ФОТОНИКА 2025: Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. – М. : Издательство "Перо", 2025. – 160 с.
ISBN 978-5-00270-084-4
В сборник вошли тезисы докладов, представленных на Российской конференции и школе молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2025», проходившей 8-12 сентября 2025 года в г. Новосибирске.
Тематика конференции охватывает широкий круг вопросов физики квантовых эффектов, оптических и фотоэлектрических явлений, формирования наноструктур на основе широкого спектра полупроводниковых материалов и нанокристаллов, преобразования и взаимодействия оптического излучения. Материалы отражают новейшие направления развития отечественных фотоэлектронных технологий, связанные с регистрацией сверхслабых оптических сигналов в ультрафиолетовом, инфракрасном, терагерцовом и видимом диапазонах спектра. Сборник может быть полезен специалистам в области фотоэлектроники, а также будет интересен преподавателям ВУЗов, аспирантам и студентам.
УДК 621.383(043)
ББК 32.854я431+22.343я431
ISBN 978-5-00270-084-4
© ИФП СО РАН, 2025
| Содержание | стр. 7 |
| Твердотельная фотоника коротковолнового ИК диапазона спектра. А.В. Полесский, В.В. Старцев, И.Д. Бурлаков, К.О. Болтарь, В.С. Попов, Н.И. Яковлева, А.Н. Кузнецов, П.С. Лазарев, А.А. Лопухин, К.А. Хамидуллин | стр.15 |
| Линейка оборудования проекционной литографии для технологий интегральной фотоники SiON,
SiOGe, SOI А.А. Ковалев | стр.16 |
| Развитие технологий эпитаксии гетероструктур КРТ и создания матричных ИК фотоприемников на
их основе в ИФП СО РАН. М.В. Якушев,В.С. Варавин, Ю.С. Макаров, И.В. Марчишин, В.Г. Ремесник, И.В. Сабинина, Г.Ю Сидоров, Е.В. Спесивцев, Е.Р. Закиров, В.А. Швец, А.В. Латышев | стр.17 |
| Применение инфракрасных кадмий-ртуть-теллуровых фотоприемников в фурье-спектрометрах
нового поколения. А.Н. Морозов, С.Е. Табалин, И.Л. Фуфурин | стр.18 |
| Электронно-оптические преобразователи от рентгеновского до ИК диапазона О.Е. Терещенко, Г.Э. Шайблер, К.В. Меркулин, В.В. Бакин, С.А. Рожков, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, Д.А. Кустов, А.Ю. Демин | стр.19 |
| Матричный КМОП-фотоприемник формата 2048×2048 ячеек 5,3×5,3 мкм. К.С. Баталов, С.С. Татаурщиков, Д.В. Бородин, Ю.В. Осипов | стр.20 |
| Выращивание легированных индием широкозонных слоев HgCdTe и контроль кристаллической
структуры методами генерации второй гармоники. С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, В.Г. Ремесник, М.Ф. Ступак, С.Н. Макаров, А.Г. Елесин | стр.21 |
| Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных
молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором. К.Д. Мынбаев, И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, И.Н. Ужаков, С.А. Дворецкий, М.В. Якушев | стр.22 |
| Полноформатные матричные фотоприемники на основе коллоидных квантовых точек PbS на
спектральный диапазон 0,4-2,0 мкм. В.П. Пономаренко, В.С. Попов, М.А. Панков, К.А. Хамидуллин, А.Д. Деомидов, А.А. Федоров, Г.Ю. Деев, Д.Э. Драгунов, О.В. Епифанов, Ш.И. Зарипов, П.С. Лазарев, Е.В. Мирофянченко, Д.В. Ильинов, В.А. Петрушина, П.А. Кузнецов, А.Н. Кузнецов, И.Д. Бурлаков, А.В. Полесский, В.В. Старцев, С.Б. Бричкин, М.Г. Спирин, С.А. Товстун, М.В. Гапанович, В.Ю. Гак, А.В. Гадомская, Д.Н. Певцов, А.В. Кацаба, А.С. Кириченко, Д.В. Демкин, В.А. Иванова, В.В. Иванов, В.Ф. Разумов | стр.23 |
| Микроболометрические приемники терагерцового излучения в режиме синхронного детектирования. М.А. Демьяненко, И.В. Марчишин, Д.В. Щеглов, В.Ш. Алиев, А.В. Наумов, В.В.Старцев | стр.24 |
