События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



2008

Публикации в рецензируемых журналах

  1. O V Naumova, Yu V Nastaushev, S N Svitasheva, L V Sokolov, N D Zakharov, P Werner, T A Gavrilova, F N Dultsev, A L Aseev. MBE-grown Si whisker structures: morphological, optical and electrical properties. Nanotechnology, 19(2008) 225708 (5pp)

Доклады на конференциях

  1. Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Овсюк В.Н., Фомин Б.И., Асеев А.Л., Князев Б.А., Кулипанов Г.Н., Винокуров Н.А. Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов. Тезисы. докл. 20-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 27-30 мая 2008 г., Москва, с. 16
  2. Демьяненко М.А., Фомин Б.И., Есаев Д.Г., Овсюк В.Н, Васильева Л.Л., Волков С.А., Марчишин И.В., Четверов Ю.С., Здобников А.Е., Кудрявцев П.Н., Володин Е.Б., Ермолов А.Е., Усов П.П., Чесноков В.П., Машевич П.Р. Неохлаждаемое микроболометрическое фотоприемное устройство форматом 320х240 на основе золь-гель VOx Тезисы. докл. 20-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 27-30 мая 2008 г., Москва, с. 25
  3. Демьяненко М.А., Есаев Д.Г., Марчишин И.В., Овсюк В.Н., Фомин Б.И., Князев Б.А. Болометрические приемники для терагерцового излучения Тезисы. докл. 20-я Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения. 27-30 мая 2008 г., Москва, с. 32
  4. O.V. Naumova, B.I. Fomin, N.V. Sakharova, V.P. Popov. Impact of implantation on the properties of N2O-nitrided oxides of p+- and n+-gate MOS devicesю 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM-2008), Dresden, Germany, 31 August - 5 September, 2008 – Стендовый
  5. O.V. Naumova, B.I. Fomin, M.A. Ilnitsky, V.P. Popov. Post-implantation defects in SOI wafers. 16th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM-2008), Dresden, Germany, 31 August - 5 September, 2008 - Стендовый
  6. О.В. Наумова, Б.И. Фомин, В.П. Попов. Влияние имплантации ионов бора и фосфора на свойства структур кремний на изоляторе. II Всероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», Казань, Россия, 29-31 октября, 2008 – Устный
  7. О.В. Наумова, Б.И. Фомин, М.А. Ильницкий, В.П. Попов. Влияние имплантации на свойства азотированных окислов n+ и p+ затворных МОП структур. II Всероссийская конференция «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», Казань, Россия, 29-31 октября, 2008 - Устный