ПУБЛИКАЦИИ



2023

Статьи

  1. V. A. Timofeev, V. I. Mashanov, A. I. Nikiforov, I. V. Skvortsov, A. E. Gayduk, A. A. Bloshkin, V. V. Kirienko, D. E. Utkin, D. V. Kolyada, D. D. Firsov, O. S. Komkov, Remarkable enhancement of photoluminescence and photoresponse due to photonic crystal structures based on GeSiSn/Si multiple quantum wells, Mater. Today Phys. 33, 101052 (2023).

  2. D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, D. B. Bogomolov, E. A. Emelyanov, M. Yu. Yesin, A. V. Vasev, A. A. Bloshkin, E. S. Koptev, M. A. Putyato, V. V. Atuchin, V. V. Preobrazhenskii, Structural Properties and Energy Spectrum of Novel GaSb/AlP Self-Assembled Quantum Dots, Nanomaterials 13, 910 (2023).

  3. V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, A. A. Bloshkin, A. V. Dvurechenskii, E. E. Rodyakina, M. V. Stepikhova, A. V. Peretokin, A. V. Novikov, Emission Enhancement of Ge/Si Quantum Dots in Hybrid Structures with Subwavelength Lattice of Al Nanodisks, Nanomaterials 13, 2422 (2023).

  4. A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. A. Bloshkin, D. E. Utkin, A. V. Dvurechenskii, Angle-Selective Photodetection in Ge/Si Quantum Dot Photodiodes Enhanced by Microstructured Hole Arrays, Photonics 10, 764 (2023).

  5. V. A. Timofeev, V. I. Mashanov, A. I. Nikiforov, I. V. Skvortsov, A. A. Bloshkin, I. D. Loshkarev, I. A. Azarov, V. V. Kirienko, Investigation of infrared photoresponse from structure with GeSiSn/Si multiple quantum wells, St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics 16, 73 – 78 (2023).

  6. A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, N. P. Stepina, A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, Electron–Beam Radiation Effects in the Multilayer Structures grown by Periodical Deposition of Si and CaF2 on Si (111), Mater. Proc. 14, 68 (2023).

  7. A. V. Dvurechenskii, A. V. Kacyuba, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, Electron-Beam Radiation Effects at the Molecular-Beam Epitaxial Growth of CaF2 Film on Silicon, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 87, 809 – 812 (2023).

  8. N. P. Stepina, A. O. Bazhenov, A. V. Shumilin, A. Yu. Kuntsevich, V. V. Kirienko, E. Yu. Zhdanov, D. V. Ishchenko, O. E. Tereshchenko, Indication for an anomalous magnetoresistance mechanism in (Bi, Sb)2(Te, Se)3 three-dimensional topological insulator thin films, Phys. Rev. B 108, 115401 (2023).

  9. A. V. Peretokin, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, S. A. Dyakov, A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, D. A. Nasimov, E. E. Rodyakina, V. A. Zinovyev, Photonic crystal band structure in luminescence response of samples with Ge/Si quantum dots grown on pit-patterned SOI substrates, Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications 53, 101093 (2023).

  10. V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, E. E. Rodyakina, A. V. Kacyuba, K. N. Astankova, V. A. Volodin, K. V. Baryshnikova, M. I. Petrov, M. S. Mikhailovskii, V. A. Verbus, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, Collective Modes in the Luminescent Response of Si Nanodisk Chains with Embedded GeSi Quantum Dots, , Photonics 10, 1248 (2023).

  11. S. A. Dyakov, I. M. Fradkin, D. V. Yurasov, V. A. Zinovyev, S. G. Tikhodeev, N. A. Gippius, Purcell effect in two-dimensional photonic crystal slabs with triangular lattice, Phys. Rev. B 108, 155416 (2023).

  12. M. N. Uvarov, E. S. Kobeleva, K. M. Degtyarenko, V. A. Zinovyev, A. A. Popov, E. A. Mostovich, L. V. Kulik, Fast Recombination of Charge-Transfer State in Organic Photovoltaic Composite of P3HT and Semiconducting Carbon Nanotubes Is the Reason for Its Poor Photovoltaic Performance, Int. J. Mol. Sci. 24, 4098 (2023).

  13. Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, Е. Е. Родякина, Ж. В. Смагина, В. А. Вербус, А. В. Новиков, Люминесцентный отклик фотонных кристаллов со встроенными Ge наноостровками с различной глубиной травления отверстий, Письма в ЖТФ 49, 29 (2023).
    Перевод: D. V. Yurasov, A. N. Yablonskiy, M. V. Shaleev, D. V. Shengurov, E. E. Rodyakina, Zh. V. Smagina, V. A. Verbus, A. V. Novikov, Luminescent response of photonic crystals with embedded Ge nanoislands with different hole etching depths, Technical Physics Letters 49, 68 (2023).

  14. A. V. Peretokin, D. V. Yurasov, M. V. Stepikhova, M. V. Shaleev, A. N. Yablonskiy, D. V. Shengurov, S. A. Dyakov, E. E. Rodyakina, Zh. V. Smagina, А. V. Novikov, Tuning the Luminescence Response of an Air-Hole Photonic Crystal Slab Using Etching Depth Variation, Nanomaterials 13, 1678 (2023).

  15. Ж. В. Смагина, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, С. А. Дьяков, Е. Е. Родякина, Д. В. Шенгуров, А. В. Кацюба, А. В. Новиков, Люминесцентные свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi-квантовыми точками, Физика и техника полупроводников 57, 414 – 420 (2023).

  16. А. И. Якимов, В. В. Кириенко, А. В. Двуреченский, Д. Е. Уткин, Обнаружение медленного света в спектрах фототока в слоях квантовых точек Ge/Si, сопряженных с фотонным кристаллом, Письма в ЖЭТФ 118, 240 – 244 (2023).
    Перевод: A. I. Yakimov, V. V. Kirienko, A. V. Dvurechenskii, D. E. Utkin, Manifestation of “Slow” Light in the Photocurrent Spectra of Ge/Si Quantum Dot Layers Combined with a Photonic Crystal, JETP Lett. 118, 244 – 248 (2023).

  17. А. В. Двуреченский, А. И. Якимов, В. В. Кириенко, Д. Е. Уткин, Управление функциональными характеристиками компонент фотоники на основе кремния, сопряженного с метаматериалами, Наука и технологии Сибири 8, 75 (2023).

  18. Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, Сканирование электронных состояний в квантовом точечном контакте с помощью асимметрично смещенных боковых затворов, Письма в ЖЭТФ 117, вып. 4, с. 299 – 305 (2023).
    Перевод: D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, Scanning of Electronic States in a Quantum Point Contact Using Asymmetrically Biased Side Gates, JETP Lett. 117, 299 – 305 (2023).

  19. 19. D. I. Sarypov, D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, Electrically controlled switching between spatially separated conducting channels in a quantum point contact, St. Petersburg State Polytechnical University Journal. Physics and Mathematics 16, 117 – 123 (2023).
    Перевод: Д. И. Сарыпов, Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, Электрически контролируемое переключение между пространственно разделенными проводящими каналами в квантовом точечном контакте, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки 16, 117 – 123 (2023).

  20. Yu. N. Novikov, G. N. Kamaev, I. P. Prosvirin, V. A. Gritsenko, Memory properties and short-range order in silicon oxynitride-based memristors, Appl. Phys. Lett. 122, 232903  (2023).

  21. M. I. Mironova, A. V. Kapishnikov, G. A. Hamoud, V. A. Volodin, I. A. Azarov, I. D. Yushkov, G. N. Kamaev, E. A. Suprun, N. A. Chirikov, N. A. Davletkildeev, A. N. Baidakov, V. S. Kovivchak, L. V. Baranova, V. I. Strunin, P. V. Geydt, Characterization of Structure, Morphology, Optical and Electrical Properties of AlN–Al–V Multilayer Thin Films Fabricated by Reactive DC Magnetron Sputtering, Coatings 13, 223 (2023).

  22. A. A. Gismatulin, G. N. Kamaev, V. A. Volodin, V. A. Gritsenko, Charge Transport Mechanism in the Forming-Free Memristor Based on PECVD Silicon Oxynitride, Electronics 12, 598 (2023).

  23. I. D. Yushkov, Yin Liping, G. N. Kamaev, I. P. Prosvirin, P. V. Geydt, M. Vergnat, V. A. Volodin, Memristors Based on Many-Layer Non-Stoichiometric Germanosilicate Glass Films, Electronics 12, 873 (2023).

  24. A. N. Sinyakov, E. V. Kostina, D. E. Zaytsev, N. V. Chukanov, G. N. Kamaev, V. P. Bessmeltsev, V. V. Shelkovnikov, E. V. Vasil'ev, New photoacids in microarray synthesis of oligonucleotides, Journal of Saudi Chemical Society 27, 101709 (2023).

  25. В. А. Володин, Г. Н. Камаев, В. А. Гриценко, С. Г. Черкова, И. П. Просвирин, Состав и оптические свойства аморфного плазмохимического оксинитрида кремния переменного состава a‑SiOxNy:H, Журнал технической физики 93, 575 – 582 (2023).
    Перевод: V. A. Volodin, G. N. Kamaev, V. A. Gritsenko, S. G. Cherkova, I. P. Prosvirin, Composition and optical properties of amorphous plasma-chemical silicon oxynitride of variable composition a‑SiOxNy:H, Technical Physics 68, 538 – 545 (2023).

  26. N. Kumar, V. A. Volodin, S. V. Goryainov, A. K. Chernyshev, A. T. Kozakov, A. A. Scrjabin, N. I. Chkhalo, M. S. Mikhailenko, A. E. Pestov, M. V. Zorina, Raman scattering studies of low energy Ar+ ion implanted monocrystalline silicon for synchrotron applications, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 534, 97 – 102 (2023).

  27. S. G. Cherkova, V. A. Volodin, V. A. Skuratov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, Formation of light-emitting defects in silicon by swift heavy ion irradiation and subsequent annealing, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 535, 132 – 136 (2023).

  28. V. A. Volodin, Yuzhu Cheng, A. V. Bulgakov, Y. Levy, J. Beránek, S. S. Nagisetty, M. Zukerstein, A. A. Popov, N. M. Bulgakova, Single-shot selective femtosecond and picosecond infrared laser crystallization of an amorphous Ge/Si multilayer stack, Optics and Laser Technology 161, 109161 (2023).

  29. N. A. Nebogatikova, I. V. Antonova, A. K. Gutakovskii, D. V. Smovzh, V. A. Volodin, P. B. Sorokin, Visualization of Swift Ion Tracks in Suspended Local Diamondized Few-Layer Graphene, Materials 16, 1391 (2023).

  30. I. E. Tyschenko, Zhongbin Si, V. A. Volodin, S. G. Cherkova, V. P. Popov, Enhanced InAs phase formation in the In+- and As+-implanted SiO2 films covered with Si3N4 layers, Materials Letters 338, 134041 (2023).

  31. 31. И. Ю. Просанов, А. А. Сидельников, В. А. Володин, Основание для пересмотра интерпретации полос в спектрах комбинационного рассеяния сопряжённых полимеров, Оптика и Спектроскопия 131, 260 – 263 (2023).
    Перевод: I. Yu. Prosanov, A. A. Sidelnikov, V. A. Volodin, The reason for the revision of conjugated polymers Raman bands attribution, Optics and Spectroscopy 131, 243 – 246 (2023).

  32. A. V. Bulgakov, J. Beránek, V. A. Volodin, Yuzhu Cheng, Y. Levy, S. S. Nagisetty, M. Zukerstein, A. A. Popov, N. M. Bulgakova, Ultrafast Infrared Laser Crystallization of Amorphous Si/Ge Multilayer Structures, Materials 16, 3572 (2023).

  33. Fan Zhang, M. Vergnat, В. А. Володин, Определение энергии активации реакции диспропорционирования аморфной пленки GeOx на кварцевой подложке с использованием спектроскопии комбинационного рассеяния света, Журнал технической физики 93, 1209 – 1215 (2023).

  34. I. E. Tyschenko, Zhongbin Si, V. A. Volodin, S. G. Cherkova, V. A. Popov, Raman scattering and photoluminescence in In+ and As+ ion-implanted SiO2 layers encapsulated with Si3N4, Physica B: Condensed Matter 667, 415201 (2023).

