. Стендовый доклад. |
 |
 |
А.Г. Журавлев, А.С. Романов, М.Л. Савченко, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович, Влияние ширины приповерхностной области изгиба зон на вероятность выхода электронов из Cs/GaAs, Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, Екатеринбург, 2017, с. 85. Стендовый доклад. |
 |
 |
V.L. Alperovich, D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.S. Kozhukhov, A.V. Latyshev, Thermal smoothing and roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation, 25th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, 2017, p. 256–258. |
 |
 |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, Термодинамическое и кинетическое разупорядочение: моделирование Монте-Карло и эксперимент на GaAs, Тезисы докладов XVIII Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2016, с. 19. Устный доклад. |
 |
 |
I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, A.S. Kozhuhov, V.L. Alperovich, Thermal roughening of GaAs surface by dislocation-induced step-flow sublimation, Book of abstracts of 3rd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2016” on optoelectronics, photonics, engineering and nanostructures, Saint Petersburg, 2016, p. 29-30. |
 |
 |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, Н.Л. Шварц, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, Разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, Материалы XX Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2016, c. 598-599. Стендовый доклад. |
 |
 |
А.Г. Журавлев, К.В. Коновалов, А.С. Романов, М.Л. Савченко, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович, Фотоэмиссия из p-GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством, Материалы XX Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2016, c. 585-586. Стендовый доклад. |
 |
 |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, Н.Л. Шварц, В.Л. Альперович, А.С. Терехов, А.В. Латышев, Выглаживание и разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Звенигород, 2015, с. 148. Стендовый доклад. |
 |
 |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Ostwald ripening during GaAs(001) step-terraced surface morphology formation in equilibrium conditions, Abstracts of Japan-Russia Joint Seminar “Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure”, Sendai, Japan, 2015, p. 57. Устный + стендовый доклад. |
 |
 |
В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Н.С. Рудая, А.С. Ярошевич, Д.М. Казанцев, Н.Л. Шварц, Е.Е. Родякина, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Вицинальные и дислокационные моноатомные ступени на атомно-гладких поверхностях GaAs(001), Труды XIX Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2015, c. 229-230. |
 |
 |
Д.М. Казанцев, Моделирование методом Монте-Карло процесса выглаживания поверхности GaAs (001) в равновесных условиях, Материалы 52-й Международной студенческой конференции “МНСК-2014”, Новосибирск, 2014, c. 14. Устный доклад. |
 |
 |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Формирование поверхностей GaAs с атомно-гладкими террасами и моноатомными ступенями: эксперимент и Монте-Карло моделирование, Труды XVIII Международного симпозиума “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2014, c. 390. Стендовый доклад. |
 |
 |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Formation of step-terraced GaAs surfaces in equilibrium conditions: Monte Carlo simulation, Abstracts of the 3rd Russia-Japan workshop “Problems of advanced materials”, Novosibirsk, 2013, p. 41. Устный + стендовый доклад. |
 |
 |
В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Н.С. Рудая, Д.М. Казанцев, Е.Е. Родякина, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Атомно-гладкие поверхности GaAs(001) с прямолинейными моноатомными ступенями, индуцированными дислокациями, Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 2013, с. 60. |
 |
 |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Monte Carlo simulation of GaAs smoothing in equilibrium conditions, 21th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, 2013, p. 279–280. Стендовый доклад. |
 |
 |
Название | Обложка тезисов | Обложка программы | Время выступления | Первая страница |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, Кинетическое огрубление рельефа поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 2017, стендовый доклад |
 |
 |
 |
 |
А.Г. Журавлев, А.С. Романов, М.Л. Савченко, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович, Влияние ширины приповерхностной области изгиба зон на вероятность выхода электронов из Cs/GaAs, XIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 2017, стендовый доклад |
 |
 |
 |
 |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, А.С. Кожухов, В.Л. Альперович, Термодинамическое и кинетическое разупорядочение: моделирование Монте-Карло и эксперимент на GaAs, XVIII Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, Санкт-Петербург, 2016, устный доклад |
 |
 |
 |
 |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, Н.Л. Шварц, В.Л. Альперович, А.В. Латышев, Разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, XX Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2016, стендовый доклад |
 |
|
 |
 |
А.Г. Журавлев, К.В. Коновалов, А.С. Романов, М.Л. Савченко, Д.М. Казанцев, В.Л. Альперович, Фотоэмиссия из p-GaAs(Cs,О) с положительным и отрицательным электронным сродством, XX Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2016, стендовый доклад |
 |
|
 |
 |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, Н.Л. Шварц, В.Л. Альперович, А.С. Терехов, А.В. Латышев, Выглаживание и разупорядочение ступенчато-террасированной поверхности GaAs: эксперимент и Монте-Карло моделирование, XII Российская конференция по физике полупроводников, Звенигород, 2015, стендовый доклад |
 |
|
 |
 |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Ostwald ripening during GaAs(001) step-terraced surface morphology formation in equilibrium conditions, Japan-Russia Joint Seminar “Advanced Materials Synthesis Process and Nanostructure”, Sendai, Japan, 2015, устный доклад |
 |
|
 |
 |
Д.М. Казанцев, Моделирование методом Монте-Карло процесса выглаживания поверхности GaAs (001) в равновесных условиях, 52-ая Международная студенческая конференция “МНСК-2014”, Новосибирск, 2014, устный доклад |
 |
|
|
 |
Д.М. Казанцев, И.О. Ахундов, В.Л. Альперович, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, А.С. Кожухов, А.В. Латышев, А.С. Терехов, Формирование поверхностей GaAs с атомно-гладкими террасами и моноатомными ступенями: эксперимент и Монте-Карло моделирование, XVIII Международный симпозиум “Нанофизика и наноэлектроника”, Нижний Новгород, 2014, стендовый доклад |
 |
|
 |
 |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Formation of step-terraced GaAs surfaces in equilibrium conditions: Monte Carlo simulation, The 3rd Russia-Japan workshop “Problems of advanced materials”, Novosibirsk, 2013, устный доклад |
 |
|
 |
 |
D.M. Kazantsev, I.O. Akhundov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, V.L. Alperovich, A.V. Latyshev, Monte Carlo simulation of GaAs smoothing in equilibrium conditions, 21th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology, St.Petersburg, 2013, стендовый доклад |
 |
|
|
 |
1. В.Л. Альперович, И.О. Ахундов, Д.М. Казанцев, Н.С. Рудая, Е.Е. Родякина, А.С. Кожухов, Д.В. Щеглов, А.Н. Карпов, Н.Л. Шварц, А.С. Терехов, А.В. Латышев, Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях, Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск, 2014, с. 221-240.
2. V.L. Alperovich, I.O. Akhundov, D.M. Kazantsev, N.S. Rudaya, E.E. Rodyakina, A.S. Kozhukhov, D.V. Sheglov, A.N. Karpov, N.L. Shwartz, A.S. Terekhov, A.V. Latyshev, Formation of GaAs step-terraced surfaces by annealing in equilibrium conditions, in: Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications, Elsevier, 2016, p. 255–277.