ПУБЛИКАЦИИ



2004

  1. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева. Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях. – Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 60-62.
  2. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.F. Zinov’eva. Ge/Si Quantum Dots in External Electric and Magnetic Fields. – Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59.
  3. Л.В. Соколов, А.С. Дерябин, А.И. Якимов, О.П. Пчеляков, А.В. Двуреченский. Самоформирование квантовых точек Ge в гетеро-эпитаксиальной системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе. – Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 91-93.
  4. L.V. Sokolov, A.S. Derjabin, A.I. Yakimov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii. Self-Assembling of Ge Quantum Dots in the CaF2/Ge/CaF2/Si Heteroepitaxial System and the Development of Tunnel-Resonance Diode on Its Basis. – Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59.
  5. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, and M.N. Timonova. Two-dimensional phononless VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Stat. Sol. (c) 2004, 1, № 1, 51-54.
  6. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев. Волноводные Ge/Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. – Физика и техника полупроводников 2004, 38, вып. 10, 1265-1269.
  7. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.V. Chaikovskii, V.A. Volodin, M.D. Efremov, M.S. Seksenbaev, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev. Ge/Si waveguide photodiodes with built-in layers of Ge quantum dots for fiber-optic communication lines. – Semiconductors 2004, 38, № 10, 1225-1229
  8. В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Влияние наноимпульсного лазерного облучения на квантовые точки германия в кремнии. – Весцi Нацыянальнай Акадэмii навук Беларусi: серыя физiка-матэматычных навук 2004, 2, 93-96.
  9. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев. Правило Мейера-Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si. – Письма в ЖЭТФ 2004 80, вып. 5, 367-371.
  10. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, G. Mikhalev. The Meyer-Neldel rule in the process of thermal emission and hole capture in the Ge/Si quantum dots. – JETP Letters 2004, 80, № 5, 321-325.
  11. V.A. Volodin, M.D. Efremov, D.A. Orekhov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, V.V. Ulyanov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Ge dots on Si (111) and (100) surfaces with SiO2 coverage: Raman study. Physica E 2004, 23, № 3-4, 320-323.
  12. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance in a two-dimensional array of Ge/Si quantum dots. – Nanostructures: Physics and Technology, St. Peterburg, Russia, June 21-25, 2004, pp. 306-307.
  13. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. Ge/Si фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. – Нанофотоника, Н. Новгород, 2-6 мая 2004, с. 133-136.
  14. А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов. МЛЭ-системы Ge/Si и структуры с квантовыми точками для элементов наноэлектроники. – В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева (Издательство Сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2004), с. 67-84.
  15. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками для нанотранзисторов, фототранзисторов и фотодиодов. В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева (Издательство Сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2004), с. 308-336.
  16. V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii Spin transport in Ge/Si quantum dot array. Proc. SPIE 2004, Vol. 5401, p. 402-409.
  17. A. V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii. “Spin relaxation in Ge/Si quantum dots” –Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 21-25, 2004, 332-333.
  18. А. В. Двуреченский. Импульсная ориентированная кристаллизация твердых тел (лазерный отжиг). Соросовский образовательный журнал 2004, том 8, №1, 1-7.
  19. А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si. Письма в ЖЭТФ 2004, том 79, вып.7, с.411-415.
  20. A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinoviev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin and M. D. Efremov. Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy. JETP Letters 2004, Vol. 79, No.7, pp. 333-336.
  21. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, and A.I. Nikiforov, Non-Equilibrium Transport in Arrays of Type-II Ge/Si Quantum Dots, Phys. Stat. Sol. (c) 2004, 1, No.1, pp.21-24.
  22. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, V.A. Zinovyev, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Modification of growth mode of Ge on Si by pulsed low-energy ion-beam irradiation”. International Journal of Nanoscience 2004, vol.3, No. 1&2, p.19-27
  23. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R. Groetzschel, V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Ge/Si quantum dot nanostructure grown with low-energy ion beam-assisted epitaxy”. Surface&Coatings Technology. 2004.
  24. А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов. “Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками”. Физика низких температур, том 30, вып. 11, 1169-1179 (2004).