| Сверхпроводниковый однофотонный детектор – ключевой элемент квантовых фотонных
интегральных схем. Г.Н. Гольцман | стр.25 |
| Формирование композитных структур Si с наночастицами A3B5 для фотоэлектроники ближнего ИК диапазона Р.И. Баталов, В.В. Базаров, Е.М. Бегишев, Н.М. Лядов, И.М. Подлесных, Д.Д. Зайцев | стр.26 |
| Высокочувствительный LWIR детектор в гетеро структуре GaAs с двумя квантовыми ямами. С.Р. Егиян, О.А. Клименко, В.Н. Антонов | стр.27 |
| Матрицы фотодиодов коротковолнового ИК диапазона на основе XBn-структур InGaAs. Н.А. Иродов, К.О. Болтарь, М.В. Седнев, А.В. Трухачев, А.А. Лопухин | стр.28 |
| Усиление фототока поверхностными метаструктурами в фотодетекторах ближнего инфракрасного
диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge. А.А. Блошкин, А.И. Якимов, В.В. Кириенко, Д.Е. Уткин, А.В. Двуреченский | стр.29 |
| Влияние термического отжига множественных HgTe КЯ на длинноволновую границу ИК
фотоприемников. Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Р.Н. Менщиков, В.Г. Ремесник, И.Н. Ужаков, В.Я. Алешкин, С.В. Морозов | стр.30 |
| Трехфотонное лазерное возбуждение одиночных атомов Rb
для применений в квантовой информатике. И.И.Рябцев, И.И.Бетеров, Е.А.Якшина, Н.Н.Безуглов, K.Miculis, A.Cinins, Д.Б.Третьяков, В.М. Энтин, Г.Сулиман, П.И.Бетлени | стр.31 |
| Квантовые сенсоры на основе холодных атомов для фундаментальных и практических приложений. О.Н. Прудников, А.Н. Гончаров А.Н., А.В. Тайченачев, В.И. Юдин, Д.В. Бражников | стр.32 |
| Увеличение дальности квантового распределения ключей при помощи генератора на основе
ультракоротких лазерных импульсов. В.Г. Попов | стр.33 |
| Полупроводниковая радиофотоника – основные принципы, применение, состояние и перспективы. Л.И. Бабак, А.А. Коколов | стр.34 |
| Электронная компонентная база на основе фосфида индия для волоконно-оптических систем связи и
радиофотоники. Д.В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, А.М. Гилинский, М.С. Аксенов, А.В. Царев, Е.А. Колосовский | стр.35 |
| Разработка квазиоптических дихроичных фильтров мм/субмм-диапазонов спектра для наземных и
космических обсерваторий. С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, П.А. Лазорский, С.Ю. Турыгин, А.В. Худченко, Р.А. Чёрный, Е.С. Голубев | стр.36 |
| Однофотонный лавинный фотодиод на основе полупроводниковых гетероструктур InP/InGaAs/InP
для систем квантовой связи. В.В. Преображенский, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, М.О. Петрушков, М.С. Аксенов, А.С. Плешков, Б.Р. Карымов, И.И. Рябцев | стр.37 |
| Нитевидные нанокристаллы для оптоэлектронных приложений. Г.Э. Цырлин, В.О. Гридчин, Р.Р. Резник | стр.38 |
| Лавинные фотодиоды планарных и меза конструкций на основе InP/InGaAs/InP и InGaAs/InAlAs/InP
гетероструктур для систем лазерной связи. М.С. Аксенов, А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, Д.В. Гуляев, И.Б. Чистохин, М.А. Путято, М.О. Петрушков, В.В. Преображенский | стр.39 |
| Оптические свойства нанокристаллов InSb, ионно-синтезированных на границе раздела Si/SiO 2
структур кремний-на-изоляторе. И.Е. Тысченко, Р.И. Баталов, В.А. Володин, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, В.П. Попов | стр.40 |
| III-N гетероструктуры в нитевидных нанокристаллах: рост, механизмы формирования и физические
свойства. В.О. Гридчин, К.П. Котляр, Р.Р. Резник, А.М. Минтаиров, В.Ю. Давыдов, В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин | стр.41 |
