Технология фокусированных ионных пучков (ФИП), развитая на базе двулучевых систем, совмещающих растровую электронную микроскопию с ионным пучком, широко применяется в современных полупроводниковых технологиях, научных исследованиях, а также для решения прикладных задач препарирования образцов для электронной микроскопии. Данная технология обеспечивает возможность локального прецизионного травления и ионно-стимулированного осаждения различных материалов (металлов, диэлектриков). Высокая локальность модификации поверхности подложек сфокусированным пучком высокоэнергетичных ионов используется для создания элементов микромеханики и микроэлектромеханических систем (MEMS).
Специалисты:
с.н.с. Косолобов С.С., ТК к. 108, т.330-90-82 вед. инж.-техн. Живодков Ю.А., ТК к. 108
Установка фокусированных ионных пучков CROSS BEAM1540XB ZEISS (Германия)
Электронная пушка
- Рабочее расстояние 0-45 мм
- Разрешение 1.1 нм @ 20 kV,2.5 нм @ 1 kV
- Увеличение 20x - 900kx
- Ток пучка 4 pA - 20 нA
- Ускоряющее напряжение 0.1 - 30 кВ
- Тип катода Thermal field emission type
- Давление в пушке < 1*10-9 Торр
Ионная пушка (Ga+)
- Рабочее расстояние 5 мм
- Разрешение 5 нм достижимо
- Увеличение 600x - 500kx
- Ток пучка 1 pA - 50 нA
- Ускоряющее напряжение 3 - 30 кВ
- Тип катода Ga liquid metal ion source (LMIS)
- Давление в пушке < 1*10-9 Торр
EDX анализ
Приставка для электронной литографии
Давление в камере Рост<10-6 Торр
Детекторы
- In-lens: Annular type
- Chamber: TV
- SE
Система напуска газов. (До 5 газов для селективного травления, глубокого травления, осаждения металлов и диэлектриков)
СЭМ-изображения поверхностей и структур, полученные на CROSS BEAM1540XB: