|
|
PUBLICATIONS
1987 |
1988 |
1989 |
1990 |
1991 |
1992 |
1993 |
1994 |
1995 |
1996 |
1997 |
1998 |
1999 |
2000 |
2001 |
2002 |
2003 |
2004 |
2005-2011 |
1987
-
A.V.Dvurechenskii, I.A.Ryazantsev, A.I.Yakimov, V.A.Dravin. Wide Coulomb
gap in localized states of 3d- metals in amorphous silicon. Journal of
Non-Crystalline Sol., 1987, № 1 111-114.
-
А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, Б.П.Кашников.
Дефект вакансия-примесь с пространственно разделенными компонентами в кремний,
облученном электронами. Физ. и техн. полупроводн. 1987, т.21, № 1, с.50-56.
-
А.В.Двуреченский, Н.М.Игонина, Р.Гретцшель.
Распределение ионно-имплантированной примеси в кремнии после многократного
импульсного отжига. Физ. и техн. полупроводн. 1987,т.21, № 2 357-360.
-
Л.Н.Александров, В.Ю.Баландин, А.В.Двуреченский.
Фазы самоподдерживающейся кристаллизации аморфных слоев. Автометрия, 1987,
№ 1, с.64-67.
-
Л.Н.Александров, И.П.Белоусов, В.А.Ефимов.
Закономерности роста и электрофизические свойства слоев нитрида кремния,
полученных плазмохимическим методом. Электронная техника, материалы, сер.6.1987,
вып.2(223), с.66-69.
-
Л.Н.Александров, С.Ю.Князев, С.В.Лозовский.
Диффузионная модель переноса легколетучих примесей при перекристаллизации
через тонкий вакуумный промежуток.- В кн:Кристаллизация и свойства кристаллов,
Новочеркасск, ГТУ, 1987, с.35-40.
-
Л.Н.Александров, С.В.Лозовский, С.Ю.Князев.
Управление массопереносом легирующей примеси при зонной сублимационной
перекристализации кремния. Письма в в ЖТФ, 13 (1987) с.1080-85.
-
Aleksandrov, V.S.Mordyuk, A.T.Tokareva, A.A.Rubtsov.
Growth and Removing of Tungsten Whiskers under Control Conditions.
Cryst. Res.Technol. 22(1987) с.503-508.,
Top
1988
-
Ю.В.Баландин, А.В.Двуреченский, Л.Н.Александров.
Плазменный эффект при импульсном наносекундном отжиге аморфных слоев кремния.
Поверхность: физ. хим. мех. 1988, № 7, с.79-86.
-
А.В.Двуреченский, В.А.Дравин, А.И.Якимов.
Безактивационная прыжковая проводимость по состояниям кулоновской щели
в a-Si. Письма в ЖЭТФ, 1988, в.3, с.144-146.
-
L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Melting
of Multilayered Structures under Pulse Heating (Computational Experiment).
Phys.Stat.Sol.
(а), 1988, v.109, № 1, K27-K28.
-
А.В.Двуреченский, А.А.Каранович. Междоузельный
дефект низкой симметрии в кремии, облученном нейтронами. Физ. и техн. полупроводн.
1988, т.22, в.6, с.1057-1061.
-
А.Х.Антоненко, В.В.Болотов, А.В.Двуреченский,
В.А.Стучинский, В.А.Харченко, А.А.Стук. Накопление и отжиг радиационных
дефектов в кремии в зависимости от температуры при облучении нейтронами.
Физ. и техн. полупроводн. 1988, т.22, в.5, с.887-892.
-
L.N.Aleksandrov, E.V.Nidaev, and A.L.Vasil'ev.
Defects produced in a silicon surface layer by laser pulse. Pis'ma Zh.
Tekh. Fiz, 14(1988) 838-841. Sov. Tech. Phys. Lett. 14(1988) 374-375.
-
L.N.Aleksandrov, I.I.Belousov and V.M.Efimov.
Regularities of growth and electrical properties in the plasma enhanced
deposition of Silicon Nitride. Thin Solid Films, 157(1988) 337-343.
-
L.N.Aleksandrov. Structure Modifications of
Silicon by Pulse Annealing.- in: Recent Trends in Grystal Growth, Ed. R.Ramasamy,
ICSU COSTED, Madras, 1988, p.85-101.
-
L.N.Aleksandrov, S.V.Lozovskii, and S.V. Knyazev.
Silicon Zone Sublimation Regrowth. Phys. Stat. Sol. A, 107 (1988) 213-224.
-
L.N.Aleksandrov. Mechanical Stress in the
Crystallization Process of Amorphous Semiconductors by Pulse Action. Phys.
Stat. Sol. (A), 106 (1988) K 135-138.
-
L.N.Aleksandrov. Die Modifikations die
Strukturen im Silicon bei dem Pulse Heizung. TU Karl-Marx-Stadt Wissenschaftliche
Tagungen, 5 (1988) 133-141.
-
Л.Н.Александров. Рост и структура полупроводниковых
пленок при импульсных воздействиях. - В кн.: Процессы роста полупроводниковых
кристаллов и пленок. Новосибирск, Наука, ред. Ф.А.Кузнецов, 1988, с. 23-37.
Top
1989
-
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Кулоновская
щель и переход металл-диэлектрик в неупорядоченных полупроводниках с сильно
локализованными состояниями. ЖЭТФ, 1989, т.95, № 1, с.159-169.
-
A.V.Dvurechenskii, V.A.Dravin, A.I.Yakimov. Electrical properties of ion-doped
amorphous silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1989, v.113, p.519-527.
-
A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii. The ESR Studies of Inhomogeneous Deformations
in Neutron-Irradiated Si. Phys. Stat.Sol. (a), 1989, v.111, p.257-263.
-
С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, А.Л.Васильев.
Структуры кремний-на-изоляторе, формируемые перекристаллизацией импульсным
нагревом. Электронная промышленность, 1989, № 4, с.3-7.
-
L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Recrystallization
of silicon-on-insulator layers in pulsed nanosecond heating (model calculations).
Thin Solid Films, 1989, v.171, p.235-242.
-
L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova.Two-dimensional
model of SOI Structure Crystallization by Pulsed Nanosecond Heating. Phys.
Stat.Solidi (a), 1989, v.115, p.K23-K26.
-
A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, V.V.Suprunchik. Paramagnetic defects
in Si irradiated with high doses of fast electrons and neutrons. Radiat.Effects
and Defects in Solids, 1989, v.111-112, №
1-2, p.91-98.
-
Л.Н.Александров. Формирование дислокаций в
слоях полупроводников при импульсном нагреве. - в кн: Свойства и структура
дислокаций в полупроводниках, АН СССР, Черноголовка, 1989, с.6-12.
-
Л.Н.Александров, А.Н.Коган, P.В.Бочкова, Н.П.Тихонова.
Изучение влияния химических реакций на формирование структуры полупроводниковых
пленок методом Монте-Карло. Неорганические материалы, 25 (1989) 1061-1066.
-
L.N.Aleksandrov. Crystallization Processes
and Structures of Semiconductor Films.- in: Polycrystalline Semiconductors,
Eds. J.H.Werner, H.J.Moller, H.P.Strunk. Springer Proceed. Physics, v.
35, 1989, Berlin, Heidelberg, New-York, p.270-282.
-
L.N.Aleksandrov, S.V.Babenkova, and V.A.Zinovyev.
Thermoelastic Stresses in Multilayered Structures of Silicon - Insulator
Types (Computational Experiment). Phys, Stat. Sol. (A), 116 (1989) K57-60.
-
L.N.Aleksandrov, A.N.Kogan and N.P.Tikhonova.
Monte Carlo Study of the Silicon Film Growth From Molecular Beams. Solid
Films, 183 (1989) 345-350.
-
L.N.Aleksandrov. Crystallization processes
and structures of semicoductor films. Review of Solid State Science, 3
(1989) 203-220.
Top
1990
-
А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко,
Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых
имплантацией ионов азота в Si. Физ. и техн. полупроводн. 1990, т.24, вып.6,
с.1101-1103.
-
С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, В.Ю.Баландин,
С.П.Верходанов, Л.В.Мишина, О.А.Кулясова. Особенности плавления монокристаллической
подложки в затравочных окнах при формировании слоев кремния на изоляторе
импульсным нагревом. Письма в ЖТФ, 1990, т.16, вып.22, с.11-17.
-
L.N.A.Aleksandrov, V.A.Zinovyev. Melting and
Grystallization of Silicon Layers on Insulator with Millisecond Lamp Heating.
Gryst.Res. Technol. 25 (1990) 269-276.
-
Л.Н.Александров. Современные физические проблемы
твердых пленок. Новосибирск, НГТУ, 1990, 100 с.
Top
1991
-
L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Simulation
of structural transformations in multilayers systems on silicon by pulsed
nanosecond annealing. Reviews of Solid State Science 1991, v.5, №1,
p.1-14.
-
V.Yu.Balandin, O.A.Kulyasova, A.V.Dvurechenskii, L.N.Aleksandrov, S.L.Babenkova,
Yu.A.Manzhosov. Simulation of Temperature and Elastic Fields and Phase
Transitions in SOI Structures Formed by Pulse Heating. Phys. Stat.Sol.
(a), 1991, v.123, Iss. 2, p.415-430.
-
A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii, I.E.Tyschenko, G.A.Kachurin. Centres
of spin-dependent recombination in structures formed by N ion implantation
into Si. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research, B, 1991, v.55, Iss.1-4,
p.630-632.
-
А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко,
Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых
имплантацией ионов азота в Si. Электронная техника, Сер. Материалы, 1991,
вып. 7(261), с.26-29.
-
Ю.А.Манжосов, А.В.Двуреченский, Г.Д.Ивлев.
Динамика перекристаллизации пленки кремния на слое диэлектрика при наносекундном
лазерном воздействии. Письма в ЖТФ, 1991, т.17, вып.10 с.58-63.
-
А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, О.Л.Колесникова.
ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель. Физ. и техн.
полупроводн. 1991, т.25, вып.5, с.923-927.
-
L N.Aleksandrov and T.V.Bondareva. Enhanced
Diffusion of Impurities in Silicon during Rapid Thermal Annealing
(Computer Simulation). Phys. Stat.Sol. (A), 125 (1991) K 71-75.
-
Л.Н.Александров, Т.В.Бондарева, А.Г.Качурин,
И.Е.Тысченко. Численное моделирование диффузии В и Р в кремнии при высокотемпературной
ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 25(1991) 227-230.
-
Л.Н.Александров, Р.В.Бочкова, А.Н.Коган, Н.П.Тихонова.
Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло.
Наука, Новосибирск, 1991, 168 с.
-
V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all.
Negative differenssial resistance at hopping conduction range in a silicon
epitaxial structure, - Mater. of Found International Conf. on Hopping and
Related Phenomena, Marburg, Germany,1991.
-
V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all.
Negative differenssial resistance in silicon epitaxial structure., - Proc.6-th
European Conf. on MBE and Related Growth Methods, Tampere, Finland, 1991.
Top
1992
-
А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский.
Мезоскопические эффекты в прыжковой проводимости тонких слоев аморфного
кремния, полученных ионным облучением. ЖЭТФ, 1992, т.102, вып.6(12) с.1882-1890.
-
А.I.Yakimov, V.A.Markov, A.V.Dvurechenskii,
O.P.Pchelyakov. “Coulomb staircase” in a Si/Ge structure. Phil. Mag., B,
1992, v.65, Iss.4, p.701-705.
-
L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Thermoelastic
Stresses in HgxCd1-xTe-SiO2.
Phys. Stat. Sol. (a), 1992, v.131, № 1, p.K19-K24.
-
V.A.Zinovyev, V.Yu.Balandin, L.N.Aleksandrov,
A.V.Dvurechenskii. Step Flow Homoepitaxy of Si(111) with (7x7)-(1x1) Superstructure
Phase Transition. Phys. Stat.Sol. (b), 1992, v.173, №1, p.K5-K9.
-
L.N.Aleksandrov. Structural transformation
in silicon by pulse heating. Progress in Grystal Growth and Characterization
of Materials, 24 (1992) 653-110.
Top
1993
-
A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, A.V.Rybin, R.Gr?
tzschel. Paramagnetic defects in silicon irradiated with 40 MeV As ions.
Nuclear Instrum. Methods in Phys. Research, B, 1993, v.80/81, Iss. JUN
Part 1, p.620-623.
-
А.В.Двуреченский, В.Г.Ремесник, И.А.Рязанцев,
Н.Х.Талипов. Инверсия типа проводимости слоев Cdx Hg1-xTe,подвергнутых
плазменной обработке. Физ. и техн. полупроводн. 1993, т.27, вып.1, с.168-171.
-
А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, Э.М.Баскин.
Кулоновская щель в явлениях нелинейного экранирования и неомической прыжковой
проводимости. ЖЭТФ, 1993, т.104,
вып.1, с.2473-2482.
-
С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, Д.Шток, В.А.Зиновьев.
Возможные механизмы роста в процессе перекристаллизации слоев кремния на
SiO2 при импульсном миллисекундном
нагреве. Физика и химия обработки материалов, 1993, № 4, с.28-34.
-
A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Spontaneous fluctuations of
variable-range hopping current in amorphous silicon microstructures. Phys.
Lett. A, 1993, v.179, Iss.2 p.131-134.
Top
1994
-
A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Inelastic resonant tunneling
in amorphous silicon microstructures. Phys. Lett. A, 1994, v.194, Iss.1-2,
p.133-136.
-
A.I.Yakimov, V.A.Markov, A.V.Dvurechenskii, O.P.Pchelyakov. Conductance
oscillations in Ge/Si heterosrtuctures containing quantum dots. J.Phys.:
Condens. Matter, 1994, v.6, Iss.13, p.2573-2582.
-
V.Yu.Balandin, L.N.Aleksandrov, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Interference
Effects at Laser Pulse Heating of Multilayer Structures. Phys. Stat. Sol.
(a), 1994, v.142, Iss.1, p.99-105.
-
V.A.Zinovyev, L.N.Aleksandrov, A.V.Dvurechenskii, K.-H.Heining, D.Stock.
Modelling of layer-by-layer sputtering of Si(111) surfaces under irradiation
with low-energy ions. Thin Solid Films, 1994, v.241, Iss.1-2, p.167-170.
-
A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Hopping conduction and resonant
tunneling in amorphous silicon microstructures. J.Phys.: Condens. Matter,
1994, v.6, Iss.13, p.2583-2594.
-
A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Incoherent mesoscopic phenomena
in amorphous Si microstructures. Phys. Low-Dim. Structures, 1994, v.6,
p.75-92.
-
K.-H.Heinig, D.Stock, H.Boettger, V.A.Zinovyev, A.V.Dvurechenskii, A.V.Aleksandrov.
Formation of double- height Si(100) steps by sputtering with Xe ions –
a computer simulation. In: Materials Synthesis and Processing using ion
beams. Ed. by R.J.Culberton et. al., Pittsburgh, Material Research Society,
1994,v. 316, p.1035-1040.
-
L.N.Aleksandrov, R.V.Bochova, G.M.Kiselev
and I.A.Entin. Study of the initial stage of film crystallization by Monte
Carlo method. Gryst. Res. Technol. 29 (1994) 25-31.
-
Л.Н.Александров. Механические напряжения в
многослойных структурах типа кремний на изоляторе. Микроэлектроника, 23
(1994) 76-82.
-
V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, Yu.P.Stepantsov.
Hopping in silicon layers with low impurity concentration - in Hopping
and related phenomena 5, World Scientific, Singapore. New Jersey. London.
Hong Kong.,1994, 357, p.51-54
Top
1995
-
А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, А.В.Рыбин.
Механизм дефектообразования в кристаллах при неупругом торможении высокоэнергетических
ионов. ЖЭТФ, 1995, т.107, вып.2, с.493-503.
-
I.V.Antonova, A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, A.V.Rybin, S.S.Shaimeev,
H.Klose. Removal of Electrically Active Defects in Silicon by 340 MeV Xe
Ion Bombardment. Phys. Stat. Sol. (a), 1995, v.147, p.K1-K3.
-
A.A.Karanovich, S.I.Romanov, V.V.Kirienko, A.M.Myasnikov, V.I.Obodnikov.
A secondary ion mass spectrometry study of p+ porous silicon. J. Phys.
D: Appl. Phys., 1995, v.28, p.2345-2348.
-
A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii, L.A.Scherbakova. Low-dimensional
hopping conduction in porous amorphous silicon. Physica B, 1995, v.205,
p.298-304.
-
A.I.Yakimov, T.Wright, C.J.Adkins, A.V.Dvurechenskii. Magnetic correlations
on the insulating side of the metal-insulator transition in amorphous Si1-x
Mnx
.
Phys.
Rev. B, 1995, v.51, №23, p.16549-16522.
-
L.N.Aleksandrov, A.N.Kogan, V.S.Mordyuk et
al. The Study of Whisker Growth by the Monte Carlo Method. Phys. Stat.
Sol. (A), 147 (1995) 461-466.
Top
1996
-
A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii, C.J.Adkins, V.A.Dravin. Current-voltage
characteristics of porous amorphous Si1-x Mnx
in the one-dimensional hopping regime. Phil. Mag. Letters, 1996, v.73,
№1, p.17-26.
-
А.И.Якимов, В.А.Марков, А.В.Двуреченский,
О.П. Пчеляков. Продольная проводимость гетероструктур Ge/Si с квантовыми
точками. Письма в ЖЭТФ, 1996, т.63, вып.6 с.423-426.
-
А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский.
Фотостимулированные мезоскопические флуктуации тока в микроструктурах на
основе а-Si. Письма в ЖЭТФ, 1996, т.64, вып.10, с. 674-677.
-
A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev, A.F.Faizullina. Oscillation of step velocity
at sputtering of Si(111) vicinal surfaces by low-energy Xe ions. Surface
Science, 1996, v.347, Iss.1-2, p.111-116.
-
А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский,
Л.А.Щербакова, А.И.Никифоров. Электрические свойства фрактальных систем
на основе пористого аморфного кремния. ЖЭТФ, 1996, т.110, вып.7, с.322-333.
-
А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев, В.А.Марков,
Р.Грецшель, К.-Х. Хайниг. Эффекты импульсного воздействия ионами низких
энергий при гомоэпитаксии кремния из молекулярного пучка. Письма в ЖЭТФ,
1996, т.64, вып.10, с. 690-695.
-
В.В.Супрунчик. Прыжковый транспорт в слоях
кремния с низким содержанием атомов примеси. ЖЭТФ, 1996, том 110, вып.5
(11), стр. 1-8.
-
Л.Н.Александров, П.Л.Новиков. Моделирование
образования структур пористого кремния. В кн. Тонкие пленки в электронике.
Москва. 1996 г., с. 265-268.
-
L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Kinetics of Phase Transitions in Porous Materials,
Phys. Status solidi (a), 1996, v.198, N 2.
Top
1997
-
A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenckii , N.P.Stepina, L.A.Scherbakova, C.J.Adkins
, V.Z.Chorniy, V.A.Dravin and R.Groetzschel. The temperature-induced transition
from 3d to 1d hopping conduction in porous amorphous Si1-c Mnc.
J.Phys.: Condens. Matter 9, p.889-899(1997).
-
A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii,C.J.Adkins and V.A.Dravin. The Kondo
effect in amorphous Si1-cMnc. J.Phys.: Condens. Matter
9, p.499-506(1997).
-
А.И.Якимов, Н.П.Степина, А.В.Двуреченский,
Л.А.Щербакова. Подавление фрактального канала проводимости и эффектов суперлокализации
в пористом а-Si:H. ЖЭТФ, т.112, вып.3(9), с.926-935(1997).
-
А.И.Якимов, А.В.Двуреченский. “Переход металл-изолятор
в аморфном Si1-cMnc, полученном ионной имплантацией”. Письма в ЖЭТФ,
т.65, №4, с. 333-337(1997).
-
Л.Н.Александров, П.Л.Новиков. Моделирование
образования структур пористого кремния. Письма в ЖЭТФ, т.65, в.5, с.685(1997).
-
L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Mechanism of
formation and topologycal analysis of porous silicon-computational modeling.-in
“E-MRS Proceedings”, volume 70, Elsevier, Science, 1997, p.406-410. Eds.
H.Dreysse et al.
Top
1998
-
A.V.Dvurechenskii, A.I.Yakimov, N.P.Stepina. Mesoscopic phenomena in a-Si
based microstructures. Phys. Stat. Sol., (b), v.205, No.1, 1998.
-
4. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii and C.J.Adkins.
Effect of spin-glass ordering on conduction in a-Si1-cMnc
near the metal - insulator transition. Phys. Stat. Sol., (b), v.205, No.1,
1998.
-
А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, Р.Гретцщель,
Ф.Херрман, Р.Кеглер, А.В.Рыбин. Распределение по глубине точечных дефектов
в Si, облученном высокоэнергетичными ионами N и Si . Физика твердого тела,
1998, т. 40, N 2, с.217-222.
-
А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, В.А.Дравин,
Ю.Ю.Проскуряков. Одномерная локализация в пористом a-Si<Mn>. Письма
в ЖЭТФ, т.67, вып.4, с.265-269(1998). (English
pdf 93kb)
-
A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Stretched-Exponential Conductivity
Relaxation and 1/f Noise on Fractal Networks of Porous Amorphous Silicon.
Phys. Low-Dim. Struct. 1998, v.5/6, p.111-129.
-
L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Modelling of porous silicon structures formation.Thin
Solid Films, v.312, №1/2, 1998.
-
L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Mechanism of Formation and Topological Analysis
of Porous Silicon-Computational modeling. Computational Material Science,
v.10/1-4, p.406-410, 1998.
-
А.И.Якимов, А.В.Двуреченский, А.И.Никифоров,
О.П.Пчеляков. Формирование нульмерных дырочных состояний при молекулярно
лучевой эпитаксии Ge на Si(100). Письма в ЖЭТФ, т.68, вып.2, с.125-130(1998).
-
A.I.Yakimov, A.V.Dvurerechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov. Formation
of zero-dimensional hole states in Ge/Si heterostructures probed with capacitance
spectroscopy. Thin Solid Films 1998, v. 336, No. 1-2, p.332-335.
-
L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov. Modelling of porous silicon structures
formation.“Thin Solid Films”, v.312, №1/2, 1998.
-
A.I.Yakimov, N.P.Stepina, A.V.Dvurechenskii. Stretched exponential conductivity
and 1/f noise on fractal networks of porous amorphous Si. Phys. Low-Dim.
struktures, v.5/6, p.111-129(1998).
-
П.Л.Новиков, Л.Н.Александров, А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев. Механизм
эпитаксии кремния на пористых слоях кремния. Письма в ЖЭТФ, т.67, вып.7,
с.512-517(1998).
-
А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев, В.А.Марков. Механизм
структурных изменений поверхности кремния импульсным воздействием низкоэнергетическими
ионами при эпитаксии из молекулярного пучка. ЖЭТФ, 1998, т.114, вып.12,
с.2055-2064. (текст-text)
-
A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov. Coulomb
interaction in Ge Self-Assembled quantum-dot atoms and quantum-dot molecules.
24 th Intern. Conf. on Phys. Semicond., World Scientific, Singapore 1998.
Top
1999
-
А.К.Гутаковский, С.И.Романов, О.П.Пчеляков, В.И.Машанов, Л.В.Соколов, И.В.Ларичкин.
Эпитаксия кремния и твердых растворов германий-кремний на пористом кремнии.
Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63, вып.2, с. 255-261.
-
О.П.Пчеляков, А.В.Двуреченский, В.А.Марков, А.И.Никифоров, А.И.Якимов.
Прямой синтез наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии германия на
кремнии. Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63, вып.2,
с. 228-234.
-
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов, В.А.Марков, А.И.Никифоров, О.П.Пчеляков.
Энергетический спектр дырочных состояний в самоформирующихся квантовых
точках Ge в Si. Известия Академии наук, серия физическая, 1999, т. 63,
вып.2, с. 307-311.
-
П.Л.Новиков. Моделирование образования пористого кремния и эпитаксии кремния
на его поверхности. Известия ВУЗов, серия физическая 1999, т , № 3 с. 49-56.
-
P.L.Novikov, L.N.Aleksandrov, A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev. Modelling
of initial stage of silicon epitaxy on porous silicon (111) surface. "Physics
of Low. Dimensional Structures", 1999, v.1/2, p. 179-187.
-
А.В.Двуреченский, В.А.Зиновьев, В.А.Марков, В.А.Кудрявцев. Сверхструктурный
фазовый переход, индуцированный импульсным ионным воздействием при молекулярно-лучевой
эпитаксии Si(111). Неорганические материалы, 1999, т.35, №6, с.1-4.
-
A.V.Dvurechenskii, V.A.Zinovyev, V.A.Markov, V.A.Kudryavtsev. Surface reconstruction
induced by low-energy ion-beam pulsed action during Si(111) molecular beam
epitaxy. Surface Science. 1999, v.425, №2-3, p.185-194.(pdf)
-
L.N.Aleksandrov. Phase and Structural modifications, in porous silicon
under heating International Journ. of Thermophysics, 1999, v.20, No 4,
p.1223-1235.
-
A.I.Yakimov, C.J.Adkins, R.Boucher, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov.
Hopping conduction and field effect in Si modulation doped structures with
embedded Ge quantum dots. Phys.Rev.B, 1999, v.59, No.19, p.12598-12603.
-
A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, and O.P.Pchelyakov. Charging
Dynamics and Electronic Structure of Excited State in Ge Self-Assembled
Quantum Dots. Phys. Low-Dim. Structure, 1999, v.3/4, p.99-110.
-
А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Квантовые точки в системе Ge/Si. Известия
ВУЗов. Материалы электронной техники, 1999, № 4, стр. 4-15. (doc)
-
A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, Yu.Yu.Proskuryakov, A.I.Nikiforov, O.P.Pchelyakov,
S.A.Teys, A.K.Gutakovskii. Normal-incidence infrared photoconductivity
in Si p-i-n diode with embedded Ge self-assembled quantum dots. Appl. Phys.
Lett., 1999, v.75, № 19, p. 1413-1415.