| NV- центры в наноструктурах алмаза: ФЛ, ОДМР и когерентность спинов. С.Н. Подлесный, И.А. Карташов, В.А. Антонов, Ю.А. Живодков, В.П. Попов, В.А. Володин, И.Н. Куприянов, Ю. Н. Пальянов | стр.42 |
| СВЧ-фотокондактанс GaAs/AlGaAs-наносистем в переходе от двумерного электронного газа к
заполнению подзон квантового точечного контакта. В.А. Ткаченко, А.С. Ярошевич, И.В. Марчишин, А.К. Бакаров, Е.Е Родякина, З.Д. Квон | стр.43 |
| Морфология и антиотражающие свойства слоёв теллура. А.А. Шкляев, А.В. Царев | стр.44 |
| Физика и технология пространственных фазовых модуляторов света на жидких кристаллах. С.В. Мутилин, А.Г. Милёхин, Ю.С. Макаров, В.А. Селезнев, В.С. Тумашев, Е.К. Багочюс, А.В. Принц, Н.И. Лысенко, С.Н. Речкунов, А.Е. Гайдук, А.И. Комонов, И.А. Азаров, И.И. Кремис, А.В. Турбин, Р.А. Гладков, В.В. Васильев, А.А. Моисеев, А.В. Латышев, В.С. Сутормин, М.Н. Крахалев, А.В. Баранник, К.А. Фейзер, А.С. Абдуллаев, Д.А. Костиков, М.А. Лесной, О.О. Прищепа, В.Я. Зырянов, С.Д. Рудаков, С.И. Суродин, Т.А. Шоболова, Е.Л. Шоболов, Д.М. Линник, В.А. Юрин, Р.М. Шагалиев . | стр.45 |
| Цезий-индуцированные электронные состояния на поверхности n-GaAs(Cs,O). М.М. Верчук, В.С. Хорошилов, Д.М. Казанцев, С.А. Рожков, В.Л. Альперович | стр.46 |
| Объемный и поверхностный каналы спин-поляризованной фотоэмиссии из фотокатодов
Na2KSb(Cs,Sb). Д.А. Кустов, В.С. Русецкий, В.А. Голяшов, А.Ю. Демин, С.А. Рожков, В.В. Бакин, Г.Э. Шайблер, Т.С. Шамирзаев, О.Е. Терещенко | стр.47 |
| Зависимость степени спиновой поляризации от кинетической энергии электронов, эмитированных из
мультищелочного Na 2 KSb/Cs x Sb-фотокатода. В.В. Бакин, С.А. Степанов, В.А. Голяшов, А.С. Микаева, Д.А. Кустов, В.С. Русецкий, С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, А.В. Копотилов, О.Е. Терещенко | стр.48 |
| Модулятор THz-излучения на основе фазового перехода металл-изолятор в поликристаллических
пленках диоксида ванадия. С.Г. Бортников, В.В. Герасимов | стр.49 |
| Пространственное фазовое разрешение в ЖК ячейках на основе массива пиксельных электродов. Е.К. Багочюс, А.Е. Гайдук, И.А. Азаров, В.С. Тумашев, А.В. Принц, Ю.С. Макаров, В.А. Селезнев, С.В. Мутилин | стр.50 |
| Двумерные материалы для приложений в области фотоники и оптоэлектроники. А.И. Чернов | стр.51 |
| Атомарно-тонкие кристаллы AIIBVI для фотоники: от химии поверхности к контролю 2D экситонов. Р.Б. Васильев | стр.52 |
| Массивы кристаллических кластеров VO2, сформированные с помощью окислительной сканирующей
зондовой литографии. Н.Д. Манцуров, А.И. Комонов, Б.В. Волошин, В.А. Селезнев, Л.В. Яковкина, В.Н. Кичай, С.В. Мутилин | стр.53 |
| Технология 3Д печати оптических компонентов из халькогенидного стекла. П.С. Мелконян, А.В. Семенча, В.А. Клинков, Д.В. Вибе, А.К. Баршенин | стр.54 |
| Приемы химического осаждения для расширения области применения материалов на основе VO2 в
устройствах оптоэлектроники. О.В. Бойцова, В.Ю. Чендев , О.Н. Макаревич, С.В. Мутилин | стр.55 |
| Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge на Si для интегральной кремниевой фотоники. А.И. Никифоров, М.С. Аксенов, А.С. Дерябин, А.В. Колесников, И.Д. Лошкарев, К.Э. Певчих, О.П. Пчеляков, В.В. Светиков, Л.В. Соколов, К.Б. Фрицлер, И.Б. Чистохин | стр.56 |
| Светоизлучающие диоды и транзисторы с Ge(Si)/КНИ самоформирующимися наноостровками,