  35. V. A. Sachkov, V. A. Volodin, Phenomenological model for Raman spectra calculating based on"bond charge"taking into account deformation and electro-optical mechanisms, including Fröhlich scattering, Journal of Raman Spectroscopy 54 1465-1472 (2023).

  36. 36. Е. А. Баранов, В. А. Непомнящих, В. О. Константинов, В. Г. Щукин, И. Е. Меркулова, А. О. Замчий, Н. А. Лунев, В. А. Володин, А. А. Шаповалова, Влияние плотности тока на структурные свойства тонких пленок аморфного субоксида кремния при электронно-пучковом отжиге, Прикладная механика и техническая физика 64 52-58 (2023).
    Перевод: E. A. Baranov, V. A. Nepomnyashchikh, V. O. Konstantinov, V. G. Shchukin, I. E. Merkulova, A. O. Zamchiy, N. A. Lunev, V. A. Volodin, and A. A. Shapovalova, Influence of current density on the structure of amorphous silicon suboxide thin films under electron-beam annealing, Journal of Applied Mechanics and Technical Physics 64 778 – 783 (2023).

  37. I. Mirza, A. V. Bulgakov, H. Sopha, S. V. Starinskiy, H. Turčičová, O. Novák, J. Mužík, M. Smrž, V. A. Volodin, T. Mocek, J. M. Macak, N. M. Bulgakova, Non-thermal regimes of laser annealing of semiconductor nanostructures: crystallization without melting, Front. Nanotechnol. 5 1271832 (2023).

  38. Е. В. Тимакова, Т. Е. Тимакова, Л. И. Афонина, Н. В. Булина, А. И. Титков, К. Б. Герасимов, В. А. Володин, Ю. М. Юхин, Синтез и исследование оксалатов висмута (III), осаждаемых из растворов минеральных кислот, Журнал общей химии 93 1427 – 1438 (2023).
    Перевод: E. V. Timakova, T. E. Timakova, L. I. Afonina, N. V. Bulina, A. I. Titkov, K. B. Gerasimov, V. A. Volodin, Y. M. Yukhin, Synthesis and Study of Bismuth (III) Oxalates Precipitated from Mineral Acid Solutions, Russ. J. Gen. Chem. 93 2295 – 2304 (2023).

  39. Yuzhu Cheng, A. V. Bulgakov, N. M. Bulgakova, J. Beránek, M. Zukerstein, I. A. Milekhin, A. A. Popov, V. A. Volodin, Ultrafast Infrared Laser Crystallization of Amorphous Ge Films on Glass Substrates, MDPI Micromachines 14 2048 (2023).

  40. I. V. Antonova, V. A. Seleznev, N. A. Nebogatikova, A. I. Ivanov, B. V. Voloshin, V. A. Volodin, I. I. Kurkina, Thin V2O5 films synthesized by the plasma-enhanced atomic layer deposition for memristive applications, Physical Chemistry Chemical Physics 25 32132 – 32141 (2023).

Монографии

  1. А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, В. А. Володин, А. К. Гутаковский, А. С. Дерябин, А. Ю. Крупин, А. В. Ненашев, А. А. Шкляев, Л. В. Кулик, В. Д. Живулько, А. В. Мудрый, А. В. Двуреченский Упорядоченные структуры с квантовыми точками Ge/Si для устройств наноэлектроники. Квантовые структуры для посткремниевой электроники / Минобрнауки России; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. - Новосибирск, Параллель, 2023. – 224 с., cс. 182 – 191 , с. ISBN 978-5-98901-273-2

  2. В. А. Голяшов, Д. В. Ищенко, В. С. Русецкий, А. С. Тарасов, А. Э. Климов, Н. П. Стёпина, С. П. Супрун, И. О. Ахундов, Е. В. Федосенко, Д. А. Кустов, А. О. Баженов, О. Е. Терещенко, Спин-зависимые явления в полупроводниковых гетереструктурах А3В5 и А4В6, Квантовые структуры для посткремниевой электроники / Минобрнауки России; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. - Новосибирск, Параллель, 2023. – 224 с. cс. 96 – 110 , ISBN 978-5-98901-273-2

  3. В. А. Володин, Б. С. Ездин, С. А. Кузнецов, А. А. Шкляев, Функциональные устройства на основе наночастиц и структур субволнового размера, Квантовые структуры для посткремниевой электроники / Минобрнауки России; Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. - Новосибирск, Параллель, 2023. – 224 с. cс. 192 – 207 , ISBN 978-5-98901-273-2

Тезисы

  1. И. В. Скворцов, В. А. Тимофеев, В. И. Машанов, А. Е. Гайдук, А. А. Блошкин, В. В. Кириенко, Д. Е. Уткин, А. И. Никифоров, А. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, Усиление фотоотклика множественных квантовых ям GeSiSn/Si, совмещенных с плазмонными наноантеннами и двумерными фотонными кристаллами, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2023» , 4-8 сентября 2023 г., Новосибирск, с. 99. ISBN 978-5-00218-581-8, DOI 10.34077/RCSP2023-47

  2. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, М. В. Степихова, С. А. Дьяков, И. А. Смагин, Е. Е. Родякина, В. А. Вербус, А. В. Кацюба, М. С. Михайловский, К. Н. Астанкова, П. А. Кучинская, А. В. Новиков, Излучающие свойства упорядоченных массивов кремниевых дисковых резонаторов со встроенными в них GeSi квантовыми точками, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2023» , 4-8 сентября 2023 г., Новосибирск, с. 47. ISBN 978-5-00218-581-8, DOI 10.34077/RCSP2023-47

  3. А. В. Перетокин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, Е. Е. Родякина, Ж. В. Смагина, С. А. Дьяков, Возможности управления излучающими свойствами кремниевых структур с наноостровками Ge(Si) в двумерных фотонных кристаллах, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2023» , 4-8 сентября 2023 г., Новосибирск, с. 66. DOI 10.34077/RCSP2023-66. ISBN 978-5-00218-581-8, DOI 10.34077/RCSP2023-47

