События

В понедельник, 2 июня 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 3 марта 2025 г., в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
В понедельник, 10 февраля, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...

В понедельник, 18 ноября, в 15-00
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.

12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.

Объявления

ИФП СО РАН объявляет очередной приём в аспирантуру по образовательным программам подготовки научных и научно-педагогических кадров в аспирантуре очной формы обучения.

В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»

В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."

Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"

Важное





Российская конференция и школа молодых ученых

«ФОТОНИКА-2025»

8-12 сентября 2025 года


Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций

Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее

Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН

Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее

Другие конкурсы...

Поступление в образовательные организации высшего образования

https://pos.gosuslugi.ru/lkp/polls/477289/

ПУБЛИКАЦИИ



2007

Публикации в рецензируемых журналах

  1. O.V. Naumova, Y.V. Nastaushev, S.N. Svitasheva, L.V. Sokolov, P. Werner, N.D. Zakharov, T.A. Gavrilova, F.N. Dultsev, A.L. Aseev, Properties of Silicon Nanowhiskers Grown byMolecular-Beam Epitaxy, INST PHYS CONF SER, 2007, т. 893, стр. 793
  2. О.В. Наумова, М.А. Ильницкий, Л.Н. Сафронов, В.П. Попов, КНИ-нанотранзисторы с двумя независимо управляемыми затворами, Физика и техника полупроводников, 2007, т. 41, №1, стр. 104-111
  3. Dultsev F.N., Mikhailovskii I.P. “The role of Laplace pressure in the formation of the structure of thin layers based on silicon dioxide” Applied Surface Science 253, p.3181-3183, (2007)

Доклады на конференциях

  1. O.V.Naumova, B.I.Fomin, N.V.Sakharova, V.P.Popov. Degradation of N2O-nitrided oxides under electrical field stress and irradiation, 3rd International Conference on Micro-Nanoelectronics, Nanotechnology & MEMs. , NCSR Demokritos, Athens, 18 – 21 November, 2007 - Стендовый
  2. O.N.Naumova, D.A.Nasimov, B.I.Fomin, N.V.Dudchenko, T.A.Gavrilova, I.V.Spesivtsev, V.P.Popov. SOI-nanowieres as sensors of charge, 3rd International Conference on Micro-Nanoelectronics, Nanotechnology & MEMs., NCSR Demokritos, Athens, 18 – 21 November, 2007 – Устный
  3. О. В. Наумова, Т. А. Гаврилова, Н. В. Дудченко, Е. В. Спесивцев, В. П. Попов. HF-дефекты в структурах кремний-на изоляторе, VIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября – 5 октября 2007, 2007 - Стендовый
  4. О. В. Наумова, Б. И. Фомин, Н. В. Сахарова, В. П. Попов. Накопление дефектов в N2O-азотированных подзатворных окислах МОП структур при электрических и радиационных воздействиях, VIII Российская конференция по физике полупроводников, Екатеринбург, 30 сентября – 5 октября 2007 – Стендовый