ПУБЛИКАЦИИ



2003

  1. A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots for mid-infrared photodetectors. – International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2003, 12, № 3, 873-889.
  2. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки Ge в МДП- и фототранзисторных структурах. – Известия Академии наук: серия физическая, 2003, 67, вып. 2, 166-169.
  3. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, A.G.Milekhin, A.O.Govorov, S.Schulze, and D.R.T. Zahn. Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003, 67, № 12, 125318.
  4. A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots for mid-infrared photodetectors. – In: Intersubband Infrared Photodetectors, ed. by V. Ryzhii, Selected Topics in Electronics and Systems, 2003, Vol. 27, World Scientific, Singapore, 281-298
  5. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин. Безфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 77, вып. 7, 445-449.
  6. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, and A.A. Bloshkin. Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 77, №3, 376-380.
  7. A.V. Dvurechenskii and A.I. Yakimov. Optical properties of arrays of Ge/Si quantum dots in electric fields. – In: Towards the First Silicon Laser, ed. by L. Paversi et al., Kluwer Academic Publishers, Netherland, 2003, 307-314
  8. В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения. – Физика и техника полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1352-1357.
  9. V.A. Volodin, E.I. Gatskevich, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, G.D. Ivlev, A.I. Nikiforov, D.A. Orekhov, A.I. Yakimov. Pulsed-laser modification of germanium nanoclusters in silicon. – Semiconductors, 2003, 37, № 11, 1315-1320.
  10. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм). – Физика и техника полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1383-1388.
  11. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, S.V. Chaikovskii, and S.A. Tiis. Ge/Si photodiodes with embedded arrays of Ge quantum dots for the near infrared region. – Semiconductors, 2003, 37, № 11, 1345-1349.
  12. А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, М.Н. Тимонова. Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 78, вып. 4, 276-280.
  13. A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, and M.N. Timonova. Many-electron Coulomb correlations in hopping transport along layers of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 78, № 4, 241-245.
  14. S. Erenburg, N. Bausk, L. Mazalov, A. Nikiforov, A. Yakimov. Ge quantum dots structural peculiarities depending on the preparation conditions. – J. Synchrotron Radiation, 2003, 10, № 5, 380-383.
  15. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov. Evidence for two-dimensional correlated hopping in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003, 68, № 23, 230000.
  16. А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva. Wave functions and g-factor of holes in Ge/Si quantum dots – Phys. Rev. B, 2003, 67, 205301.
  17. А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева. Эффект Зеемана для дырок в системе Ge/Si с квантовыми точками – ЖЭТФ, 2003, том 123, вып.2, 362-372.
  18. А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva. Zeeman Effect for Holes in a Ge/Si System with Quantum Dots – JETP, 2003, Vol. 96, No 2, 321-330.
  19. В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, П. Л. Новиков. Формирование гетероструктур Si/Ge/Si с квантовыми точками – Поверхность, 2003, №10, 22-26.
  20. А.В. Двуреченский, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, И. А. Рязанцев, И. А. Никифоров, О. П. Пчеляков. Фотоусиление сигнала Si переходом, содержащим квантовые точки – Прикладная физика 2003, 2, 69-76.
  21. Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А.И. Никифоров. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 78, № 9, 1077-1081.
  22. A. V. Dvurechenskii, I. A. Ryazantsev, A. P. Kovchavsev, G. L. Kuryshev, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov «Photoconductivity Gain by Si p-n Junction Containing Quantum Dots», Proceedings of SPIE, Eds. A. M. Filachev and A.I. Dirochka, 17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Vol. 5126 (2003), 167-177.

ПУБЛИКАЦИИ



1990

  1. А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко, Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. Физ. и техн. полупроводн. 1990, т.24, вып.6, с.1101-1103.
  2. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, В.Ю.Баландин, С.П.Верходанов, Л.В.Мишина, О.А.Кулясова. Особенности плавления монокристаллической подложки в затравочных окнах при формировании слоев кремния на изоляторе импульсным нагревом. Письма в ЖТФ, 1990, т.16, вып.22, с.11-17.
  3. L.N.A.Aleksandrov, V.A.Zinovyev. Melting and Grystallization of Silicon Layers on Insulator with Millisecond Lamp Heating. Gryst.Res. Technol. 25 (1990) 269-276.
  4. Л.Н.Александров. Современные физические проблемы твердых пленок. Новосибирск, НГТУ, 1990, 100 с.

