Новости

События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.
Объявления
В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»
В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."
Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"
Важное
Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций
Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее
Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН
Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее
Поступление в образовательные организации высшего образования
СОТРУДНИКИ
![]() |
Кулубаева Эльза Гайнулаевна аспирант |
Тема работы: “Транспорт носителей заряда в наноразмерных слоях кремния на изоляторе”
СОТРУДНИКИ
![]() |
Сухих Сергей Александрович ведущий инженер-технолог участок ионного легирования (микротоковый источник ионов HVEE-400) тел. 330-67-68, вн. 1213 121, 347 ТК e-mail: |
СОТРУДНИКИ
![]() |
Попова Валентина Петровна инженер-технолог участок термической диффузии и термического окисления кремния тел. 330-67-68, вн. 1286 306 ТК |
СОТРУДНИКИ
![]() |
Таланина Татьяна Филипповна инженер-технолог участок фотолитографии тел. 330-67-68, вн. 1262 303, 309 ТК |
СОТРУДНИКИ
![]() |
Геталова Валентина Никитична ведущий инженер-технолог участок фотолитографии тел. 330-67-68, вн. 1262 303, 309 ТК |