  4. А. В. Новиков, В. Б. Шмагин, А. Н. Яблонский, М. В. Степихова, Д. В. Юрасов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, Е. Е. Родякина, Ж. В. Смагина, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, Светодиоды на структурах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками, встроенными в фотонные кристаллы, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2023» , 4-8 сентября 2023 г., Новосибирск, с. 77. ISBN 978-5-00218-581-8, DOI 10.34077/RCSP2023-47

  5. К. В. Феклистов, А. Г. Лемзяков, А. А Шкляев, Д. В. Гуляев, Д. С. Абрамкин, Е. В. Спесивцев, А. М. Пугачев, В. А. Володин, С. А. Кочубей, К. С. Ершов, Л. Н. Сафронов, А. К. Гутаковский, В. И. Вдовин, Ю. А. Живодков, А. Ф. Зиновьева, Д. Ю. Протасов, А. С. Дерябин, А. И. Комонов, Д. Г. Есаев, А. Н. Шмаков, А. В. Капишников, И. П. Просвирин, В. А. Голяшов, О. Е. Терещенко, 1.54 мкм электролюминесценция в пленках In2O3:Er, магнетронно напыленных на кремнии, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2023» , 4-8 сентября 2023 г., Новосибирск, с. 65. ISBN 978-5-00218-581-8, DOI 10.34077/RCSP2023-47

  6. А. В. Кацюба, А. В. Двуреченский, Г. Н. Камаев, В. А. Володин, П. А. Кучинская. Полиморфные превращения в пленках CaSi2, формируемых при радиационно-стимулированном росте. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. / ИФП СО РАН. – М.: Издательство"Перо", 2023. DOI 10.34077/SCATTERING95-27

  7. В. А. Володин, В. А. Гриценко, Г. Н. Камаев, С. Г. Черкова, И. А. Азаров, Ю. Н. Новиков, А. А. Гисматулин, И. П. Просвирин. Применение комбинационного рассеяния света для анализа нанокластеров аморфного кремния в плёнках нестехиометрического нитрида кремния, применяющихся в элементах флэш-памяти и в матрицах резистивной памяти. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. / ИФП СО РАН. – М.: Издательство"Перо", 2023. DOI 10.34077/SCATTERING95-64

  8. А. В. Кацюба, А. В. Двурученский, Г. Н. Камаев, В. А. Володин, П. А. Кучинская. Исследование методом КРС структуры пленок CaSi2 формируемых в условиях радиационного воздействия на структуру CaF2\Si(111). Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. / ИФП СО РАН. – М.: Издательство"Перо", 2023. DOI 10.34077/SCATTERING95-121

  9. В. А. Володин, В. А. Сачков. Деформационный и электрооптический механизм комбинационного рассеяния света в модели «заряд на связи»: моделирование и сравнение с экспериментом для короткопериодных сверхрешёток GaAs/AlAs. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 22. DOI 10.34077/SCATTERING95-22

  10. А. В. Кацюба, А. В. Двуреченский, Г. Н. Камаев, В. А. Володин, П. А. Кучинская. Полиморфные превращения в пленках CaSi2, формируемых при радиационно-стимулированном росте. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 27. DOI 10.34077/SCATTERING95-27

  11. И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. П. Попов. Комбинационное рассеяние света в структурах SixGe1-x-на -изоляторе, созданных диффузией имплантированного Ge из захороненного слоя SiO2. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 40. DOI 10.34077/SCATTERING95-40

  12. Ф. Чжан, В.А. Володин. Проявление эффекта локализации фононов в спектрах комбинационного рассеяния света аморфных нанокластеров германия в матрице GeOx. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 47. DOI 10.34077/SCATTERING95-47

  13. В. А. Володин, В. А. Гриценко, Г. Н. Камаев, С. Г . Черкова, И. А. Азаров, Ю. Н. Новиков, А. А. Гисматулин, И. П. Просвирин. Применение комбинационного рассеяния света для анализа нанокластеров аморфного кремния в плёнках нестехиометрического нитрида кремния, применяющихся в элементах флэш-памяти и в матрицах резистивной памяти. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 64. DOI 10.34077/SCATTERING95-64

  14. В. А. Антонов, В. А. Володин, В. П. Попов, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, В. А. Скуратов. Деградация свойств КНС псевдо-МОП сегнетотранзисторов (SOS FeFETs) после облучения электронами и быстрыми ионами Xe и Bi. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 65. DOI 10.34077/SCATTERING95-65

  15. А. А. Шкляев, Д. Е. Уткин, В. А. Володин, А. В. Царёв. Усиление сигнала комбинационного рассеяния света при возбуждении резонансов в решётке из дисков германия субволнового размера. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 72. DOI 10.34077/SCATTERING95-72

  16. Ж. Чжан, И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. П. Попов. Комбинационное рассеяние света в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами In+ и Sb+ вблизи границы сращивания Si/SiO2. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 94. DOI 10.34077/SCATTERING95-94

  17. Ч. Сы, И. Е. Тысченко, С. Г. Черкова, В.А. Володин, В.П. Попов. Комбинационное рассеяние света и фотолюминесценция в пленках SiO2, имплантированных ионами In+ и As+. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 95. DOI 10.34077/SCATTERING95-95

  18. А. В. Кацюба, А. В. Двуреченский, Г. Н. Камаев, В. А. Володин, П. А. Кучинская. Исследование методом КРС структуры пленок CaSi2 формируемых в условиях радиационного воздействия на структуру CaF2\Si(111). Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 121. DOI 10.34077/SCATTERING95-121

  19. Н. А. Лунев, А. О. Замчий, В. О. Константинов, И. Е. Меркулова, М. А. Морозова, В. А. Володин, Е. А. Баранов. Термический отжиг тонкопленочной структуры Au/Al2O3/a-Ge. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам спектроскопии комбинационного рассеяния света «Комбинационное рассеяние - 95 лет исследований» , г. Новосибирск, 5-9 июня 2023 г. Тезисы докладов, стр. 131. DOI 10.34077/SCATTERING95-131

  20. Д. А. Егоров, Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, Д. И. Сарыпов, А. К. Бакаров. Измерения длины электрон-электронного рассеяния в подвешенных микроструктурах методом магнитной фокусировки. Тезисы докладов Школы молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2023) , 29 – 30 ноября 2023 г., Новосибирск, сс. 24 – 25.

  21. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, Зиновьева А.Ф., А. В. Мудрый, М. В. Степихова, Е. Е. Родякина, А. В. Новиков, А. В. Двуреченский «Фотонно-кристаллические структуры со встроен-ными в них упорядоченными GeSi квантовыми точками», Тезисы докладов Школы молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2023) , Новосибирск 29-30 ноября 2023, с. 14.

  22. Д. И. Сарыпов, Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров. Особенности баллистического транспорта в многоканальных квантовых точечных контактах, обусловленные магнитной фокусировкой. Тезисы докладов, XXIV Международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 13 - 16 марта 2023 г., Нижний Новгород, сс. 741 – 742.

  23. D. A. Pokhabov, А. G. Pogosov, D. I. Sarypov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov. Electron transport in a trench-type quantum point contacts with multiwell confinement. Тезисы докладов научной конференции the 25th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-25) and 21st International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-21), 9 – 14 июля 2023 г., Гренобль (Франция), p. Tue-02.

  24. А. G. Pogosov, D. A. Pokhabov, D. I. Sarypov, D. A. Egorov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov. Electron-electron scattering length in suspended 2DEG measured by transverse magnetic focusing. Тезисы докладов научной конференции the 25th International Conference on the Electronic Properties of Two-Dimensional Systems (EP2DS-25) and 21st International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-21), 9 – 14 июля 2023 г., Гренобль (Франция), Mon-38.

  25. Д. И. Сарыпов, Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Д. А. Егоров, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров. Измерения длины электрон-электронного рассеяния в подвешенном двумерном электронном газе методом магнитной фокусировки. Тезисы докладов XXV Всероссийской научной молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике, 27 ноября – 1 декабря 2023 г., Санкт-Петербург, с. 56.

  26. В. А. Тимофеев, И. В. Скворцов, В. И. Машанов, А. А. Блошкин, А. И. Никифоров, А. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, Усиление фотоотклика множественных квантовых ям GeSiSn/Si, сопряженных с плазмонными и фотонно-кристаллическими структурами, Сборник трудов 10-ой Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы радиофизики 2023», 26-29 сентября 2023 г., Томск, с. 300.

  27. А. В. Новиков, В. Б. Шмагин, А. Н. Яблонский, Д. В. Юрасов, М. В. Степихова, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, Е. Е. Родякина, Ж. В. Смагина, Е. Е. Морозова, Д. В. Шенгуров, С. А. Краев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, А. И. Белов, Электрическая накачка фотонных кристаллов с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, стр. 703-704. https://nanosymp.ru/ru/archive, ISBN 978-5-8048-0120-6

  28. А. В. Новиков, М. В. Степихова, С. А. Дьяков, М. В. Шалеев, А. В. Перетокин, В.А. Вербус, Е. В. Скороходов, Ж. В. Смагина, Е. Е. Родякина, Д. Е. Уткин, З. Ф. Красильник, «Управления BIC-состояниями в двумерных фотонных кристаллах с Ge(Si) самоформирующимися наноостровками», Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, стр. 705-706. https://nanosymp.ru/ru/archive, ISBN 978-5-8048-0120-6

  29. А. В. Перетокин, М. В. Степихова, А. Н. Яблонский, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев, С. А. Дьяков, Е. Е. Родякина, Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, Особенности люминесцентного отклика и зонной структуры двумерных фотонных кристаллов с наноостровками Ge(Si) при разной глубине травления отверстий, Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, стр. 717-718. https://nanosymp.ru/ru/archive, ISBN 978-5-8048-0120-6

  30. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, М. В. Степихова, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, Барышникова К.В., Е. Е. Родякина, О. Н. Сергаева, М. И. Петров, А. В. Новиков, «Светоизлучающие структуры на основе пространственно-упорядоченных GeSi квантовых точек, встроенных в дисковые резонаторы», Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, стр. 755-756. https://nanosymp.ru/ru/archive, ISBN 978-5-8048-0120-6

  31. А. Н. Яблонский, В. Е. Захаров, Д. В. Юрасов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Шенгуров, Е. Е. Родякина, Ж. В. Смагина, Спектро-кинетические характеристики ФЛ Ge(Si) островков в двумерных фотонных кристаллах с различной глубиной отверстий, Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, стр. 814-815. https://nanosymp.ru/ru/archive, ISBN 978-5-8048-0120-6

  32. Я. С. Рудева, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, М. В. Степихова, Е. Е. Родякина, «Упорядоченные GeSi квантовые точки, встроенные в дисковые резонаторы». Тезисы докладов"Школы молодых ученых по оптическим и фотоэлектрическим свойствам полупроводниковых квантовых систем"Оптика и фотоэлектрика квантовых систем (ОФКС-2023)", Новосибирск, 8-9 ноября 2023, с. 38-39. www.isp.nsc.ru/ofks_2023, УДК 53

  33. В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, Ж. В. Смагина, А. А. Блошкин, П. А. Кучинская, А. В. Двуреченский, Е. Е. Родякина, С. А. Дьяков, И. М. Фрадкин, И. А. Смагин, М. В. Степихова, А. В. Новиков. Усиление интенсивности излучения Ge/Si квантовых точек в гибридных структурах с субволновыми решетками Al-нанодисков. Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, стр. 595-596. https://nanosymp.ru/ru/archive, ISBN 978-5-8048-0120-6

  34. М. В. Степихова, А. В. Перетокин, В.А. Вербус, М. И. Петров, Д. В. Юрасов, Д. В. Шенгуров, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, С. А. Дьяков, А. В. Новиков. Явления резонансного взаимодействия в люминесцентном отклике низкоразмерных фотонных структур с наноостровками Ge(Si), стр. 96. Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. / ИФП СО РАН. – М.: Издательство"Перо", 2023, с. 96. DOI 10.34077/RCSP2023-96. ISBN 978-5-00218-581-8.

