ПУБЛИКАЦИИ

2001

Публикации в рецензируемых журналах

1. И.В.Антонова, Й.Стано, Д.B.Николаев, О.В.Наумова, В.П.Попов, В.А.Скуратов. Состояния на границах и центры с глубокими уровнями в структурах Кремний на изоляторе. ФТП,2001, т.35, в.8, с.948-953
2. I.V.Antonova, J.Stano, D.V.Nikolaev, O.V.Naumova, V.P.Popov, V.A.Skuratov. Traps at bonded interface in SOI structures. Appl.Phys.Lett. 2001, 79, №27, 4539–4540
3. В.П.Попов, И.В.Антонова, A.А.Французов Л.Н.Сафронов, Г.Н.Феофанов, О.В.Наумова, Д.В.Киланов. Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе. ФТП, 2001, т.35, в.9, c.1075-1083
4. В.П. Попов, И.В. Антонова, А.А. Французов, О.В. Наумова, Н.В. Сапожникова. Микросистемная техника, 2001, т.10, с. 35-40

Публикации в трудах и тезисах конференций

1. А.А.Французов, И.В.Антонова, О.В.Наумова, Н.В.Сапожникова, В.П.Попов, Г.Н.Феофанов. Транзисторы с коротким каналом на КНИ. Тезисы докл. Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и нано-электроника-2001»(МНЭ-2001), г. Звенигород, Л2-2
2. В.П.Попов, Ю.В.Настаушев, Т.А.Гаврилова, О.В.Наумова, В.А.Колосанов, М.М.Качанова, Л.А.Ненашева, И.В.Антонова, А.Л.Асеев. Латеральные нанотранзисторы с расщепленным затвором на тонких КНИ пленках. Тезисы докл. Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и нано-электроника-2001» (МНЭ-2001), г. Звенигород, О1-3

ПУБЛИКАЦИИ

2003

Публикации в рецензируемых журналах

1. О.В.Наумова, И.В.Антонова, В.П.Попов, Ю.В.Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В.Литвин, А.Л.Асеев. КНИ нанотранзисторы: перспективы и проблемы реализации. ФТП, 2003, т.37(10), с.1253-1259
2. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, N.V. Sapognikova, Yu.V. Nastaushev, E.V. Spesivtsev, and A.L. Aseev. Conductance oscillations near bonded interface in the ultra thin silicon-on-insulator layers at the room temperature. Microelectronic Engineering, 2003, v.66, p.457-462
3. O.V. Naumova, I.V Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, and A.L. Aseev. Modification of silicon-on-insulator structures under nano-scale Device fabrication. Microelectronic Engineering, 2003, v.69 (Issues 2-4), p.168-172
4. И.В.Антонова, В.А.Стучинский, О.В.Наумова, Д.В.Николаев, В.П.Попов. Флуктуации заряда на границе сращивания в структурах кремний-на-изоляторе. ФТП, 2003, т.37(11), с. 1341-1345
5. I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.P. Popov, V.A. Skuratov. DLTS study of bonded interface in silicon-on-insulator structures annealed in hydrogen atmosphere. Microelectronic Engineering, 2003, v.66, p. 547-552

