Гранты, договоры, контракты, 2021 год

Международные гранты РФФИ и РНФ

1. РФФИ 18-57-80006 БРИКС_т «Электронные синапсы на основе двумер- ных материалов для нейроморфных вычислений», руководитель Гриценко В.А. (ИФП СО РАН, Россия - Университет Сучжоу, Китай - Федеральный университет Риу-Гранди-ду-Сул, Бразилия - Индийский научный институт, Индия).
2. РФФИ 19-52-12001 ННИО_а «Динамика экситонов и носителей заряда в непрямозонных полупроводниковых наноструктурах первого рода», руководитель Шамирзаев Т. С. (ИФП СО РАН, Россия - Университет Дортмунда, Германия).
3. РФФИ 19-52-12041 ННИО_а «Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами с нанометровым пространственным разрешением», руководитель Милёхин А. Г. (ИФП СО РАН, Россия - Университет технологии Кемница, Германия).
4. РФФИ 19-52-15010 НЦНИ_а «Электрически управляемые многочастич- ные взаимодействия в мезоскопических ансамблях холодных ридберговских ато- мов для применения в квантовой информатике», руководитель Рябцев И. И. (ИФП СО РАН, Россия - Университет Париж-Сюд, Франция).
5. РФФИ 20-52-04009 Бел_мол_а «Усиление эмиссии света магнитными плазмонными частицами», руководители: Курусь Н.Н. (ИФП СО РАН, Россия - Государственное научное учреждение Институт физики имени Б.И. Степанова НАНБ, Беларусь).
6. РФФИ 20-52-00016 Бел_а «Разработка физических подходов к получе- нию светоизлучающих структур на основе двумерных слоев Si и Ge, встроенных в диэлектрическую матрицу», руководитель Зиновьев В. А. (ИФП СО РАН, Россия – Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению», Беларусь).
7. РФФИ 20-57-12003 ННИО_а «Повышение надёжности сегнетоэлектри- ческих материалов на основе оксида гафния», руководитель Исламов Д. Р. (ИФП 224СО РАН, Россия - Namlab, Германия).
8. РФФИ 21-52-10013 КО_а 2021 «Многочастичные эффекты в подвешен- ных наноэлектромеханических полупроводниковых системах», руководитель По- госов А.Г. (ИФП СО РАН, Россия - Университетский колледж Лондона, University College London, Лондон, Великобритания).
9. РФФИ 21-52-12024 ННИО_а «Синтез, электронная структура и сверхбы- страя электронная динамика в магнитных топологических изоляторах» руководи- тель Терещенко О.Е. (ИФП СО РАН, Россия - Марбургский университет Филиппа, Марбург, Германия).

Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

10. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 2006-2021 гг. (А.Г. Милехин).
11. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2024 гг. (Т.С. Шамирзаев).
12. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 2012-2021 гг. (Квон Зе Дон).
13. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2021 гг. (Квон Зе Дон). Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2023 гг. (А.В. Ненашев).
14. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) «Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения» (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАНУ, Украина), 2016-2020 гг. (Квон Зе Дон, С.А. Дворецкий).
15. Национальный институт ядерной физики - Национальная лаборатория (Гран Сассо Istituto Nazionale di Fisica Nucleare – Laboratori Nazionali del Gran Sasso) (Л'Акуила, Италия), «Исследование болометрических свойств слоёв КРТ на подложках кремния при температурах ниже, чем 10mK», 2017- 2020 гг. (М.В. Якушев).
16. Технический университет (Бари, Италия) «Исследования в области интегральной оптики и фотонных сенсоров», 2017-2022 гг. (А.В. Царёв).
17. Университет де Лоррейн (Нанси, Франция) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 2017 -2020 гг. (В.А. Володин).
18. Институт физики Академии наук ЧР (Прага, Чешская Республика) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 2018–2023 гг. (В.А. Володин).
19. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники», 2019-2024 гг. (О.И. Семёнова).