-
S.I.Romanov, V.I.Mashanov, L.V.Sokolov, A.Gutakovskii, O.P.Pchelyakov.
"GeSi films with reduced dislocation density grown by molecular beam epitaxy
on compliant substrates based on porous silicon" Applied Physics Letters,
1999, v.75, No.26, p. 4118-4120.
-
А.И.Якимов, А.В.Двуреченский. Анизотропное отрицательное магнетосопротивление
в одномерных каналах пористого кремния. Письма в ЖЭТФ, 1999, т.69, № 3,
с.189-193.
-
A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, V.V.Kirienko, A.I.Nikiforov, C.J.Adkins.
Oscillations of Hopping Conductance in Array of Charge-Tunable Self-Assembled
Quantum Dots. J.Phys.: Condens. Matter, 1999, v.11, p.9715-9722.
-
Д.Н.Ким, В.В.Супрунчик, Г.Р.Мунасипов, В.Я.Батищев. "Автоматизированная
система сопровождения внутри трубного снаряда в нефтепроводе". Журнал трубопроводный
транспорт нефти. 1999, № 5, с. 20-25.
Top
2000
-
А.А. Федоров, М.А. Ревенко, Е.М. Труханов, С.И. Романов, А.А. Каранович,
В.В. Кириенко, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, А.К. Гутаковский.
Интерференционные эффекты при рентгеновской топографии в системе эпитаксиальный
кремний/пористый кремний/кремний. Поверхность. 2000, № 4, с.19-26.
-
S.I. Romanov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, R. Groetzschel, A. Gutakovskii,
L.V. Sokolov, M.A. Lamin. Homoepitaxy on porous silicon with a buried oxide
layer: full-wafer scale SOI. In: Perspectives, Science and Technologies
for Novel Silicon on Insulator Devices, edited by P.L.F. Hemment, V.S.
Lysenko and A.N. Nazarov, NATO Science Series 3. High Technology - Vol.
73, pp.29-46. 2000 Kluwer Academic Publishers.
Download Word
Document
-
S.I. Romanov, A.V. Dvurechenskii, Yu.I.Yakovlev, R. Groetzschel, U. Kreissig,
V.V. Kirienko, V.I. Obodnikov, A. Gutakovskii. Characterization of porous
silicon layers containing a buried oxide layer. In: Perspectives, Science
and Technologies for Novel Silicon on Insulator Devices, edited by P.L.F.
Hemment, V.S. Lysenko and A.N. Nazarov, NATO Science Series 3. High Technology
- Vol. 73, pp.195-204. 2000 Kluwer Academic Publishers.
Download Word
Document
-
P.L. Novikov, L.N. Aleksandrov, A.V. Dvurechenskii, V.A. Zinoviev. Study
of porous silicon formation and silicon-on-porous silicon epitaxy (computational
modelling). In: Nanostructured Films and Coatings, ed.by Gan-Moog Chow
et.al, Kluwer Academic Publishers. Dordrecht, 2000, p.255-265.
-
О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И.
Никифоров, А.И. Якимов. Молекулярно-лучевая эпитаксия наноструктур на основе
кремния и герма-ния. Физ. и техн. полупров. 2000, т.34, в.11, с.1281-1299.
-
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Электрические и фотоэлектрические свойства
сруктур Ge/Si с плотным массивом квантовых точек. Известия РАН, серия физическая.
2000, т.65, вып.2, с.306-310. (doc)
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, C.J. Adkins. Hopping
transport through an ensemble of Ge self-assembled quantum dots. Phys.
Stat.Sol. (b), 2000, v.218, p.99-105.
-
А.А. Федоров, А.В. Колесников, А.П. Василенко, О.П. Пчеляков, С.И. Романов,
Л.В. Соколов, Е.М. Труханов. Эпитаксиальный пленочный рентгеновский интерферометр-инструмент
для изучения структуры полупроводниковой гетеросистемы. Приборы и техника
эксперимента. 2000 , № 2, с.135-139.
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, Yu.I. Yakovlev, A.I. Nikiforov,
C.J. Ad-kins. Long-range Coulomb interaction in arrays of self-assembled
quantum dots. Phys. Rev. B. 2000, v.61, p.10868-10876. (pdf)
-
А.В. Двуреченский, Н.Б. Придачин. Кремний-2000. Наука в Сибири, № 10, 2000.
-
А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский. Пространственное распределение упругих
деформаций в структурах Ge/Si с квантовыми точками. ЖЭТФ, 2000, № 9, т.118,
с.570-578. (doc)
-
A. Milekhin, N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.I. Nikiforov, S. Schulze. D.R.T.
Zahn. Raman scattering of Ge dot superlattices. European Physical Journal
B, 2000, v.16, p.355-359.
-
С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, А.В. Ненашев, Н.П. Степина, А.И. Никифоров,
Л.Н. Мазалов. Микроскопические характеристики гетероструктур, содержащих
нанокластеры и тонкие слои Ge в Si-матрице. Журнал структурной химии, 2000,
v.41. № 5, p.890-895.
-
А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, В.А. Кудрявцев, Ж.В.Смагина. Эффекты
низкоэнергетического ионного воздействия при гетероэпитаксии Ge/Si из
молекулярных пучков. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, №3, 190-194. [JETF, 2000,
№ 3, v.72, p.131-133]. (pdf)
-
O.P. Pchelyakov, Yu. B. Bolkhovityanov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov,
A.I. Yakimov, B. Voigtlander. Molecular beam epitaxy of Si-Ge nanostructures.
Thin Solid Films. 2000. v.367, p.75-84.
-
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Отрицательная
меж-зонная фотопроводимость в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками
2-го типа. Письма в ЖЭТФ, 2000, т.72, № 4, с.267-272. (pdf)
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov. Depolarization
shift of the in-plane polarized interlevel resonance in a dense array of
quantum dots. Phys. Rev. B, 2000, v.62, № 15, p.9939-9942. (pdf)
-
N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Mechanism of Two-Level
Hopping Current Fluctuations in Mesoscopic a-Si Based Structures. Phys.Stat.Sol.
2000, v.218, p.155-158. (pdf)
-
A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev.
Exitons in charged Ge/Si type II quantum dots. Semicond. Sci. Technol.
2000, v.15, p. 1-6. (pdf)
-
A.V. Dvurechenskii, V.A. Zinovyev, V.A. Kudryavtsev, J.V. Smagina, S.A.
Teys, and I.G. Kozhemyako. Morphology and reconstruction of Surface during
Ge/Si Heteroepitaxy under Low-Energy Ion Beam Irradiation. Proc. of 1-st
Inter. Congres on Radiation Physics and Chemistry of Condensed Matter Tomsk,
2000, v.1, p.238-242.
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, A.A.