Публикации в трудах и тезисах конференций

1. Демьяненко М.А. Фомин Б.И. Васильева Л.Л. Овсюк В.Н. Репинский С.М. Шашкин В.В. Термочувствительные слои VO_x для микроболометрических приемников ИК-излучения. Труды совещания «Фотоника 2003», Новосибирск, 2003г. с.77
2. Демьяненко М.А. Фомин Б.И. Васильева Л.Л. Овсюк В.Н. Репинский С.М. Шашкин. Микроболометрические приемники ИК излучения на основе золь-гель технологии, Труды совещания «Фотоника 2003», Новосибирск, 2003г. с.78
3. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Y.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, L.V. Litvin, A.L. Aseev. FET on Ultrathin SOI (Fabrication and Research). Proceedings of SPIE , Micro- and Nanoelectronics 2003, K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky (eds), Vol. 5401, pp. 323-331 (6-10 October, 2003, Zvenigorod, Russia)
4. O.V. Naumova, A.A. Frantsuzov, V.P. Popov. Gamma radiation tolerance of 0.5 μm SOI MOSFETs. Proceedings of SPIE , Micro- and Nanoelectronics 2003, K.A. Valiev, A.A. Orlikovsky (eds), Vol. 5401, pp. 332-336 (6-10 October, 2003, Zvenigorod, Russia) SPIE
5. Ю.В. Настаушев, О.В. Наумова, И.В. Антонова, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, С.Ф. Девятова, Ф.Н. Дульцев, Д.В. Щеглов, В.П. Попов, А.В. Латышев, А.Л. Асеев. Приборные структуры в нанометровых слоях кремния на изоляторе. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, c.325
6. О.В. Наумова, А.А. Французов, И.В. Антонова, В.П. Попов. Исследование радиационной стойкости КНИ МОП транзисторов, изготовленных на структурах DeleCut. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, Тезисы докладов, с.327
7. В.П. Попов, А.А. Французов, О.В. Наумова, И.В. Антонова, Н.В. Сапожникова, И.В. Антонова, Ю.В. Настаушев, Т.А. Гаврилова, Л.В. Литвин, А.Л. Асеев. КНИ-нанотранзисторы и их свойства. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, Тезисы докладов, с.341
8. И.В. Антонова, Й. Стано, О.В. Наумова, Д.В. Николаев, В.А. Скуратов, В.П. Попов. Влияние водорода на спектр состояний на границе сращивания Si/SiO2 структур КНИ, полученных методом BESOI и Dele-Cut. Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). Москва, МИСиС, Тезисы докладов, с.280
9. Yu. Nastaushev, T. Gavrilova, M. Kachanova, L. Nenasheva, O. Naumova, L. Litvin, V. Popov, A. Aseev. Electron Nanolithography for SOI Nanoelectronic Devices Fabrication and Research. X APAM Topical Seminar and III Conference "Materials of Siberia" "Nanoscience and Technology", Novosibirsk, 2003, June 2-6, Proceedings, pp. 226-227
10. Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev and A.L. Aseev. Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator. 11th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, Proceedings, 2003, pp.240-241

ПУБЛИКАЦИИ

2002

Публикации в рецензируемых журналах

1. И.В.Антонова, Й.Стано, Д.B.Николаев, О.В.Наумова, В.П.Попов. Трансформация при отжиге в водороде состояний на границах раздела КНИ структур. ФТП, 2002, т.36, N1, c.65-69
2. Д.В.Николаев, И.В.Антонова, О.В.Наумова, В.П.Попов, С.А.Смагулова. Поведение заряда в скрытом диэлектрике структур кремний–на-изоляторе в электрических полях. ФТП, 2002, 36(7), c. 853-857
3. Y.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, M.Kachanova, L.Nenasheva, V.A.Kolosanov, O.V.Naumova, V.P.Popov, A.L.Aseev. 20-nm Resolution of electron litography for the nano-devices on ultrathin SOI film. Materials Science and Engineering C, 2002, v.19, p.189-192
4. В.П.Попов, И.В.Антонова, А.А.Французов, Л.Н.Сафронов, А.И.Попов, О.В.Наумова, А.Х.Антоненко, Д.В.Киланов, И.В.Миронова. Создание высококачественных структур кремний-на-изоляторе (КНИ) методом водородного переноса. Микроэлектроника, 2002, т.31, N4, c.274-280