встроенными в фотонные кристаллы. А.В. Новиков, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский, В.Е. Захаров, Е.В. Демидов, М.В. Шалеев, Д.В. Юрасов, З.Ф. Красильник, С.А. Дьяков, А.Н. Михаилов, Д.И. Тетельбаум, Е.Е. Родякина, Ж.В. Смагина | стр.57 |
| Легирование кремния атомами халькогенов, как способ достижения примесной инфракрасной
фотопроводимости при комнатной температуре. И.М. Подлесных, М.С. Ковалев, С.И. Кудряшов | стр.58 |
| Фотолюминесценция множественных квантовых ям GeSn/Si со сверхтонкими слоями GeSn. И.В. Скворцов, В.А. Тимофеев, И.Д. Лошкарев, В.В. Кириенко, В.И. Машанов, Д.В. Коляда, Д.Д. Фирсов, О.С. Комков | стр.59 |
| Люминесценция GeSi структур, выращенных из ионно-молекулярных пучков. Ж.В. Смагина, А.В. Зиновьев, А.Ф. Зиновьева, И.А. Александров, В.Е. Захаров, А.Н. Яблонский, А.В. Мудрый, В.Д. Живулько, А.В. Двуреченский | стр.60 |
| Применение методов и устройств адаптивной голографической интерферометрии для исследований
эффектов и явлений в фоторефрактивных пьезокристаллах. Н.И. Буримов, С.М. Шандаров, А.О. Злобин, С.С. Шмаков | стр.61 |
| Нелинейная микроскопия для неинвазивного исследования электрохимических процессов на водных
интерфейсах. М.Ю. Еремчев, И.А. Ковалев , И.Ю. Еремчев, А.В. Наумов | стр.62 |
| Технологический прогресс в создании изделий из инфракрасных оптических материалов. А.В. Семенча, В.А. Клинков, П.С. Мелконян, Д.В. Вибе, А.К. Баршенин | стр.63 |
| Разработка фотодетекторов с откликом на циркулярно-поляризованное излучение. А.А. Ведерникова, Ю.А. Тимкина, Е.В. Ушакова | стр.64 |
| РОС-лазер на основе КЯ HgCdTe с длиной волны генерации 13.5 мкм с вертикальным выводом
излучения при накачке 8мкм ИК ККЛ. С.В. Морозов, В.В. Уточкин, В.В. Румянцев, М.А. Фадеев, А.А. Разова, К.А. Мажукина, А.А Янцер, Я.Н. Паулкина, В.И. Гавриленко, Д.В. Шенгуров, Е.Е. Морозова, Н.С. Гусев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.Р. Барышев, Н.С Гинзбург, Г.С. Соколовский | стр.65 |
| Матричные фотоприемные устройства на основе коллоидных квантовых точек. В.С. Попов, В.П. Пономаренко | стр.66 |
| Непрерывные терагерцовые двухфотонные квантовые каскадные лазеры. В.И. Гавриленко | стр.67 |
| Диагностика потоков излучения высокого спектрального разрешения для интервала
частот 0.1-0.6 ТГц. А.В. Аржанников, П.В. Калинин, Д.А. Самцов, Е.С. Сандалов, С.А. Кузнецов, А.В. Гельфанд, Н.А. Николаев | стр.68 |
| Ближнепольная оптическая спектроскопия полупроводниковых нанопроволок. И.А.Милёхин, А.В.Тараненко, Л.С. Басалаева, Е.А. Емельянов, М.А. Путято, В.В. Преображенский, В.В. Федоров, Л.Н.Дворецкая, А.Г. Милёхин | стр.69 |
| Лазеры на основе квантовых ям CdHgTe/HgCdTe при различных режимах оптической накачки. В.В. Румянцев, С.В. Морозов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, В.И. Гавриленко | стр.70 |
| КНИ структуры с двумя функциональными слоями кремния для фотонных интегральных схем. В.А. Антонов, Ф.В. Тихоненко, К.А. Гутаковский, В.И. Вдовин, В.П. Попов | стр.71 |
| Факторы ограничения выходной мощности суперлюминесцентных диодов со скользящим
полосковым волноводом. А.С. Паюсов, Г.О. Корнышов , Ю.М. Шерняков, А.А. Бекман, Ю.А. Салий, М.М. Кулагина, С.А. Минтаиров, Н.А. Калюжный, М.В. Максимов, Н.Ю. Гордеев | стр.72 |
| Электромагнитный плазменный резонанс в GaAs мембранах с двумерным электронным слоем при
комнатной температуре. С.В. Морозов, М.А. Фадеев, А.А. Янцер, А.С. Астраханцева, A.М. Шуваев, П.А. Гусихин, И.В. Кукушкин, В.М. Муравьев | стр.73 |
| Влияние дизайна волновода и модального усиления на двухуровневую генерацию в лазерах на
