Стандартная версия
Шрифт
А
А
А
Интервал
АБВ
АБВ
АБВ
Цветовая схема
А
А
А
Изображения
Вкл
Выкл
Search ...
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics
Siberian Branch of Russian Academy of Sciences
Home
Institute
Science
Education
Developments
Events
Home
→
Institute
→
General Information
→
Научные подразделения
→
Лаборатория 7
→
Публикации лаб7
1976
ПУБЛИКАЦИИ
1976
Гораин Р.А., Кравченко А.Ф., Принц В.Я., Придачин Н.Б., Скок Э.М., Облучение быстрыми электронами эпитаксиальных слоев арсенида галлия. Микроэлектроника, 1976, т. 5, в. 4, с. 4.
General Information
Director
Board of directors
Scientific council
Scientific secretary
RAS Counselor
International Affairs
Institute Divisions
Structural scheme
History
Contacts