Публикации в трудах и тезисах конференций

1. I.V. Antonova, D.V. Nicolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov. Hydrogen-related phenomena in SOI fabricated by using H+ ion implantation. GADEST, 2002, Solid State Phenomena v.82-84, p. 491-496
2. V.P.Popov, D.V.Kilanov, I.V.Antonova, O.V.Naumova, A.P.Stepovik, V.T.Gromov, A.Misiuk. Hydrogen-induced shallow donor in silicon and silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing. GADEST, Solid State Phenomena, 2002,v. 82-84, p.497-502
3. V.P.Popov, I.E.Tyschenko, L.N.Safronov, O.V.Naumova, I.V.Antonova, A.K.Gutakovskii, A.B.Talochkin. Properties of silicon oversaturated with implanted hydrogen. Thin Solid Films, 2002, v. 403-404, p. 500-504
4. V.P.Popov, D.V.Kilanov, I.V.Antonova, O.V.Naumova, A.P.Stepovik, V.T.Gromov, A.Misiuk. Hydrogen-induced shallow donor in silicon and silicon-on-insulator structures formed by hydrogen slicing. Solid State Phenomena, 2002, v. 82-84, p. 497-502
5. V.P.Popov, A.L.Aseev, I.V.Antonova, Yu.V.Nastaushev, T.A.Gavrilova, O.V.Naumova, A.A.Franzusov, G.N.Feafanov, V.A.Kolosanov. Low dimension properties of nanostructures on ultrathin layers of silicon formed by oxidation of ion cut SOI wafers and electron lithogtraphy. F.Balestra et.al.(eds.) Progress in Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, Kluwer Academic Publishers, 2002, p.87-91
6. V.P.Popov, A.K.Gutakovkii, L.N.Safronov, I.E.Tyschenko, S.K.Zhoravlev, A.B.Talochkin, I.V.Antonova, O.V.Naumova, V.I.Obodnikov, A.Misiuk, J.Bak-Misiuk, J.Domagala, A.Romano-Rodrigues, A.Bachrouri. Defects and their electronic properties in high-pressure-annealed SOI structures sliced by hydrogen. F.Balestra et.al.(eds.) Progress in Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, Kluwer Academic Publishers, 2002, p.269-288
7. V.P.Popov, O.V.Naumova, I.V.Antonova. Electricаl properties of nanoporous np-Si:H/c-Si heterostructures. Materials of 3th Int. Conf Porous Semicond. Science and Technology, Mar. Tenerife, 2002, P2-37, 331-332
8. O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, L.V. Litvin, A.L. Aseev. Silicon-on-insulator structures for nano-scale devices. NGCM (symposium Nano and Giga Challenges in Microelectronics Research and Opportunities in Russia), Moscow, 2002, c.185

ПУБЛИКАЦИИ

2004

Публикации в рецензируемых журналах

1. Yu.V. Nastaushev, T.A. Gavrilova, M.M. Kachanova, O.V. Naumova, I.V. Antonova, V.P. Popov, L.V. Litvin, D.V. Sheglov, A.V. Latyshev, A.L. Aseev. Field effect nanotransistor on ultrathin silicon-on-insulator. International Journal of Nanoscience, 2004, v.3, N1-2, pp.155-160
2. I.V. Antonova, J. Stano, O.V. Naumova, V.A. Skuratov, and V.P. Popov. DLTS Stady of Silicon-on-Insulator Structures Irradiated With Electrons or High-Energy Ions. IEEE Trans.Nucl.Sci.2004, vol.51, N3, pp.1257-1261
3. В.П.Попов, А.Л.Асеев, А.А.Французов, М.А.Ильницкий, Л.Н.Сафронов, О.В.Наумова, Ю.В.Настаушев, Т.А.Гаврилова, В.М.Кудряшов, Л.В.Литвин. Разработка нанотранзисторов на структурах кремний-на-изоляторе для нового поколения элементной базы микроэлектроники. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. Отв. Редактор А.Л. Асеев.- Новосибирск: Издательство СО РАН, 2004, с. 337-362

Доклады на конференциях

1. Фомин Б.И., Овсюк В.Н., Шашкин В.В., Демьяненко М.А., Васильева Л.Л., Соловьев А.П. Неохлаждаемые микроболометрические матричные приемники ИК излучения на основе золь-гель VO_x. 18 международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 25-28 мая 2004г., Москва, стр. 22
2. О.В.Наумова, А.А.Французов, И.В.Антонова, В.П.Попов. Влияние имплантации водорода в кремний на свойства системы Si/SiO₂. VII Всероссийскй семинара "Физические и физико–химические основы ионной имплантации Н.Новгород, октябрь, 2004, р.23
3. Yu.V.Nastaushev, O.V.Naumova, F.N.Dultsev, L.V.Litvin, M.M.Kachanova, D.V.Sheglov, V.P.Popov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev. Gate dielectric based on TiO₂ for SOI nanodevices. Second Conference of the Asian Consortium for Computational Materials Science “ACCMS-2”, Novosibirsk, 2004, Abstracts, p. 135
4. D.V.Sheglov, Yu.V.Nastaushev, E.E.Rodyakina, O.V.Naumova, I.V.Antonova, V.P.Popov, A.V.Latyshev, A.L.Aseev. AFM-tip induced nanolithography on ultra thin SOI for nanodevice fabrication. 12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St Petersburg, Russia, 2004, pp.199-200
5. I.V. Antonova, D.V.Nikolaev, O.V. Naumova, V.P. Popov. Comparison of electrical properties of silicon-on-insulator structures fabricated with use of hydrogen slicing and BESOI. Electrochem&Solid State Letters, 2004, v.7, n.3, F21-F23