В 1982 г. окончила Новосибирский электротехнический институт по специальности “физическая электроника”.

В 1992 г. защитила кандидатскую диссертацию по теме: “Влияние электрического поля на накопление и отжиг дефектов вакансионной природы в кремнии n-типа проводимости”.

В 2013 г. защитила докторскую диссертацию “Наноразмерные структуры Si/SiO₂ и сенсоры на их основе”.

Основными направлениями научной деятельности являются:

• изучение физико-химических основ технологии наноразмерных гетеросистем (в частности, структур кремний-на изоляторе);
• исследование свойств наноразмерных гетеросистем и приборов на их основе;
• определение условий формирования систем, приборов с повышенной радиационной стойкостью;
• особенности транспорта носителей заряда в наноразмерных гетероструктурах;
• физико-химические основы формирования нанопроволочных транзисторов в качестве высокочувствительных сенсорных элементов электронных биологических и химических детекторов.

В 2012 г. присвоено учёное звание доцента по специальности 01.04.10 – физика полупроводников.

Трудовая деятельность:

1982-1983 гг. – инженер-оператор НПО “Восток”, г. Новосибирск.

C 1983г. - сотрудник Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук:

1983-1986 гг. – аспирантка,

1986-1989 гг. – инженер,

1989-1991 гг. – инженер-технолог,

1991-1996 гг. – младший научный сотрудник,

1996-2001 гг. – научный сотрудник,

2001-2013 гг. – старший научный сотрудник,

с 2013 г. – ведущий научный сотрудник,

с 2014 г. – и.о. зав.лаб. кремниевой микроэлектроники.