квантовых яма-точках. А.А. Бекман, Г.О. Корнышов, Ю.М. Шерняков, А.С. Паюсов, А.А. Харченко, Н.Ю. Гордеев, М.В. Максимов | стр.74 |
| Циркулярные резонансы Фабри-Перо в решетках Ge дисков в телекоммуникационном диапазоне
длин волн. А.Ф. Зиновьева, А.А. Шкляев, А.В. Зиновьев, Д.Е. Уткин, С.А. Рудин, Н.А. Ташкеев, С.Л. Вебер | стр.75 |
| Полупроводниковые сверхрешетки InAs/GaSb с интерфейсной компенсацией упругих напряжений
для оптоэлектронных применений. В.С. Кривобок, А.В. Клековкин, Г.Н. Ерошенко, С.И. Ченцов, Д.А. Пашкеев, К.А Савин, И.И. Минаев, С.Н. Николаев, Д.Ф. Аминев | стр.76 |
| Матричные фотоприемные устройства с повышенной кадровой частотой и перспективы
их развития. В.В. Карпов, Д.В. Косарев, С.А. Кузнецов, А.В. Марущенко, Г.В. Чеканова, В.Ф. Чишко | стр.77 |
| Перспективы объединения интегральной фотоники и волоконной оптики в сенсорике и метрологии. М.П. Гаськов, В.А. Симонов, В.С. Терентьев, А.Ю. Ткаченко, С.И. Каблуков, И.А. Лобач | стр.78 |
| Оптико-поляризационные датчики деформаций с высокой предельной чувствительностью для
технической диагностики и дефектоскопии. В.Н. Федоринин, С.А. Бехер, В.И. Сидоров, Т.С. Абрамова, А.Л. Ланис | стр.79 |
| Совершенствование нормативно-технического и научно-методического обеспечения разработки и
производства изделий фотоники. К.С. Лопаткин, Н.Б. Лозовик, Е.В. Макарова, А.П. Студеновский | стр.80 |
| Интегральные микрокриогенные системы охлаждения роторного типа для фотоэлектроники. Д.Д. Бабенко, М.В. Банников, К.О. Болтарь, Е.Д. Коротаев, Г.И. Некрасов, Е.Д. Сычева | стр.81 |
| Результаты разработки передовых БИС считывания с цифровым выходом. П.А. Кузнецов, Н.А. Ларионов, М.А. Шумейко, Ю.А. Якимов, А.Н. Кузнецов | стр.82 |
| Частотный метод фильтрации импульсной помехи на тепловизионном изображении, вызванной
дефектами матрицы ФПУ. Р.А. Гладков, И.И. Кремис, А.В. Турбин | стр.83 |
| Разработка времяпролетного лидара с отклонением луча перестраиваемой метаповерхностью
геометрической фазой. П.Н. Ким, В.А. Шлепанов, И.В. Тимофеев | стр.84 |
| Солнечно слепой электронно-оптический преобразователь для космической астрономии в области
вакуумного ультрафиолета. К.В. Меркулин, Г.Э. Шайблер , В.А. Голяшов, А.С. Микаева, В.В. Бакин, С.А. Рожков, В.С. Русецкий, А.В.Копотилов, H.В. Кислых, А.Д. Николенко, А.С. Шугаров, В.Е. Шмагин, С.Г. Сичевский, М.Е. Сачков, O.E. Терещенко | стр.85 |
| Влияние отжига на химический состав и морфологию границы раздела Pt/InAlAs. И.Ю. Гензе, М.С. Аксенов, Е.Р. Закиров, В.И. Вдовин, А.К. Гутаковский, Д.В. Дмитриев, Д.В. Гуляев . | стр.86 |
| Рассеяние поверхностных волн Дьяконова в системах на основе жидких кристаллов. Н.С. Гришин, А.Е. Гайдук | стр.87 |
| Излучательные свойства Al-содержащих и безалюминиевых гетероструктур спектрального
диапазона 780 – 980 нм. Н.В. Гультиков, К.Ю. Телегин, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, Т.А. Багаев, А.А. Мармалюк, М.А. Ладугин | стр.88 |
| Широкополосный поглотитель ИК излучения, основанный на многослойных структурах пористый
алюминий/оксинитрид кремния. М.А. Демьяненко, О.В. Наумова, Э.Г. Зайцева, А.Ю. Петин | стр.89 |
| Трансформация поверхности при удалении оксида с InP(00 в арсенидной МЛЭ. Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, Д.В. Гуляев DOI 10.34077/RCSP2025-90 | стр.90 |
| Плазмонные наноструктуры для спектроскопии комбинационного рассеяния света с нанометровым
пространственным разрешением. К.С. Киселёв, А.Г. Милёхин, И.А. Милёхин, Т.А. Дуда, В.С. Тумашев, С.Л. Вебер | стр.91 |