  35. Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, А. Ф. Зиновьева, М. В. Степихова, С. Г. Черкова, В. А. Володин, А. В. Двуреченский, В. А. Скуратов, Л. И. Федина, А. К. Гутаковский, А. В. Мудрый, О. М. Бородавченко, В. Д. Живулько. Центры ИК-фотолюминесценции, создаваемые в Si имплантацией ионов Ge+, Si+ и Xe+ с последующими отжигами. Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, стр. 593-594. https://nanosymp.ru/ru/archive, ISBN 978-5-8048-0120-6

  36. М. В. Степихова, В. А. Вербуc, К. В. Барышникова, М. И. Петров, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, С. А. Дьяков, А. В. Новиков. Коллективные моды в люминесцентном отклике массивов дисковых резонаторов с наноостровками Ge(Si). Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, стр. 757-758. https://nanosymp.ru/ru/archive, ISBN 978-5-8048-0120-6.

  37. A. Peretokin, M. Stepikhova, S. Dyakov, D. Yurasov, M. Shaleev, D. Shengurov, E. Rodyakina, Zh. Smagina, A. Novikov. Features of the band structure in the luminescence response of 2D photonic crystals with Ge(Si) nanoislands. 30th International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT’23), Samara 18-21 September 2023, Book of Abstracts, LD-O-4. https://altconference.org/documents/alt23/Book%20of%20Abstracts%20ALT_2023_.pdf

  38. M. Stepikhova, S. Dyakov, M. Petrov, V. Verbus, Zh. Smagina, V. Zinoviev, A. Peretokin, D. Yurasov, M. Shaleev, E. Rodyakina, A. Novikov. Modification of the Luminescence Response of Si-Ge Materials in Low-Dimensional Photonic Structures. 30th International Conference on Advanced Laser Technologies (ALT’23), Samara 18-21 September 2023, Book of Abstracts, P-I-5. https://altconference.org/documents/alt23/Book%20of%20Abstracts%20ALT_2023_.pdf

  39. V. A. Volodin, I. D. Yushkov, G. N. Kamaev, M. Vergnat. Memristors based on GeSixOy glass films on p+ -Si substrate. Proceedings of the International Conference «MICRO- AND NANOELECTRONICS – 2023», p. 24

  40. V. A. Volodin, G. N. Kamaev, G. A. Hamoud, I. D. Yushkov, M. Vergnat. Photovoltaic effect in ITO/germanosilicate glass/Si structures: Proceedings of the International Conference «MICRO- AND NANOELECTRONICS – 2023», ISBN 978-5-317-06675-8, p. 115.

  41. V. A. Volodin, I. D. Yushkov, G. N. Kamaev, M. Vergnat, Memristors Based on GeSixOy Glass Films on p+-Si substrate, Proceedings of the International Conference “Micro – and nanoelectronics 2023”, Zvenigorod, 2-6 October 2023. P. 24.

  42. V. A. Volodin, G. N. Kamaev, Ghaithaa A. Hamoud, I. D. Yushkov, M. Vergnat, Photovoltaic Effect in ITO / Germanosilicate Glass / Si Structures, Proceedings of the International Conference “Micro – and nanoelectronics 2023”, Zvenigorod, 2-6 October 2023. P. 115.

  43. И. Е. Тысченко, Ч. Сы, С. Г. Черкова, В. П. Попов, Фотолюминесценция пленок SiO2, имплантированных ионами In+ и As+ в режимах ионного синтеза нанокристаллов InAs, Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники, cтр. 48, 2023. DOI 10.34077/RCSP2023-48, ISBN 978-5-00218-581-8.

  44. И. Е. Тысченко, Ч. Сы, С. Г. Черкова, В. П. Попов, Фотолюминесценция и распределение атомов в пленках SiO2, имплантированных ионами In+ и As+. Материалы 15-й Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом», стр. 455-457, 2023 г. ISSN 2663-9939.

  45. И. Е. Тысченко, Ж. Чжан, А. К. Гутаковский, В. И. Вдовин, В. А. Володин, В. П. Попов, Формирование фаз в структурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами In+ и Sb+. Материалы 15-й Международной конференции «Взаимодействие излучений с твердым телом», стр. 458-460, 2023 г. ISSN 2663-9939.

