14 февраля 2017 г. ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности на условиях срочного трудового договора:
-
научный сотрудник
(в Лабораторию физики и технологии трёхмерных наноструктур)
Тематика исследований: Электронные и фотонные топологические изоляторы. Краевые электронные состояния в условиях сильного градиента магнитного поля; топологически защищённые краевые электромагнитные состояния.
Требования к кандидату:
- высшее образование;
- ученая степень кандидата физико-математических наук по специальности «физика полупроводников»;
- опыт работы по данной тематике 10 лет и более;
- опыт самостоятельной экспериментальной работы в зарубежных лабораториях;
- число публикаций, индексируемых системой Scopus, за последние 5 лет - не менее 2 шт.;
- владение методом изготовления полупроводниковых мембран и оболочек с высокоподвижным двумерным электронным газом для проведения гальваномагнитных измерений;
- владение методикой гальваномагнитных измерений при низких (до 2К) температурах.
Дата окончания приема документов 06.03.2017 г.
Документы для участия в конкурсе: ссылка.
Заявки принимаются на сайте ученые-исследователи.рф. Номер вакансии VAC_19805
Справки по тел.: 333-24-88 (ученый секретарь).