30 июля 2018 г. ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности на условиях срочного трудового договора:
- младшего научного сотрудника (в Лабораторию №16 молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5)
Трудовая деятельность:
проведение исследований в области роста эпитаксиальных слоев соединений на основе Si-Ge-Sn и Ge-Si методом МЛЭ с использованием дифракции быстрых электронов на отражение.
Трудовые функции:
выполнение отдельных заданий в рамках решения задач исследования; изучение механизмов роста гетероструктур на основе Si-Ge-Sn и Ge-Si, синтез эпитаксиальных слоев соединений на основе Si-Ge-Sn и Ge-Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии, анализ морфологии выращенных гетероструктур.
Требования к кандидату:
- высшее образование;
- наличие результатов интеллектуальной деятельности:
количество научных статей не менее 5; - опыт работы на установке МЛЭ не менее 3 лет;
- желаемый возраст: 27-30 лет.
Дата окончания приема документов 29.09.2018 г.
Заявки принимаются на сайте ученые-исследователи.рф Номер вакансии VAC_37585
Лицо, изъявившее желание принять участие в конкурсе, (далее - претендент) подает в конкурсную комиссию ИФП СО РАН следующие документы:
- личный листок по учету кадров;
- автобиография (в свободной форме);
- копии документов о высшем профессиональном образовании;
- копии документов о присуждении ученой степени, присвоении ученого звания (при наличии);
- сведения о научной и научно-организационной деятельности за пять лет, предшествующие дате проведения конкурса (ФОРМА 1);
- отзыв об исполнении претендентом должностных обязанностей с последнего места работы, подписанный уполномоченным работодателем должностным лицом (отзыв в свободной форме, должен содержать мотивированную оценку профессиональных, деловых и личностных качеств претендента, а также результатов его профессиональной деятельности).
Справки по тел.: 333-24-88 (секретарь конкурсной комиссии Аржанникова С.А.).