ПУБЛИКАЦИИ



2004

  1. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.Ф. Зиновьева. Квантовые точки Ge/Si во внешних электрическом и магнитном полях. – Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 60-62.
  2. A.V. Dvurechenskii, A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.F. Zinov’eva. Ge/Si Quantum Dots in External Electric and Magnetic Fields. – Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59.
  3. Л.В. Соколов, А.С. Дерябин, А.И. Якимов, О.П. Пчеляков, А.В. Двуреченский. Самоформирование квантовых точек Ge в гетеро-эпитаксиальной системе CaF2/Ge/CaF2/Si и создание туннельно-резонансного диода на ее основе. – Физика твердого тела 2004, 46, вып. 1, 91-93.
  4. L.V. Sokolov, A.S. Derjabin, A.I. Yakimov, O.P. Pchelyakov, A.V. Dvurechenskii. Self-Assembling of Ge Quantum Dots in the CaF2/Ge/CaF2/Si Heteroepitaxial System and the Development of Tunnel-Resonance Diode on Its Basis. – Physics of the Solid State 2004, 46, № 1, 56-59.
  5. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin, and M.N. Timonova. Two-dimensional phononless VRH conduction in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Stat. Sol. (c) 2004, 1, № 1, 51-54.
  6. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, Н.П. Степина, А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, С.В. Чайковский, В.А. Володин, М.Д. Ефремов, М.С. Сексенбаев, Т.С. Шамирзаев, К.С. Журавлев. Волноводные Ge/Si-фотодиоды со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. – Физика и техника полупроводников 2004, 38, вып. 10, 1265-1269.
  7. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, V.V. Kirienko, N.P. Stepina, A.I. Nikiforov, V.V. Ulyanov, S.V. Chaikovskii, V.A. Volodin, M.D. Efremov, M.S. Seksenbaev, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev. Ge/Si waveguide photodiodes with built-in layers of Ge quantum dots for fiber-optic communication lines. – Semiconductors 2004, 38, № 10, 1225-1229
  8. В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Влияние наноимпульсного лазерного облучения на квантовые точки германия в кремнии. – Весцi Нацыянальнай Акадэмii навук Беларусi: серыя физiка-матэматычных навук 2004, 2, 93-96.
  9. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, Г.Ю. Михалев. Правило Мейера-Нельделя в процессах термоэмиссии и захвата дырок в квантовых точках Ge/Si. – Письма в ЖЭТФ 2004 80, вып. 5, 367-371.
  10. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, G. Mikhalev. The Meyer-Neldel rule in the process of thermal emission and hole capture in the Ge/Si quantum dots. – JETP Letters 2004, 80, № 5, 321-325.
  11. V.A. Volodin, M.D. Efremov, D.A. Orekhov, A.I. Nikiforov, O.P. Pchelyakov, V.V. Ulyanov, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii. Ge dots on Si (111) and (100) surfaces with SiO2 coverage: Raman study. Physica E 2004, 23, № 3-4, 320-323.
  12. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, G.M. Minkov, A.A. Sherstobitov, A.I. Nikiforov, A.A. Bloshkin. Hopping magnetoresistance in a two-dimensional array of Ge/Si quantum dots. – Nanostructures: Physics and Technology, St. Peterburg, Russia, June 21-25, 2004, pp. 306-307.
  13. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. Ge/Si фотодиоды и фототранзисторы со встроенными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи. – Нанофотоника, Н. Новгород, 2-6 мая 2004, с. 133-136.
  14. А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов. МЛЭ-системы Ge/Si и структуры с квантовыми точками для элементов наноэлектроники. – В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева (Издательство Сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2004), с. 67-84.
  15. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками для нанотранзисторов, фототранзисторов и фотодиодов. В кн.: Нанотехнологии в полупроводниковой электроники, под. ред. А.Л. Асеева (Издательство Сибирского отделения РАН, Новосибирск, 2004), с. 308-336.
  16. V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii Spin transport in Ge/Si quantum dot array. Proc. SPIE 2004, Vol. 5401, p. 402-409.
  17. A. V. Nenashev, A. F. Zinovieva, A. V. Dvurechenskii. “Spin relaxation in Ge/Si quantum dots” –Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 21-25, 2004, 332-333.
  18. А. В. Двуреченский. Импульсная ориентированная кристаллизация твердых тел (лазерный отжиг). Соросовский образовательный журнал 2004, том 8, №1, 1-7.
  19. А. В. Двуреченский, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, М. Д. Ефремов. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si. Письма в ЖЭТФ 2004, том 79, вып.7, с.411-415.
  20. A. V. Dvurechenskii, Zh. V. Smagina, V. A. Zinoviev, V. A. Armbrister, V. A. Volodin and M. D. Efremov. Elemental composition of nanoclusters formed by pulsed irradiation with low-energy ions during Ge/Si epitaxy. JETP Letters 2004, Vol. 79, No.7, pp. 333-336.
  21. N.P. Stepina, A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, and A.I. Nikiforov, Non-Equilibrium Transport in Arrays of Type-II Ge/Si Quantum Dots, Phys. Stat. Sol. (c) 2004, 1, No.1, pp.21-24.
  22. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, V.A. Zinovyev, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Modification of growth mode of Ge on Si by pulsed low-energy ion-beam irradiation”. International Journal of Nanoscience 2004, vol.3, No. 1&2, p.19-27
  23. A.V. Dvurechenskii, J.V. Smagina, R. Groetzschel, V.A. Zinovyev, P.L. Novikov, S.A. Teys, A.K. Gutakovskii. “Ge/Si quantum dot nanostructure grown with low-energy ion beam-assisted epitaxy”. Surface&Coatings Technology. 2004.
  24. А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов. “Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками”. Физика низких температур, том 30, вып. 11, 1169-1179 (2004).

ПУБЛИКАЦИИ



1991

  1. L.N.Aleksandrov, V.Yu.Balandin, A.V.Dvurechenskii, O.A.Kulyasova. Simulation of structural transformations in multilayers systems on silicon by pulsed nanosecond annealing. Reviews of Solid State Science 1991, v.5, №1, p.1-14.
  2. V.Yu.Balandin, O.A.Kulyasova, A.V.Dvurechenskii, L.N.Aleksandrov, S.L.Babenkova, Yu.A.Manzhosov. Simulation of Temperature and Elastic Fields and Phase Transitions in SOI Structures Formed by Pulse Heating. Phys. Stat.Sol. (a), 1991, v.123, Iss. 2, p.415-430.
  3. A.A.Karanovich, A.V.Dvurechenskii, I.E.Tyschenko, G.A.Kachurin. Centres of spin-dependent recombination in structures formed by N ion implantation into Si. Nucl. Instrum. and Meth. in Physics Research, B, 1991, v.55, Iss.1-4, p.630-632.
  4. А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко, Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. Электронная техника, Сер. Материалы, 1991, вып. 7(261), с.26-29.
  5. Ю.А.Манжосов, А.В.Двуреченский, Г.Д.Ивлев. Динамика перекристаллизации пленки кремния на слое диэлектрика при наносекундном лазерном воздействии. Письма в ЖТФ, 1991, т.17, вып.10 с.58-63.
  6. А.В.Двуреченский, А.А.Каранович, О.Л.Колесникова. ЭПР мелких доноров в квантовых ямах: водородоподобная модель. Физ. и техн. полупроводн. 1991, т.25, вып.5, с.923-927.
  7. L N.Aleksandrov and T.V.Bondareva. Enhanced Diffusion of Impurities in Silicon during Rapid Thermal Annealing (Computer Simulation). Phys. Stat.Sol. (A), 125 (1991) K 71-75.
  8. Л.Н.Александров, Т.В.Бондарева, А.Г.Качурин, И.Е.Тысченко. Численное моделирование диффузии В и Р в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 25(1991) 227-230.
  9. Л.Н.Александров, Р.В.Бочкова, А.Н.Коган, Н.П.Тихонова. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. Наука, Новосибирск, 1991, 168 с.
  10. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance at hopping conduction range in a silicon epitaxial structure, - Mater. of Found International Conf. on Hopping and Related Phenomena, Marburg, Germany,1991.
  11. V.V.Suprunchik, A.V.Dvurechenskii, et all. Negative differenssial resistance in silicon epitaxial structure., - Proc.6-th European Conf. on MBE and Related Growth Methods, Tampere, Finland, 1991.