Партнерские Соглашения

20. Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов с Университетом Нагоя (Япония, г. Нагоя), 2016-2021 гг. (А.В. Латышев).
21. Меморандум о взаимном сотрудничестве об установлении научно-организационных связей, подготовке кадров и осуществлению научно-исследовательской деятельности с АО «Казахстанско-Британский технический университет» (Казахстан), 2021-2026 гг. (И.Е. Тысченко).
22. Соглашение о научном сотрудничестве с Институтом ядерной физики Общества Макса Планка «Исследование полупроводниковых фотокатодов для генерации ультрахолодных электронов и их применения для экспериментального моделирования фундаментальных атомных процессов внутри звездных ассоциаций во Вселенной» (Гейдельберг, Германия), 2019-2022 гг. (А.С. Терехов).

Участие сотрудников ИФП СО РАН в Международных организациях

• Директор Института, академик РАН А.В. Латышев – Международный центр по передовым материалам и электронной микроскопии при Институте физики Университета Гумбольдта (International Centre of Advanced Materials Science and Electron Microscopy, Institute Physics of the Humboldt University of Berlin).
• Академик РАН А.В. Чаплик – Американское физическое общество (American Physical Society).
• Член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный – Американское физическое общество (American Physical Society).
• Заведующий лабораторией член-корреспондент РАН А.В. Двуреченский – Комиссия Международного Союза Фундаментальной и прикладной Физики (International Union of Pure and Applied Physics, IUPAP); Руководитель Российской секции Американского общества по нанонауке (ANS Local Section of Russia); Комиссия по присуждению Международной премии в области нанотехнологий (RUSNANOPRIZE); Азиатско-Тихоокеанская академия материалов (Asia-Pacific Academy of Materials, APAM).
• Ведущий научный сотрудник, д.ф-м.н. Т.С. Шамирзаев – Американское общество по нанонауке (American Nano Society).
• Заведующий лабораторией, член-корреспондент РАН И.И. Рябцев – совет Отделения атомной и молекулярной физики и оптики (AMOPD) Европейского физического общества (EPS).
• Заведующий лабораторией, к.ф.-м.н. В.В. Атучин – Международный союз кристаллографов (International Union of Crystallography).
• Заведующий лабораторией, к.х.н. О.И. Семенова – Азиатско-Тихоокеанская академия материалов (Asia-Pacific Academy of Materials, APAM).
• Ведущий научный сотрудник, д.ф.-м.н. Б.Г. Вайнер – Американское общество по нанонауке (American Nano Society (ANS).
• Главный научный сотрудник, д.ф.-м.н. А.И. Якимов – Комиссия по присуждению Международной премии в области нанотехнологий (RUSNANOPRIZE).
• Старший научный сотрудник, к.ф.-м.н. С.В. Перминов – Американское оптическое общество (Optical Society of America); Европейское физическое общество (European Physical Society).

Гранты, договоры, контракты, 2022 год

Международные гранты РФФИ и РНФ

1. РФФИ 20-57-12003 ННИО_а «Повышение надёжности сегнетоэлектрических материалов на основе оксида гафния», руководитель Исламов Д. Р. (ИФП 224СО РАН, Россия - Namlab, Германия).
2. РФФИ 21-52-10013 КО_а 2021 «Многочастичные эффекты в подвешенных наноэлектромеханических полупроводниковых системах», руководитель Погосов А.Г. (ИФП СО РАН, Россия - Университетский колледж Лондона, University College London, Лондон, Великобритания).
3. РФФИ 21-52-12024 ННИО_а «Синтез, электронная структура и сверхбыстрая электронная динамика в магнитных топологических изоляторах» руководитель Терещенко О.Е. (ИФП СО РАН, Россия - Марбургский университет Филиппа, Марбург, Германия).
4. РФФИ 20-52-00016 Бел_а 2020 «Разработка физических подходов к получению светоизлучающих структур на основе двумерных слоев Si и Ge, встроенных в диэлектрическую матрицу», руководитель Зиновьев В.А. (ИФП СО РАН, Россия - Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению», Беларусь).

Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

5. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 2009-2024 гг. (Т.С. Шамирзаев).
6. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 2008-2021 гг. (Квон Зе Дон).
7. Марбургский университет им. Филиппа (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 2012-2023 гг. (А.В. Ненашев).
8. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) «Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения» (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарёва НАНУ, Украина), 2016-2023 гг. (Квон Зе Дон, С.А. Дворецкий).
9. Технический университет (Бари, Италия) «Исследования в области интегральной оптики и фотонных сенсоров», 2017-2022 гг. (А.В. Царёв).
10. Институт физики Академии наук ЧР (Прага, Чешская Республика) «Исследованияв области полупроводниковых наноструктур», 2018–2023 гг. (В.А. Володин).
11. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники», 2019-2024 гг. (О.И. Семёнова).
12. Институт наноструктур, наномоделирования и нанопроизводства Физического факультета Университета Авейру (Авейру, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2020-2023 гг. (Р.А. Жачук)

Партнерские Соглашения

13. Соглашение о научном сотрудничестве с Институтом ядерной физики Общества Макса Планка «Исследование полупроводниковых фотокатодов для генерации ультрахолодных электронов и их применения для экспериментального моделирования фундаментальных атомных процессов внутри звездных ассоциаций во Вселенной» (Гейдельберг, Германия), 2019-2022 гг. (А.С. Терехов).
14. Меморандум о взаимном сотрудничестве об установлении научно-организационных связей, подготовке кадров и осуществлению научно-исследовательской деятельности с АО «Казахстанско-Британский технический университет» (Казахстан), 2021-2026 гг. (И.Е. Тысченко).