| Напыление сверхтонких пленок золота методом наносекундного лазерного осаждения. Д.А. Колосовский, Т.М. Залялов, С.А. Пономарев, Ю.Г. Шухов, А.А. Морозов, С.В. Старинский | стр.92 |
| Температурная зависимость отношений периодов и интенсивностей дифракционных рефлексов от
ступенек разного типа при росте Si на Si(001). А.П. Коханенко, О.И. Кукенов, В.В. Дирко, К.А. Лозовой, А.Г. Коротаев | стр.93 |
| Влияние элементарного теллура на электрофизические характеристики границы раздела HfO2/CdHgTe. И.А. Краснова, Е.Р. Закиров, В.С. Варавин, Г.Ю. Сидоров | стр.94 |
| Автоматизация измерений скорости роста гетероэпитаксиальных структур AlGaN/AlN/GaN. И.Н. Ляпустин, В.Г. Мансуров, Т.В. Малин, А.М. Гилинский, Я.Е. Майдэбура, В.И. Вдовин, Ю.А. Живодков, Д.С. Милахин | стр.95 |
| Влияние температуры на устойчивость самокаталитического роста планарных нанопроволок GaAs в
траншеях структурированной поверхности (Монте-Карло моделирование). С.В. Манцурова, Н.Л. Шварц | стр.96 |
| Мультирезонансные перестраиваемые метаматериалы инфракрасного диапазона на основе диоксида
ванадия и кремния. Н.А. Миронов, А.Е. Гайдук | стр.97 |
| Термический отжиг CdHgTe с большим содержанием CdTe: генерация и аннигиляция дефектов. К.Д. Мынбаев, М.С. Ружевич, И.В. Чуманов, Д.Д. Фирсов, О.С. Комков, В.С. Варавин, И.Н. Ужаков, В.Г. Ремесник, Н.Н. Михайлов | стр.98 |
| Поглотители на основе многослойных пленок пористого Al, полученного магнетронным распылением. О.В. Наумова, А.Ю. Петин, Э.Г. Зайцева, С.А. Пономарев, Ю.А. Живодков, М.А. Демьяненко, А.С. Ярошевич, А.А. Шкляев | стр.99 |
| КНИ структуры со скрытыми слоями SiO 2 и локальной высокоомной областью в низкоомной подложке. В.А. Антонов, Л.Н. Сафронов, В.А. Володин, В.П. Попов | стр.100 |
| Гетероструктуры In0.52Al0.48 As/In0.53Ga0.47As/InP с донорно-акцепторным легированием. Д.Ю. Протасов, Д.В. Дмитриев , Д.В. Гуляев | стр.101 |
| Характеризация тонких пленок оксидов ванадия интерференционно-усиленным комбинационным рассеянием света. В.А. Селезнев, Б.В. Волошин, В.А. Володин, Л.В. Яковкина, С.В. Мутилин | стр.102 |
| Процесс десорбции оксидов с поверхности InSb. М.А. Суханов, А.К. Бакаров, В.А. Голяшов , С.А. Пономарев, Д.В. Гуляев | стр.103 |
| Получение антиотражающих покрытий из чёрного золота. Д.Е. Уткин, Д.И. Рогило, А.А. Шкляев | стр.104 |
| Результаты трех видов постимплантационного отжига при имплантации бериллия в антимонид индия. Д.Э. Фазилов, И.Э. Фазилова, В.П. Астахов, В.В. Карпов, Г.В. Чеканова, К.С. Андрейчиков, Д.В. Косарев | стр.105 |
| Импульсные лазерные отжиги для формирования нанокристаллических плёнок германия и
нанокристаллов германия в многослойных структурах a-Ge/a-Si. Юйчжу Чэн, В.А. Володин | стр.106 |
| Исследование оптических свойств CdTe вблизи края фундаментального поглощения при различных
режимах выращивания. В.А. Швец, Л.С. Кузнецова, А.А. Воронин, В.Г. Ремесник, М.В. Якушев , Е.В. Спесивцев | стр.107 |
| Эллипсометрия тонких пленок диоксида ванадия, синтезированных с помощью химического
осаждения из газовой фазы. В.Б. Калинина, К.Е. Капогузов , С.В. Мутилин , А.Е. Гайдук, И.А. Азаров, В.Н. Кичай, Л.В. Яковкина | стр.108 |
| Фоточувствительные МДП-структуры ITO/GeOx/Si. Г.А. Хамуд, Г.Н. Камаев, М. Вернья, В.А. Володин | стр.109 |
| Монте-Карло моделирование энергетических распределений электронов, эмитированных из
полупроводников с отрицательным электронным сродством. Д.М. Казанцев, В.В. Бакин, С.А. Рожков, Г.Э. Шайблер, В.Л. Альперович, О.Е. Терещенко | стр.110 |
