26 августа 2016 г. ИФП СО РАН объявляет конкурс на замещение вакантной должности на условиях бессрочного трудового договора:

• научный сотрудник
  (в Лабораторию физических основ материаловедения кремния)

Тематика исследований: : исследование атомной и электронной структуры дефектов в диэлектриках, перспективных для использования в качестве активной среды в элементах резистивной и ферроэлектрической памяти.

Требования к кандидату:

1. высшее образование по специальности «физика», специализация «физика полупроводников и микроэлектроника»;
2. ученая степень кандидата физико-математических наук по специальности «физика конденсированного состояния»;
3. владение теорией функционала плотности и опытом квантово-химического моделирования из первых принципов атомной и электронной структуры дефектов в диэлектриках с высокой диэлектрической проницаемостью, обладающих резистивным или сегнетоэлектрическим эффектом (HfO2, ZrO2, Ta2O5, Hf0.5Zr05O2, Al2O3, TiO2);
4. навыки изучения атомной и электронной структуры методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии;
5. навыки моделирования вольт-амперных характеристик диэлектрических плёнок в рамках моделей фонон облегченного туннелирования и многофононной ионизации ловушек.

Дата окончания приема документов 28.09.2016г.

Документы для участия в конкурсе: ссылка.

Заявки принимаются на сайте http://ученые-исследователи.рф/. Номер вакансии VAC 14396.

Справки по тел.: 333-24-88 (ученый секретарь).