События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



2006

Публикации в рецензируемых журналах

  1. O.V. Naumova, E.V. Vohmina, T.A. Gavrilova, N.V. Dudchenko, D.V. Nikolaev, E.V. Spesivtsev, V.P. Popov, Properties of silicon nanolayers on insulator, Materials Science and Engineering, В, 2006, v.135, Issue 3, p. 238-241

Доклады на конференциях

  1. O.V.Naumova, E.V.Vohmina, T.A.Gavrilova, N.V.Dudchenko, D.V.Nikolaev, E.V.Spesivtsev, V.P.Popov. Properties of silicon nanolayers on insulator, Int. Conf. On Electron Materials(E-MRS IUMRS ICEM), Nice (France), May 29 - June 2, 2006 B P1-11 - Стендовый
  2. В.П.Попов Свойства структур КНИ с нанометровыми слоями кремния, III Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства "Кремний -2006", Красноярск, 4-6 июля, 2006 с.60 - Устный
  3. О.В.Наумова, М.А.Ильницкий, Л.Н.Сафронов, В.П.Попов. КНИ-нанотранзисторы с двумя независимо управляемыми затворами, III Российское совещание по росту кристаллов и пленок кремния и исследованию их физических свойств и структурного совершенства "Кремний -2006", Красноярск, 4-6 июля, 2006 с.58 - Устный
  4. O.V. Naumova, Y.V. Nastaushev, S.N. Svitasheva, L.V. Sokolov, P. Werner, N.D. Zakharov, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, and A.L. Aseev. Properties of silicon nanowhiskers grown by molecular beam epitaxy. 28 International Conference on the Physics of Semiconductors (Vienna, Austria), (2006) p.338 - Стендовый
  5. Yu.V.Nastaushev, S.N.Svitasheva, L.V.Sokolov, P.Werner, N.D.Zakharov, T.A.Gavrilova, O.V.Naumova, and A.L.Aseev. “Tall Silicon nanopillars characterization by SEM, IV and SE techniques”.- 14th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, St. Petersburg, Russia, 2006, Proceedings, P.82-83 – Устный