| Генерация игольчатого пучка из Бесселева пучка на основе излучения полупроводникового лазера. С.Х. Абдулразак, Н.Г. Дерягин, В.В. Дюделев, Г.С. Соколовский | стр.111 |
| Увеличение скорости генерации квантового ключа за счет одновременной передачи одиночных
фотонов с двумя длинами волн по одному атмосферному каналу. Д.Б. Третьяков, А.В. Коляко, А.С. Плешков, И.И. Рябцев, И.Г. Неизвестный | стр.112 |
| Выравнивание амплитуд запомненных состояний для решения задачи ассоциативной памяти на
кутритах посредством квантового отжига. И.С. Пичковский, В. Е. Зобов | стр.113 |
| Оптическая ориентация и оптическое выстраивание экситонов в нанокристаллах CsPbI3 в стеклянной матрице. Т.С. Шамирзаев, Я.Е. Майдэбура, М.С. Кузнецова, Е.В. Колобкова | стр.114 |
| Исследование характеристик пироэлектрических детекторов МГ-32 от видимого до
терагерцевого диапазонов. В.В. Герасимов, С.Е. Краснопевцев, Е.Б. Гольденберг, Г.Р. Туркия, Д.В. Фромичев, С.А. Кузнецов | стр.115 |
| Переключаемый двухполосный селективный поглотитель терагерцового излучения на основе
частотно-избирательных поверхностей. М.А. Демьяненко, О.В. Наумова, А.Ю. Петин | стр.116 |
| Широкополосный конвертор ТГц и миллиметрового излучения в ИК излучение, основанный на
вертикально ориентированных углеродных нанотрубках. М.А. Демьяненко, С.В. Родякин, Д.И. Рогило, Л.И. Федина, О.И. Семёнова, Д.В. Щеглов DOI 10.34077/RCSP2025-117 | стр.117 |
| Плазмонные волноводы для терагерцовых квантово-каскадных лазеров. А.А. Дубинов, Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, Р.А. Хабибуллин . | стр.118 |
| Многослойная линза-объектив для ИК спектра из халькогенидных стекол состава AsxSy(1-x)Se1-y(1-x). А.К. Баршенин, А.В. Семенча, П.С. Мелконян, Н. Маннатхоко | стр.119 |
| Новый метод определения вероятности выхода фотоэлектронов в вакуум из полупроводников с
отрицательным эффективным электронным сродством. С.А. Рожков, В.В. Бакин, В.С. Хорошилов, В.Л. Альперович, Г.Э. Шайблер | стр.120 |
| Распределение электронов, эмитированных мультищелочным фотокатодом, по поперечной
компоненте энергии. Г.Э. Шайблер, В.А. Голяшов, В.Л. Альперович, В.В. Бакин, С.А. Рожков, Д.А. Кустов, В.С. Русецкий, А.В.Копотилов, H.В. Кислых, O.E. Терещенко | стр.121 |
| Ограничения стандартных подходов при изготовлении широкоформатных охлаждаемых
фотоприёмников для спектрального диапазона 8-12 мкм. П.А. Алдохин, А.Р. Новосёлов, К.П. Шатунов | стр.122 |
| Установка для анализа качества разварки проволочных соединений перед корпусированием полупроводниковых изделий. А.А. Голицын | стр.123 |
| Механические напряжения в МЭМС с металлическими поглотителями. Э.Г. Зайцева, Е.А. Федотов, О.В. Наумова | стр.124 |
| Автоматизация эллипсометрических измерений в миллиметровом диапазона спектра. С.А. Кузнецов, В.Н. Федоринин, А.В. Гусаченко, Ю.Л. Кравченко, А.В. Гельфанд | стр.125 |
| Перспективные износостойкие покрытия пар трения микрокриогенной системы ФПУ. А.В. Кулеш, Е.Д. Коротаев | стр.126 |
| Контроль высоты полета БПЛА с помощью компьютерного зрения. А.О. Лебедев, В.В. Васильев, А.Г. Паулиш | стр.127 |
| Влияние синусоидальной вибрации на работу микрокриогенной системы охлаждаемого
фотоприемного устройства. Е.П. Лобачев, Е.О. Тимошенков | стр.128 |
| Исследование управления перестраиваемыми узкополосными фильтрами для гиперспектральных
систем наблюдения. А.А. Голицын, А.В. Голицын, Н.А. Сейфи, С.Д. Чибурун | стр.129 |