Nenashev. Evidence for a negative interband photoconductivity in arrays
of Ge/Si type-II quantum dots. Phys. Rev. B. 2000, v.62, № 24. (pdf)
-
A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, E.M. Trukhanov, L.V. Sokolov, A.A. Fedorov,
O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov. Investigation of the atomic crystal plane
relief by X-ray epitaxial film interferometer. Appl. Surf. Sci. 2000, v.166
(1-4), p.82-86.
-
A.A. Fedorov, A.V. Kolesnikov, A.P. Vasilenko, O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov,
L.V. Sokolov, E.M. Trukhanov. An X-ray epitaxial film interferometer as
a tool for studying the structure of a semiconductor heterosystem. Instruments
and experimental techniques. 2000, v.43 (2), p.271-274.
-
A.P. Vasilenko, A.V. Kolesnikov, E.M. Trukhanov, L.V. Sokolov, A.A. Fedorov,
O.P. Pchelyakov, S.I. Romanov. Precise structure investigations of heterosystem
epitaxial Si/porous Si/substrate Si. Inst.Conf.Ser. 2000. No.166, chapter
3, p.173-176.
Top
2001
-
A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii, and A.I. Nikiforov. Interband
absorption in charged Ge/Si type-II quantum dots, Phys. Rev. B, 2001, v.63,
№ 4, pp. 45312-45317. (pdf)
-
А.В. Двуреченский. Явление импульсной ориентированной кристаллизации твердых
тел (<Лазерный отжиг>), Соросовский образовательный журнал, 2001.
-
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Эффекты взаимодействия в системе Ge/Si
с квантовыми точками, Известия Академии наук; серия физическая, 2001, т.65,
№2, с. 187-191. (doc)
-
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, А.В. Ненашев.
Эффекты электрон-электронного взаимодействия в оптических свойствах плотных
массивов квантовых точек, ЖЭТФ, 2001, т.119, вып. 3, стр.574-589. (ps)
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev.
Contribution of the Electron-Electron Interaction to the optical Properties
of Dense Arrays of Ge/Si Quantum Dots, JETP, 2001, Vol. 92, No.3, pp.500-513.
-
А.В. Двуреченский, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, И.А. Рязанцев. Блокирующий
контакт р++ - р+ - р в кремниевых ИК-фотоприемниках
с проводимостью р-типа, Автометрия, 2001 г., № 3, стр. 55-64.
-
A.V. Dvurechenskii, A.P. Kovchavtzev, G.L. Kurychev, I.A. Ryazantsev. The
Blocking Contact р++ - р+ - р in Silicon IR-photodetectors
with p-type conductivity. Optoelectronics Instrumentation and Data Processing,
№ 3, pp.45-52.
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, Yu.Yu. Proskuryakov.
Interlevel Ge/Si quantum dot infrared photodetector, J. Appl. Phys. 2001,
v. 89, № 10, pp. 5676-5681. (pdf)
-
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров. Пространственное разделение
электронов в гетероструктурах Ge/Si (001) с квантовыми точками, Письма
в ЖЭТФ, 2001, т.73, вып. 10, с. 598-600. (ps)
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov. Spatial Separation of
Electrons in Ge/Si(001) Heterostructures with Quantum Dots, JETP Letters,
2001, Vol.73, No.10, pp.529-531.
-
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки 2-го типа, ФТП, 2001, т.
35, вып. 9, с. 1143-1153. (pdf)
-
A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov. Type II Ge/Si Quantum Dots, Semiconductors,
2001, Vol.35, No.9, pp.1095-1105. (pdf)
-
А.В. Двуреченский, В.А. Зиновьев, Ж.В. Смагина. Эффекты самоорганизации
ансамбля наноостровков Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими
ионами в процессе гетероэпитаксии на Si. Письма
в ЖЭТФ, 2001, т. 74, № 5, с. 296-299.(pdf)
-
A. V. Dvurechenskii, V.A. Zinoviev and Zh.V. Smagina. Self-Organization
of an Ensemble of Ge Nanoclusters opon Pulsed Irradiation with Low-energy
Ions during Heteroepitaxy on Si, JETP
Letters, 2001, Vol.74, pp.267-269.(pdf)
-
S.B. Erenburg, N.V. Bausk, L.N. Mazalov, A.I. Nikiforov, N.P. Stepina,
A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Local structure of self-organized uniform
Ge quatum dots on Si (001), Solid State Ionics - Diffusion and Reactions,
2001, Vol.141-142, pp.137-141.
-
S.B. Erenburg, N.V. Bausk, L.N. Mazalov, N.P. Stepina, A.V. Nenashev. Surface
sensitive mode XAFS measurement of local structure of ordered Ge nanoclusters
(quantum dots) on Si (001), Nucl. Instr. & Meth. in Phys. Res. A, 2001,
Vol.467-468, pp.1229-1232.
-
S.B. Erenburg, N.V. Bausk, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, A.V. Nenashev,
L.N. Mazalov. Microscopic parameters of heterostructures containing nanoclusters
and thin layers of Ge in Si matrix, Nucl. Instr. & Meth in Phys. Res.
A, 2001, Vol.470/1-2, pp.283-289.
-
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками,
УФН, 2001, т.171, №12, стр.7-9. (pdf)
-
A.Milekhin, S.Schulze, D.R.T.Zahn, N.Stepina, A.Yakimov, A.Nikiforov. Raman
Scattering of Ge Dot superlattices, Appl. Surf. Sci., 2001, Vol.175-176,
pp.629-635.
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, N.P. Stepina, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov.
Spatially indirect excitons in self-assembled Ge/Si quantum dots, Nanotechnology
2001, №12, S1-S6.
-
Зиновьев В.А., Двуреченский А.В., Новиков П.Л. Модель перехода от двумерно-слоевого
к трёхмерному росту при гетероэпитаксии Ge/Si, Поверхность 2002, №2, c.10-13. (pdf)
-
A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Yakimov. Electronic structure
of Ge/Si quantum dots, Nanotechnology, 2002, № 13, S1-S6. (pdf)
-
A. V. Dvurechenskii, V.A. Zinovyev, V.A. Kudryavtsev, Zh.V. Smagina, P.L.
Novikov, S.A. Teys. Ion-Beam Assisted Surface Islanding During Ge MBE on
Si, Phys. Low-Dim. Struct., 2002, 1/2, p.303. (pdf)
Top
2002
-
А. В. Двуреченский, А. В. Ненашев, А. И. Якимов.