ПУБЛИКАЦИИ



2003

  1. A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots for mid-infrared photodetectors. – International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2003, 12, № 3, 873-889.
  2. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки Ge в МДП- и фототранзисторных структурах. – Известия Академии наук: серия физическая, 2003, 67, вып. 2, 166-169.
  3. A.I.Yakimov, A.V.Dvurechenskii, A.I.Nikiforov, V.V.Ulyanov, A.G.Milekhin, A.O.Govorov, S.Schulze, and D.R.T. Zahn. Stark effect in type-II Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003, 67, № 12, 125318.
  4. A.I. Yakimov and A.V. Dvurechenskii. Germanium self-assembled quantum dots for mid-infrared photodetectors. – In: Intersubband Infrared Photodetectors, ed. by V. Ryzhii, Selected Topics in Electronics and Systems, 2003, Vol. 27, World Scientific, Singapore, 281-298
  5. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, А.А. Блошкин. Безфононная прыжковая проводимость в двумерных слоях квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 77, вып. 7, 445-449.
  6. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, and A.A. Bloshkin. Phononless hopping conduction in two-dimensional layers of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 77, №3, 376-380.
  7. A.V. Dvurechenskii and A.I. Yakimov. Optical properties of arrays of Ge/Si quantum dots in electric fields. – In: Towards the First Silicon Laser, ed. by L. Paversi et al., Kluwer Academic Publishers, Netherland, 2003, 307-314
  8. В.А. Володин, Е.И. Гацкевич, А.В. Двуреченский, М.Д. Ефремов, Г.Д. Ивлев, А.И. Никифоров, Д.А. Орехов, А.И. Якимов. Модифицирование нанокластеров германия в кремнии под действием импульсного лазерного излучения. – Физика и техника полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1352-1357.
  9. V.A. Volodin, E.I. Gatskevich, A.V. Dvurechenskii, M.D. Efremov, G.D. Ivlev, A.I. Nikiforov, D.A. Orekhov, A.I. Yakimov. Pulsed-laser modification of germanium nanoclusters in silicon. – Semiconductors, 2003, 37, № 11, 1315-1320.
  10. А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, С.В. Чайковский, С.А. Тийс. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge для ближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм). – Физика и техника полупроводников, 2003, 37, вып. 11, 1383-1388.
  11. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.I. Nikiforov, S.V. Chaikovskii, and S.A. Tiis. Ge/Si photodiodes with embedded arrays of Ge quantum dots for the near infrared region. – Semiconductors, 2003, 37, № 11, 1345-1349.
  12. А.И. Якимов, А.В. Ненашев, А.В. Двуреченский, М.Н. Тимонова. Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 78, вып. 4, 276-280.
  13. A.I. Yakimov, A.V. Nenashev, A.V. Dvurechenskii, and M.N. Timonova. Many-electron Coulomb correlations in hopping transport along layers of quantum dots. – JETP Letters, 2003, 78, № 4, 241-245.
  14. S. Erenburg, N. Bausk, L. Mazalov, A. Nikiforov, A. Yakimov. Ge quantum dots structural peculiarities depending on the preparation conditions. – J. Synchrotron Radiation, 2003, 10, № 5, 380-383.
  15. A.I. Yakimov, A.V. Dvurechenskii, A.V. Nenashev, A.I. Nikiforov. Evidence for two-dimensional correlated hopping in arrays of Ge/Si quantum dots. – Phys. Rev. B, 2003, 68, № 23, 230000.
  16. А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva. Wave functions and g-factor of holes in Ge/Si quantum dots – Phys. Rev. B, 2003, 67, 205301.
  17. А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. Ф. Зиновьева. Эффект Зеемана для дырок в системе Ge/Si с квантовыми точками – ЖЭТФ, 2003, том 123, вып.2, 362-372.
  18. А. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii and A. F. Zinovieva. Zeeman Effect for Holes in a Ge/Si System with Quantum Dots – JETP, 2003, Vol. 96, No 2, 321-330.
  19. В. А. Зиновьев, А. В. Двуреченский, П. Л. Новиков. Формирование гетероструктур Si/Ge/Si с квантовыми точками – Поверхность, 2003, №10, 22-26.
  20. А.В. Двуреченский, А. П. Ковчавцев, Г. Л. Курышев, И. А. Рязанцев, И. А. Никифоров, О. П. Пчеляков. Фотоусиление сигнала Si переходом, содержащим квантовые точки – Прикладная физика 2003, 2, 69-76.
  21. Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А.И. Никифоров. Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si. – Письма в ЖЭТФ, 2003, 78, № 9, 1077-1081.
  22. A. V. Dvurechenskii, I. A. Ryazantsev, A. P. Kovchavsev, G. L. Kuryshev, A. I. Nikiforov, O. P. Pchelyakov «Photoconductivity Gain by Si p-n Junction Containing Quantum Dots», Proceedings of SPIE, Eds. A. M. Filachev and A.I. Dirochka, 17th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, Vol. 5126 (2003), 167-177.

ПУБЛИКАЦИИ



1990

  1. А.А.Каранович, А.В.Двуреченский, И.Е.Тысченко, Г.А.Качурин. Центры спин-зависимой рекомбинации в структурах, формируемых имплантацией ионов азота в Si. Физ. и техн. полупроводн. 1990, т.24, вып.6, с.1101-1103.
  2. С.Н.Коляденко, А.В.Двуреченский, В.Ю.Баландин, С.П.Верходанов, Л.В.Мишина, О.А.Кулясова. Особенности плавления монокристаллической подложки в затравочных окнах при формировании слоев кремния на изоляторе импульсным нагревом. Письма в ЖТФ, 1990, т.16, вып.22, с.11-17.
  3. L.N.A.Aleksandrov, V.A.Zinovyev. Melting and Grystallization of Silicon Layers on Insulator with Millisecond Lamp Heating. Gryst.Res. Technol. 25 (1990) 269-276.
  4. Л.Н.Александров. Современные физические проблемы твердых пленок. Новосибирск, НГТУ, 1990, 100 с.
  1. 1989
  2. 1992
  3. 1993
  4. 1994