| Плазмон-усиленное комбинационное рассеяние света отдельными нанопроволоками GaP. А.В. Тараненко, Л.С. Басалаева, Н.Н. Курусь, И.А. Милёхин, В.В. Фёдоров, В.С. Тумашев, А.Г. Милёхин | стр.130 |
| Влияние размера фотодиодов на пространственное разрешение матричных ИК фотоприемников. В.А. Стучинский, В.В. Васильев, А.В. Вишняков | стр.131 |
| Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером. А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев | стр.132 |
| Подготовка поверхности 100 мм пластин Si с изготовленными структурами pin-фотодиодов перед
магнетронным напылением контактной системы Cr-Au. А.С. Кондрахин, А.А. Трофимов, Д.О. Царегородцев, Н.Ю. Будтолаев, В.А. Рафикова | стр.133 |
| Определение концентраций дефектов в слоях GaN-on-Si и GaN-on-SiC, выращенных при различных
температурах, методами фотолюминесцентной спектроскопии. И.В. Осинных, Т.В. Малин, Д.С. Милахин, Д.Ю. Протасов, Д.С. Абрамкин, К.С. Журавлёв | стр.134 |
| Оптические свойства пленок GeSiSn плёнок: эксперимент и ab initio моделирование. Т.В. Перевалов, В.А. Тимофеев, И.В. Скворцов, И.А. Азаров | стр.135 |
| Моделирование функции преобразования волоконно-оптических датчиков давления на
основе AWG мультиплексоров/демультиплексоров. А.Д. Бялик, Д.Б. Ямщиков | стр.136 |
| Исследование поляризации в сенсорах ионизирующих излучений на основе арсенида галлия,
компенсированного хромом. М.С. Трофимов | стр.137 |
| Видимая электролюминесценция в пленках In2O3:Er, магнетронно напыленных на кремнии. К.В. Феклистов, А.Г. Лемзяков, Д.С. Абрамкин, К.А. Свит, А.М. Пугачев, В.А. Володин, Д.В. Марин, Е.В. Спесивцев, Л.Н. Сафронов, С.А. Кочубей, К.С. Ершов, А.В. Капишников, А.Н. Шмаков, А.А. Шкляев, Ю.А. Живодков, А.К. Гутаковский, В.И. Вдовин, Д.Ю. Протасов | стр.138 |
| Влияние различных диэлектрических покрытий и p-легированного слоя InAlAs на перемешивание
материалов в структурах с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs. И.А. Александров, Д.В. Дмитриев , М.С. Аксенов, Д.В. Гуляев | стр.139 |
| Широкозонные слои увеличенной проводимости. А.М. Гилинский, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, М.С. Аксенов, А.С. Ярошевич, К.С. Журавлев | стр.140 |
| Электродинамическая оптимизация и экспериментальное исследование поглощающей структуры
тонкоплёночных пиродетекторов для ТГц диапазона частот. С.А. Кузнецов, В.В. Герасимов, В.А. Степанов, Д.В. Фромичев, А.А. Рыбак | стр.141 |
| Гибридный метод расчёта многослойных интерференционных структур на основе частотно-
избирательных поверхностей с использованием импедансного подхода. С.А. Кузнецов | стр.142 |
| Люминесцентные свойства квантовых точек CdxZn1-xS, синтезированных с помощью метода Ленгмюра-Блоджетт в матрице бегеновой кислоты. К.А. Свит, Д.В. Гуляев | стр.143 |
| Метод измерения фотоэлектрических параметров быстродействующих охлаждаемых матричных
фотоприемников в нестационарных условиях. К.В. Чиж, Д.С. Викторов, В.В. Карпов | стр.144 |
| Стабилизация скорости напыления и контроль толщины покрытий при формировании фотоприемных
и светоизлучающих структур. А.С. Кривенко, С.А. Алексеев, И.А. Безруков, Н.А. Белич, И.М. Глухов, А.Б. Тарасов | стр.145 |
| Методология обеспечения и контроля качества на всех этапах реставрационных (ремонтных) работ
фотоприемных модулей. М.И. Конча, К.С. Лопаткин, И.С. Щукин | стр.146 |
| Организация и порядок проведения модернизации, модификации и совершенствования изделий
электронной компонентной базы. М.И. Конча, А.А. Сенин, Р.Н. Журиков | стр.147 |