ПУБЛИКАЦИИ



1991

  1. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Simulation of structural transformations in multilayers systems on silicon by pulsed nanosecond annealing. Reviews of Solid State Science 1991, v.5, №1, p.1-14.
  2. V.Yu.Balandin, O.A.Kulyasova, A.V.Dvurechenskii, L.N.Aleksandrov, S.L.Babenkova, Yu.A.Manzhosov. Simulation of Temperature and Elastic Fields and Phase Transitions in SOI Structures Formed by Pulse Heating. Phys. Stat.Sol. (a), 1991, v.123, Iss. 2, p.415-430.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii, I.E.Tyschenko, G.A.Kachurin. Centres of spin-dependent recombination in structures formed by N ion implantation into Si. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research, B, 1991, v.55, Iss.1-4, p.630-632.
  4. А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко, Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. Электронная техника, Сер. Материалы, 1991, вып. 7(261), с.26-29.
  5. Ю.А.Манжосов, А.В.Двуреченский, Г.Д.Ивлев. Динамика перекристаллизации пленки кремния на слое диэлектрика при наносекундном лазерном воздействии. Письма в ЖТФ, 1991, т.17, вып.10 с.58-63.
  6. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, О.Л.Колесникова. ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель. Физ. и техн. полупроводн. 1991, т.25, вып.5, с.923-927.
  7. L N.Aleksandrov and T.V.Bondareva. Enhanced Diffusion of Impurities in Silicon during Rapid Thermal Annealing (Computer Simulation). Phys. Stat.Sol. (A), 125 (1991) K 71-75.
  8. Л.Н.Александров, Т.В.Бондарева, А.Г.Качурин, И.Е.Тысченко. Численное моделирование диффузии В и Р в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 25(1991) 227-230.
  9. Л.Н.Александров, Р.В.Бочкова, А.Н.Коган, Н.П.Тихонова. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Наука, Новосибирск, 1991, 168 с.
  10. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance at hopping conduction range in a silicon epitaxial structure, - Mater. of Found International Conf. on Hopping and Related Phenomena, Marburg, Germany,1991.
  11. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance in silicon epitaxial structure., - Proc.6-th European Conf. on MBE and Related Growth Methods, Tampere, Finland, 1991.

ПУБЛИКАЦИИ



1989

  1. А.В.Двуреченский, А.И.Якимов. Кулоновская щель и переход металл-диэлектрик в неупорядоченных полупроводниках с сильно локализованными состояниями. ЖЭТФ, 1989, т.95, № 1, с.159-169.
  2. A.V.Dvurechenskii, V.A.Dravin, A.I.Yakimov. Electrical properties of ion-doped amorphous silicon. Phys. Stat. Sol. (a), 1989, v.113, p.519-527.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii. The ESR Studies of Inhomogeneous Deformations in Neutron-Irradiated Si. Phys. Stat.Sol. (a), 1989, v.111, p.257-263.
  4. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, А.Л.Васильев. Структуры кремний-на-изоляторе, формируемые перекристаллизацией импульсным нагревом. Электронная промышленность, 1989, № 4, с.3-7.
  5. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Recrystallization of silicon-on-insulator layers in pulsed nanosecond heating (model calculations). Thin Solid Films, 1989, v.171, p.235-242.
  6. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova.Two-dimensional model of SOI Structure Crystallization by Pulsed Nanosecond Heating. Phys. Stat.Solidi (a), 1989, v.115, p.K23-K26.
  7. A.V.Dvurechenskii, A.A.Karanovich, V.V.Suprunchik. Paramagnetic defects in Si irradiated with high doses of fast electrons and neutrons. Radiat.Effects and Defects in Solids, 1989, v.111-112, № 1-2, p.91-98.
  8. Л.Н.Александров. Формирование дислокаций в слоях полупроводников при импульсном нагреве. - в кн: Свойства и структура дислокаций в полупроводниках, АН СССР, Черноголовка, 1989, с.6-12.
  9. Л.Н.Александров, А.Н.Коган, P.В.Бочкова, Н.П.Тихонова. Изучение влияния химических реакций на формирование структуры полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Неорганические материалы, 25 (1989) 1061-1066.
  10. L.N.Aleksandrov. Crystallization Processes and Structures of Semiconductor Films.- in: Polycrystalline Semiconductors, Eds. J.H.Werner, H.J.Moller, H.P.Strunk. Springer Proceed. Physics, v. 35, 1989, Berlin, Heidelberg, New-York, p.270-282.
  11. L.N.Aleksandrov, S.V.Babenkova, and V.A.Zinovyev. Thermoelastic Stresses in Multilayered Structures of Silicon - Insulator Types (Computational Experiment). Phys, Stat. Sol. (A), 116 (1989) K57-60.
  12. L.N.Aleksandrov, A.N.Kogan and N.P.Tikhonova. Monte Carlo Study of the Silicon Film Growth From Molecular Beams. Solid Films, 183 (1989) 345-350.
  13. L.N.Aleksandrov. Crystallization processes and structures of semicoductor films. Review of Solid State Science, 3 (1989) 203-220.
  1. 1992
  2. 1993
  3. 1994
  4. 1995