14 февраля 2017 г. ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности на условиях срочного трудового договора:

• научный сотрудник
  (в Лабораторию физики и технологии трёхмерных наноструктур)

Тематика исследований: Электронные и фотонные топологические изоляторы. Краевые электронные состояния в условиях сильного градиента магнитного поля; топологически защищённые краевые электромагнитные состояния.

Требования к кандидату:

1. высшее образование;
2. ученая степень кандидата физико-математических наук по специальности «физика полупроводников»;
3. опыт работы по данной тематике 10 лет и более;
4. опыт самостоятельной экспериментальной работы в зарубежных лабораториях;
5. число публикаций, индексируемых системой Scopus, за последние 5 лет - не менее 2 шт.;
6. владение методом изготовления полупроводниковых мембран и оболочек с высокоподвижным двумерным электронным газом для проведения гальваномагнитных измерений;
7. владение методикой гальваномагнитных измерений при низких (до 2К) температурах.

Дата окончания приема документов 06.03.2017 г.

Документы для участия в конкурсе: ссылка.

Заявки принимаются на сайте ученые-исследователи.рф. Номер вакансии VAC_19805

Справки по тел.: 333-24-88 (ученый секретарь).