Гранты, договоры, контракты, 2019 год

Совместные гранты РФФИ и РНФ

1. Грант РФФИ 18-52-00014 Бел_а (Россия –Беларусь, Институт физики им. Б.И.Степанова НАНБ ), «Светоизлучающие структуры на основе SiGe квантовых точек, формируемых при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков», 2018-2019гг.(Россия - член-корр.РАН В.Двуреченский, к.ф-м.н. В.А.Зиновьев; Беларусь – к.ф-м.н. А.В.Мудрый).
2. Грант РФФИ 17-52-14007 АНФ_а (Россия –Австрия, Венский технический университет) «Терагерцовая магнитооптика дираковских фермионов в структурах на основе HgTe и CdHgTe», 2017-2019г.г.. (Россия – д.ф-м.н.Квон-Зе Дон; Австрия – Dr. Alexey Shuvaev).
3. Соглашение РНФ 18-49-08001 RSF-MOST: Исследование и разработка многоуровневых мемристоров на основе SiOx и SiNx для нейроморфных устройств и флэш памяти терабитного масштаба. (Россия – Тайвань, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan, Национальный Чиао Тун Университет, Синьчжу, Тайвань), 2018 -2020гг.( Россия – д.ф-м.н. В.А.Володин, д.ф-м.н.В.А.Гриценко; Тайвань –Prof.Chin Albert).
4. Грант РФФИ 18-52-41006 Узб_т (Россия – Узбекистан, Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз) «Формирование слоев на основе Ge, Si, Sn под воздействием частично ионизированного потока кремния для солнечной энергетики», 2018-2019гг. (Россия – д.ф-м.н. А.И.Никифоров, Узбекистан – д.т.н. Х.Б.Ашуров).
5. Грант РФФИ 18-57-80006 БРИКС_т (Россия, Китай (Университет Сучжоу), Бразилия (Федеральный университет Риу-Гранди-ду-Сул), Индия (Индийский научный институт), «Электронные синапсы на основе двумерных материалов для нейроморфных вычислений», 2018-2021гг.(Россия – д.ф-м.н.Гриценко В.А., Китай – prof. Mario Lanza, Бразилия – prof. Gilson I.Wirth, Индия – prof. Santanu Mahapatra).
6. Грант РФФИ 18-52-00008 Бел_а (Россия, Беларусь, Институт физики им. Б.И.Степанова НАНБ) «Графеноподобные GaN/AlN наноструктуры». 2018-2019гг.(Россия - д.ф-м.н. Журавлёв К.С, Беларусь – к.ф-м.н. Н.В.Ржеуцкий.)
7. Грант РФФИ 19-52-15010 НЦНИ_а (Россия, Франция, Университет Париж-Сюд (Париж-Юг11)) «Электрически управляемые многочастичные взаимодействия в мезоскопических ансамблях холодных ридберговских атомов для применения в квантовой информатике» 2019-2021гг (Россия – д.ф-м.н.И.И.Рябцев; Франция – full-time researcher Patrick Cheinet).
8. Грант РФФИ 19-52-12041 ННИО_а (Россия, Германия, Университет технологии Кемница) «Гигантское комбинационное рассеяние света полупроводниковыми наноструктурами с нанометровым пространственным разрешением» 2019-2021гг. (Россия- д.ф-м.н. А.Г.Милехин; Германия – prof. Dr. Dr. h.c. Dietrich R.T.Zahn)
9. Грант РФФИ 19-52-12001 ННИО_а (Россия, Германия, Университет Дортмунда) «Динамика экситонов и носителей заряда в непрямозонных полупроводниковых наноструктурах первого рода», 2019-2021гг. (Россия- д.ф-м.н.Т.С.Шамирзаев; Германия- prof. Dr. M.Bayer).
10. Соглашение РНФ 19-42-02003 RSF-DST: «Сложные Cu-содержащие полупроводники и слоистые структуры для технологичных, экологичных и высоко эффективных ультратонких солнечных элементов». (Россия, Индия, Индийский институт технологии, Индаур, 2019 – 2021гг. (Россия- к.ф-м.н. В.В.Атучин; Индия - prof..Shaibal Mukherjee).

