Новости

Спин-детектор планируется установить на оборудовании станции СКИФ первой очереди
Создание спинового триода — значительный шаг к вакуумной спинтронике — направлению электроники будущего

События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Объявления
В четверг, 10.04.2025 в 15-00
состоится Институтский семинар (онлайн!)
Докладчик: Кубатаев Заур Юсупович
Структурно-динамические свойства и спектры комбинационного рассеяния света
композиционных ионных систем на основе перхлоратов щелочных металлов
В среду, 9.04.2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Емельянов Евгений Александрович
«Молекулярно-лучевая эпитаксия твёрдых растворов GaPxAs(1-x)(001) и InAsxSb(1-x)(001): формирование состава в подрешётке пятой группы»
На 22 апреля 2025 г. запланировано проведение Конкурса научных работ сотрудников ИФП СО РАН.
Желающим принять участие в конкурсе необходимо до 4 апреля 2025 г. предоставить ученому секретарю Института комплект документов
В среду, 19 марта 2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: д.ф.-м.н., профессор РАН Сачков Михаил Евгеньевич директор Института астрономии РАН
«Ультрафиолетовая Вселенная: задачи и перспективы исследования»
Важное
Конкурс РНФ на получение грантов по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований под руководством зарубежных ведущих ученых»
Приём заявок продлен до 30.04.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда
Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований под руководством зарубежных ведущих ученых» (имеющие прикладной характер)
Приём заявок продлен до 30.04.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда
Поступление в образовательные организации высшего образования
КОНТАКТЫ
Руководитель: |
д.ф.-м.н. Наумова Ольга Викторовна |
Адрес: |
г. Новосибирск, ул. Пирогова, 30 |
ПАТЕНТЫ
- И. П. Михайловский, М. А. Демьяненко, Т. А. Гаврилова, Б. И. Фомин, В. Н. Овсюк, «Способ изготовлений диэлектрического слоя» Неохлаждаемый болометр по решению РОСПАТЕНТА о выдаче патента на изобретение от 15.01.2013 по заявке №2011151923/28. Приоритет от 19.12.2011
- Настаушев Ю.В. Наумова О.В. Девятова С.Ф. Попов В.П. Способ изготовления наносенсора. Патент на изобретение РФ № 2359359, приоритет от 15.11.2007, Б.И. № 11, 2009
- Ю.В. Настаушев, O.В.Наумова, Ф.Н.Дульцев. Способ создания диэлектрического слоя. Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2274926, 2006, Б.И. № 11.
- Ю.В. Настаушев; О.В. Наумова; В.П. Попов. Полевой нанотранзистор Патент на изобретение Российской Федерации № RU 2250535, 2005, Б.И. № 4
- Фомин Б.И. Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, Авт.свид.№1387797 от 08.12.87
РАЗРАБОТКИ
Низкотемпературная (не выше 300С) золь-гель технология получения пленок окисла ванадия с температурным коэффициентом сопротивления около 1,5%. Технололия успешно использована при изготовлении микроболометрических матриц ИК – диапазона форматом 120х160 пикселей.
Технология микроболометрических матрицы форматом 160х120 и 320х240 пикселей. Размер пикселя 51 мкм. ФПУ с такими матрицами позволяет получать тепловое изображение с разрешением менее 0,1 градуса. В настоящее время ведется разработка технологии с целью получения матриц большего формата и размером пикселя 25 мкм и 17 мкм.
a
b(a) - Фрагмент микроболометрической матрицы форматом 320х240 пикселей и (b) - тепловое изображение человека, полученное с помощью данной матрицы.
-
Низкотемпературная технология изготовления высокочувствительных полупроводниковых нанопроволочных химических и биологических сенсоров. Чувствительность сенсоров может достигать 10-14 - 10-15 моль/литр.
(a) - изображение отдельного КНИ-нанопроволочного транзистора в качестве высокочувствительного элемента химических и биологических сенсоров, (b) - изменения сток-затворных характеристик сенсора с ростом содержания молекул BSA в растворе от фемто-моля и выше и (c) - yстановленная чувствительность к различным типам частиц (совместно с ИБМХ РАМН)
ПРОЕКТЫ
Участие в проектах:
Программы РАН и интеграционные СО РАН
- Интеграционный проект «Биоаналитические платформы на основе электрофизических и электрокинетических сенсорных устройств» 2012-2014 гг.
- Интеграционный проект по Программе фундаментальных исследований Президиума РАН “Разработка электронного нанопроволочного биосенсора для анализа РНК-маркеров немелкоклеточного рака легкого”, 2014 г.
- Проект СО РАН «Уникальные устройства и стенды для развития исследовательской инфраструктуры СО РАН, обеспечивающей возможность проведения нестандартных исследований в области химии и биологии» (по заказу Президиума СО РАН) Координатор проекта - академик Пармон В.Н., Институт катализа СО РАН Соисполнители проекта: ИФП СО РАН, руководитель – к.ф.-м.н. Д.Г. Есаев “Разработка и изготовление системы регистрации тепловых полей (на основе матричных микроболометрических ИК приемников) с температурным и пространственным разрешением для изучения неравновесных химических процессов в условиях импульсного СВЧ”, 2013 г.
Госконтракты:
- Договор с ФГУП «Российский Федеральный Ядерный центр – Всероссийский ВНИИ экспериментальной физики» (ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ») от 01.02.2013 № 767-13 на выполнение составной части НИР «Разработка и изготовление экспериментального образца малогабаритного фотоприемного устройства инфракрасного диапазона 8-14 мкм», шифр «Болометр-13», 2013 г.
- Договор с ФГУП «Российский Федеральный Ядерный центр – Всероссийский ВНИИ экспериментальной физики» (ФГУП «РФЯЦ-ВНИИЭФ) от 15.02.2012 № 718-12 на выполнение составной части НИР «Изготовление экспериментального образца фотоприемного устройства инфракрасного диапазона 8-14 мкм», шифр «Болометр-12», 2012 г.
- Госконтракт №02.740.11.0791 от 24.04.2010г. «Методы формирования высокочувствительных нанопроволочных систем, предназначенных для детектирования белковых маркеров гепатита В и раковых заболеваний (альфа-фетопротеин) с уровнем чувствительности от 10-14 М и ниже по модельному белку BSA» 2010-2012 гг.
- Договор от 01.04.2008 № 569-08 на поставку научно-технической продукции, «Линейчатый микроболометрический приемник ИК излучения», шифр – Квант-Э Заказчик – Филиал ОАО «НПП КП «Квант» - ОКБ «Квант-Электроника», 2008 г.
- Договор от 18.04.2008 № 576-08 на поставку научно-технической продукции, «Болометрическое фоточувствительное устройство», шифр – Сапфир-БМ Заказчик – ОАО «Московский завод «Сапфир», 2008
- Госконтракт №02.513.11.3057 от 22 марта 2007 г «Наноструктурированные слои кремния на изоляторе», 2007 г.
- Государственный контракт от 20.06.2006 № 473-06 на основании решения УРБВТ и СП МО РФ. ОКР «Разработка неохлаждаемого фотоприемного устройства форматом 320х240 на основе матричного микроболометрического приемника излучения», шифр - Модуль-МБ2-Н, 2006-2009 гг.
- Государственный контракт с Управлением развития базовых военных технологий и специальных проектов МО РФ (УРБВТ и СП) от 10.04.2001 № 4274. ОКР «Разработка неохлаждаемых фотоприемных устройств на основе матричных микроболометрических приемников», шифр – Летник. 2001-2005 гг.
ОБОРУДОВАНИЕ
Лаборатория оснащена технологическим и измерительным оборудованием, позволяющим разрабатывать, изготавливать и исследовать структуры и приборы на кремниевых пластинах диаметром 76 и 100 мм. Основное оборудование:
Установки контактной и проекционной фотолитографии
Системы и приспособления для жидкостной химической обработки пластин кремния
Установки нанесения, тепловой обработки и удаления фоторезиста
Диффузионные печи, печи термического отжига и печи синтеза пленок в реакторе пониженного давления
Установки магнетронного и термического напыления пленок алюминия, индия, титана и других пленок
Установки с емкостной и индуктивно-связанной плазмой для плазмохимического и реактивно-ионного травления и осаждения различных пленок
Микротоковый источник ионов с энергией однозарядных ионов от 10 до 400 кэВ ( до 800 кэВ при облучении двухзарядными ионами) с возможностью облучения в диапазоне температур 77 – 1000 К)
Комплекс измерительного оборудования для контроля технологии и электрических параметров полупроводниковых структур и приборов