Электронная структура квантовых точек Ge/Si // Известия РАН, серия физическая,
2002, т. 66, № 2, с. 156–159. (doc)
-
A. V. Dvurechenskii, A. V. Nenashev, A. I.
Yakimov. Electronic structure of Ge/Si quantum dots // Nanotechnology,
2002, v. 13, № 1, pp. 75-80. (pdf)
-
A. I. Yakimov, N. P. Stepina, A. V. Dvurechenskii,
A. I. Nikiforov, A. V. Nenashev. Many-particle effects in excitonic transitions
in type-II Ge/Si quantum dots // Physica E, 2002, v. 13, pp. 1026–1029.
-
В.А. Зиновьев, А.В. Двуреченский, П.Л. Новиков.
Модель перехода от двумерно-слоевого
к трёхмерному росту при гетероэпитаксии Ge/Si // Поверхность 2002,
№2, c.10-13. (pdf)
-
A. V. Dvurechenskii, V. A. Zinovyev, V. A.
Kudryavtsev, Zh. V. Smagina, P. L. Novikov, S.A. Teys. Ion-Beam Assisted
Surface Islanding During Ge MBE on Si // Phys. Low-Dim. Struct., 2002,
1/2, pp.303-314.
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Germanium
self-assembled quantum dots in silicon for mid-infrared photodetectors
// International Journal of High Speed Electronics and Systems, Special
Issue on Intersubband Infrared Photodetectors, 2002.
-
K.-H. Heinig, P.L. Novikov, A.N. Larsen, and
A.V. Dvurechenskii. Simulation of ion-irradiation stimulated Ge nanocluster
formation in gate oxides containing GeO2 // Nucl. Instr. & Meth in
Phys Res. B, 2002, 191 (1-4), p. 462. (pdf)
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko,
A.I. Nikiforov. Ge/Si Quantum Dot Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transitor // Applied Physics Letters, 2002, v.80, № 25, pp.4783-4785. (pdf)
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov
and S.V. Chaikovskii. Barrier Height and Tunneling Gurrent in Schottky
Diodes with Embedded Layers of Quantum Dots // JETP Letters, 2002, v.75,
№2, pp.102-106. (pdf)
-
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров,
С.В. Чайковский. Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными
слоями квантовых точек // Письма в ЖЭТФ, 2002, том 75, вып. 2, с. 113-117.
-
A.I. Yakimov, A.S. Derjabin, L.V. Sokolov,
O.P.Pcheljakov,A.V. Dvurechenskii, M.M. Moiseeva, N.S. Sokolov. Growth
and characterization of CaF2/Ge/CaF2/Si(111) quantum dots for resonant
tunneling diodes operating at room temperature // Applied Physics Letters,
2002, v.81, № 3, pp.449-501.(pdf)
-
N.P.Stepina, R.Beyer, A.I. Yakimov, I. Thurzo,
A.V. Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, S. Shulze, D.R.T. Zahn. Hole emission
and capture in array of self-assembled Ge quantum dots in Si studied by
deep-level transient spectroscopy // Phys.Low-Dim.Struct., 2002, v.11,
pp.261-270.
-
А. В. Двуреченский, И. А. Рязанцев, А.П. Ковчавцев,
Г.Л. Курышев, А. И. Никифоров, О.П. Пчеляков. Фотодиодные свойства p-n
переходов Si<Ge> c квантовыми точками // Автометрия, 2002, т.38,
№ 4, с.115-125.
-
A. V. Dvurechenskii, A. I. Yakimov. Optical
properties of array of Ge/Si quantum dots in electric fields // NATO Science
series volume, “Towards the first Silicon laser”, Kluwer Academic
Publishers, 2002
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko
and A.I.Nikiforov. Hole transport in Ge/Si quantum-dot field-effect transistors//
“Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 2002,
p.191-194.
-
S.B. Erenburg, N.V. Bausk, , A.I .Nikiforov,
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, O.P.Pchelyakov, G.N. Kulipanov. Developing
of XAFS method designed for characterization of materials containing nanostructures
(Ge/Si systems)// “Nanotechnologies in the area of physics, chemistry and
biotechnology”, Fifth ISTC SAC Seminar, St. Petersburg, Russia, May 27-29,
2002, p. 277-287
Top
2003
-
A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled
quantum dots for mid-infrared photodetectors. – International Journal of
High Speed Electronics and Systems, 2003, 12, № 3, 873-889.
-
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки Ge
в МДП- и фототранзисторных структурах. – Известия Академии наук: серия
физическая, 2003, 67, вып. 2, 166-169. (doc)
-
A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov,
A.G.Milekhin, A.O.Govorov, S.Schulze, and D.R.T. Zahn. Stark effect in
type-II Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003, 67, № 12,
125318. (pdf)
-
A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled
quantum dots for mid-infrared photodetectors. – In: Intersubband Infrared
Photodetectors, ed. by V. Ryzhii, Selected Topics in Electronics and Systems,
2003, Vol. 27, World Scientific, Singapore, 281-298
-
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, А.А.
Блошкин. Безфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых
точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 77, вып. 7, 445-449. (pdf)
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov,
and A.A. Bloshkin. Phononless hopping conduction in two-dimensional layers
of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 77, №3, 376-380.
-
A.V. Dvurechenskii and A.I. Yakimov. Optical properties
of arrays of Ge/Si quantum dots in electric fields. – In: Towards the First
Silicon Laser, ed. by L. Paversi et al., Kluwer Academic Publishers, Netherland,
2003, 307-314 (pdf)
-
В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д.
Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Модифицирование
нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения.
– Физика и техника полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1352-1357. (pdf)
-
V.A. Volodin, E.I. Gatskevich, A.V. Dvurechenskii,
M.D. Efremov, G.D. Ivlev, A.I. Nikiforov, D.A. Orekhov, A.I. Yakimov. Pulsed-laser
modification of germanium nanoclusters in silicon. – Semiconductors, 2003,
37, № 11, 1315-1320.
-
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров,
С.В. Чайковский, С.А. Тийс. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых
точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм). – Физика и техника
полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1383-1388. (pdf)
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov,
S.V. Chaikovskii, and S.A. Tiis. Ge/Si photodiodes with embedded arrays
of Ge quantum dots for the near infrared region. – Semiconductors, 2003,
37, № 11, 1345-1349. (pdf)
-
А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, М.Н.
Тимонова. Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте
вдоль слоев квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 78, вып. 4, 276-280. (pdf)
-
A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii,
and M.N. Timonova. Many-electron Coulomb correlations in hopping transport
along layers of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 78, № 4, 241-245.
-
S. Erenburg, N. Bausk, L. Mazalov, A. Nikiforov,
A. Yakimov. Ge quantum dots structural peculiarities depending on the preparation
conditions. – J. Synchrotron Radiation, 2003, 10, № 5, 380-383.
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev,
A.I. Nikiforov. Evidence for two-dimensional correlated hopping in arrays
of Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003, 68, № 23, 230000. (pdf)
-
А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva.
Wave functions and g-factor of holes in Ge/Si quantum dots –
Phys. Rev. B, 2003, 67, 205301. (ps) (pdf)
-
А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева.
Эффект Зеемана для дырок в системе Ge/Si с квантовыми точками – ЖЭТФ, 2003,
том 123, вып.2, 362-372.
-
А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva.
Zeeman Effect for Holes in a Ge/Si System with Quantum Dots –
JETP, 2003, Vol. 96, No 2, 321-330. (pdf)
-
В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, П. Л. Новиков.
Формирование гетероструктур Si/Ge/Si с квантовыми
точками – Поверхность, 2003, №10, 22-26.
-
А.В. Двуреченский, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев,
И. А. Рязанцев, И. А. Никифоров, О. П. Пчеляков. Фотоусиление сигнала Si<Ge>
переходом, содержащим квантовые точки – Прикладная физика 2003, 2, 69-76.
-
Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В.
Двуреченский, А.И. Никифоров. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная
кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si. – Письма в
ЖЭТФ, 2003, 78, № 9, 1077-1081.
-
A. V. Dvurechenskii, I. A. Ryazantsev, A. P. Kovchavsev,
G. L. Kuryshev, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov «Photoconductivity Gain
by Si<Ge> p-n Junction Containing Quantum Dots», Proceedings of
SPIE, Eds. A. M. Filachev and A.I. Dirochka, 17th International Conference
on Photoelectronics and Night Vision Devices, Vol. 5126 (2003), 167-177.
Top
2004
-
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.Ф.
Зиновьева. Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях.
– Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 60-62. (pdf)
-
A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev,
A.F. Zinov’eva. Ge/Si Quantum Dots in External Electric and Magnetic Fields.
– Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59. (pdf)
-
Л.В. Соколов, А.С. Дерябин, А.И. Якимов, О.П. Пчеляков,
А.В. Двуреченский. Самоформирование квантовых точек Ge в гетеро-эпитаксиальной
системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе.
– Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 91-93.
-
L.V. Sokolov, A.S. Derjabin, A.I. Yakimov, O.P. Pchelyakov,
A.V. Dvurechenskii. Self-Assembling of Ge Quantum Dots in the CaF2/Ge/CaF2/Si
Heteroepitaxial System and the Development of Tunnel-Resonance Diode on
Its Basis. – Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59.
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev,
A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, and M.N. Timonova. Two-dimensional phononless
VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Stat. Sol.
(c) 2004, 1, № 1, 51-54. (pdf)
-
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П.
Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д.
Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев. Волноводные Ge/Si-фотодиоды
со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий
связи. – Физика и техника полупроводников 2004, 38, вып. 10, 1265-1269. (pdf)
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko,
N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.V. Chaikovskii, V.A. Volodin,
M.D. Efremov, M.S. Seksenbaev, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev. Ge/Si waveguide
photodiodes with built-in layers of Ge quantum dots for fiber-optic communication
lines. – Semiconductors 2004, 38, № 10, 1225-1229 (pdf)
-
В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д.
Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Влияние
наноимпульсного лазерного облучения на квантовые точки германия в кремнии.
– Весцi Нацыянальнай Акадэмii навук Беларусi: серыя физiка-матэматычных
навук 2004, 2, 93-96.
-
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю.
Михалев. Правило Мейера-Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок
в квантовых точках Ge/Si. – Письма в ЖЭТФ 2004 80, вып. 5, 367-371.
- A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov,
G. Mikhalev. The Meyer-Neldel rule in the process of thermal emission and
hole capture in the Ge/Si quantum dots. – JETP Letters 2004, 80, № 5, 321-325.
-
V.A. Volodin, M.D. Efremov, D.A. Orekhov, A.I. Nikiforov,
O.P. Pchelyakov, V.V. Ulyanov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Ge dots
on Si (111) and (100) surfaces with SiO2 coverage: Raman study. Physica
E 2004, 23, № 3-4, 320-323.
-
A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A.
Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance
in a two-dimensional array of Ge/Si quantum dots. – Nanostructures: Physics
and Technology, St. Peterburg, Russia, June 21-25, 2004, pp. 306-307.
-
А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И.
Никифоров. Ge/Si фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых
точек Ge для волоконно-оптических линий связи. – Нанофотоника, Н. Новгород,
2-6 мая 2004, с. 133-136.
-
А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков,
С.А. Тийс, А.И. Якимов. МЛЭ-системы Ge/Si и структуры с квантовыми точками
для элементов наноэлектроники. – В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой
электроники, под. ред. А.Л. Асеева (Издательство Сибирского отделения РАН,
Новосибирск, 2004), с. 67-84.
-
А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Гетероструктуры Ge/Si
с квантовыми точками для нанотранзисторов, фототранзисторов и фотодиодов.
В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева
(Издательство Сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2004), с. 308-336.
-
V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii
Spin transport in Ge/Si quantum dot array. Proc. SPIE 2004, Vol. 5401,
p. 402-409.
-
A. V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii.
“Spin relaxation in Ge/Si quantum dots” –Nanostructures: Physics and Technology,
St. Petersburg, June 21-25, 2004, 332-333.
-
А. В. Двуреченский. Импульсная ориентированная кристаллизация
твердых тел (лазерный отжиг). Соросовский образовательный журнал 2004,
том 8, №1, 1-7. (pdf)
-
А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев,
В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов. Элементный состав нанокластеров,
формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе
эпитаксии Ge/Si. Письма в ЖЭТФ 2004, том 79, вып.7, с.411-415. (pdf)
-
A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinoviev,
V. A. Armbrister, V. A. Volodin and M. D. Efremov. Elemental composition
of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during
Ge/Si epitaxy. JETP Letters 2004, Vol. 79, No.7, pp. 333-336. (pdf)
-
N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V.
Nenashev, and A.I. Nikiforov, Non-Equilibrium Transport in Arrays
of Type-II Ge/Si Quantum Dots, Phys. Stat. Sol. (c) 2004, 1, No.1, pp.21-24. (pdf)
-
A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, V.A. Zinovyev,
S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Modification of growth mode of Ge on Si by
pulsed low-energy ion-beam irradiation”. International Journal of Nanoscience
2004, vol.3, No. 1&2, p.19-27
-
A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R. Groetzschel,
V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Ge/Si quantum
dot nanostructure grown with low-energy ion beam-assisted epitaxy”. Surface&Coatings
Technology. 2004. (doc) (pdf)
-
А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков,
С.А. Тийс, А.И. Якимов. “Молекулярная эпитаксия и электронные свойства
гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками”. Физика низких температур, том
30, вып. 11, 1169-1179 (2004).
|