Договоры о научном сотрудничестве с научными организациями зарубежных стран

11. Университет технологии (Кемниц, Германия) «Исследование полупроводниковых наноструктур», 03.04.2006- 01.04.2021гг. (Россия – д.ф-м.н. А.Г.Милехин; Германия – prof. Dr. Dr. h.c. Dietrich R.T.Zahn).
12. Университет Дортмунда (Дортмунд, Германия) «Синтез и исследование новейших полупроводниковых самоорганизованных структур с квантовыми точками», 01.09.2009 – 31.12.2024гг. (Россия- д.ф-м.н.Т.С.Шамирзаев; Германия- prof. Dr. M.Bayer).
13. Университет Регенсбурга (Регенсбург, Германия) «Исследование электрических и фотогальванических эффектов в низкоразмерных электронных системах под воздействием терагерцового излучения», 31.12.2012- 31.12.2021гг. (Россия – д.ф-м.н.Квон Зе Дон; Германия – prof. S.D.Ganichev)
14. Университет Авейро (Авейро, Португалия) «Влияние поверхностных реконструкций на атомные процессы», 2010-2019 гг. (Р.А. Жачук).
15. Институт физики (Сан-Пауло, Бразилия) «Исследования в области физики двумерных систем», 01.01.2008 – 31.12.2021гг. (Россия –д.ф-м.н.Квон Зе Дон; Бразилия – prof. G.V.Gusev).
16. Институт полупроводников Академии наук Китая (Пекин, Китай) «Исследования в области электроники и фотоники» , 20.11.2015 – 20.11.2020гг. (Россия – к.ф-м.н.О.И.Семёнова; Китай – prof. Yude Yu).
17. Филиппс Университет (Марбург, Германия) «Моделирование структурных и оптических свойств современных полупроводниковых соединений», 01.10.2012-05.05.2023гг.(Россия – к.ф-м.н. А.В.Ненашев; Германия – Prof. Dr.Sergei Baranovski).
18. Проект 90 298 (Фонд Фольксвагена) "Оптико-электронные явления переноса в узкозонных полупроводниковых структурах для регистрации терагерцового излучения" (Университет Регенсбурга, Германия; Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Россия; Институт физики полупроводников им.В.Е.Лашкарёва НАНУ, Украина), 01.07.2016- 31.12.2020гг.. (Россия – д.ф-м.н.Квон Зе Дон, к.ф-м.н. С.А.Дворецкий; Германия - prof. S.D.Ganichev)
19. Nippon Telegraph and Telephone Corporation (Токио, Япония), «Физические принципы и технология новых полупроводниковых и сверхпроводящих гибридных структур», 12.07.2016- 31.12.2019гг. (Россия – д.ф-м.н. А.Г.Погосов, к.ф-м.н.А.А.Шевырин; Япония – Dr.Hiroshi Yamaguchi).
20. Национальный институт ядерной физики - Национальная лаборатория (Гран Сассо Istituto Nazionale di Fisica Nucleare – Laboratori Nazionali del Gran Sasso) (Л’Акуила, Италия), «Исследование болометрических свойств слоёв КРТ на подложках кремния при температурах ниже чем 10mK» , 09.03.2017- 09.03.2020гг.(Россия – д.ф-м.н.М.В.Якушев; Италия – Dr.Stefano Pirro).
21. Технический университет (г.Бари, Италия) «Исследования в области интегральной оптики и фотонных сенсоров», 06.10.2017-06.10.2022гг. (Россия – д.ф-м.н.А.В.Царёв; Италия – Dr. Vittorio Passaro).
22. Университет Лотарингии (г.Нанси, Франция) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 27.06.2017 - 27.06.2020 гг. (Россия – д.ф-м.н.В.А.Володин; Франция – prof. Michel Vergnat).
23. Институт физики Академии наук ЧР (г.Прага, Чешская Республика) «Исследования в области полупроводниковых наноструктур», 15.01.2018 – 15.01.2023гг. (Россия- д.ф-м.н.В.А.Володин; Чехия – Ing. Jiri Stuchlik, CSc).

Партнерские Соглашения

24. Соглашение о сотрудничестве с компанией “Daresbury Laboratory CCLRC” (Вэррингтон, Великобритания) “Разработка высоэффективных фотокатодных материалов и методик характеризации фотокатодов” 01.12.2017-01.12.2020гг. (Россия – д.ф-м.н.А.С.Терехов, к.ф-м.н. Г.Э.Шайблер; Великобритания – Dr.Tim Noakes, Dr.Lee Jones).
25. Университет Нагоя (Япония, г.Нагоя), Меморандум о договоренности о проведении исследований в области взаимных интересов, 2016-2021гг. (Россия – асад. А.В.Латышев; Япония – prof., Dr.Matsuo Seiichi).
26. Соглашение о создании Международной лаборатории терагерцовых и средневолновых явлений в полупроводниковых наноструктурах(“Laboratory of Terahertz and Mid-Infrared collective Phenomena in Semiconductor Nanostructures”, TERAMIR), Институт физики полупроводников им.А.В.Ржанова СО РАН, Институт физики микро структур РАН(оба Россия), Институт физики высоких давлений ПАН (Польша), Университет Парижа DIDEROT (Франция) 01.01.2015-01.01.2019гг. (Россия – д.ф-м.н. С.А.Дворецкий; Франция – prof. Wojciech Knap). (в стадии продления)
27. Меморандум «Исследование полупроводниковых соединений, полученных МВЕ и MOCVD; применение эллипсометрической технологии», Институт микролектроники Китайской академии наук и Jiagsu Leuven Instruments Co.Ltd. (Бельгия), 2016-2021 гг. (А.В. Двуреченский, С.В. Рыхлицкий).