Новости

События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.
Объявления
В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»
В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."
Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"
Важное
Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций
Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее
Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН
Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее
Поступление в образовательные организации высшего образования
НАУЧНЫЕ ОТДЕЛЫ
- Отдел №001 роста и структуры полупроводниковых материалов
руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков- Лаборатория №2 эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
и.о. зав.лаб., к.т.н. Е.В. Спесивцев - Лаборатория №16 молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
зав.лаб., д.ф.-м.н. А.И.Никифоров - Лаборатория №17 физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
зав.лаб., к.ф.-м.н. В.В.Преображенский - Лаборатория №21 физики и технологии гетероструктур на основе элементов IV группы
Зав. лаб. к.ф.-м.н. В.А. Тимофеев
- Лаборатория №2 эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
- Отдел №004 физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур
руководитель отдела академик А.Л.Асеев- Лаборатория №20 нанодиагностики и нанолитографии
и. о. зав. лаб., к.ф.-м.н. Д.В. Щеглов - Лаборатория №26 физики низкоразмерных электронных систем
зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон
- Лаборатория №20 нанодиагностики и нанолитографии
- Отдел №006 инфракрасных оптоэлектронных устройств на основе КРТ
руководитель отдела к.ф.-м.н. С.А. Дворецкий- Лаборатория №15 технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
и.о. зав.лаб., д.ф.-м.н. М.В. Якушев - Лаборатория №28 физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
зав.лаб., к.ф.-м.н. Г.Ю. Сидоров -
Группа №4 физики полупроводниковых приборов на основе соединений А2В6
рук.группы, к.ф.-м.н. В.В. Васильев
- Лаборатория №15 технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
- Отдел №009 тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники
руководитель отдела член-корр.РАН, профессор, И.Г.Неизвестный- Лаборатория №3 физики и технологии гетероструктур
и.о. зав. лаб., д.ф.-м.н. О.Е. Терещенко - Группа №2 моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
рук. группы, член-корр. РАН И.Г.Неизвестный
- Лаборатория №3 физики и технологии гетероструктур
- Отдел №010 физики и техники полупроводниковых структур
руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор, В.Н.Овсюк- Лаборатория №18 аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Д.С. Милахин - Лаборатория №37 молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
и.о. зав.лаб. д.ф.-м.н. К.С. Журавлев
- Лаборатория №18 аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов
НАУЧНЫЕ ЛАБОРАТОРИИ
- Лаборатория №1 теоретической физики
и.о. зав.лаб., д.ф.-м.н. В.М. Ковалев - Лаборатория №4 вычислительных систем
зав.лаб., д.т.н. К.В.Павский - Лаборатория №5 физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
зав.лаб., к.х.н. О.И.Семенова - Лаборатория №6 оптических материалов и структур
зав.лаб., к.ф.-.м.н. В.В.Атучин - Лаборатория №7 физики и технологии трехмерных наноструктур
и.о. зав.лаб. С.В. Мутилин - Лаборатория №9 ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики
и.о. зав.лаб., д.ф.-м.н., А.Г. Милёхин - Лаборатория №10 физических основ материаловедения кремния
зав.лаб., д.ф-м.н. В.П.Попов - Лаборатория №11 нанотехнологий и наноматериалов
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. В.А. Селезнёв - Лаборатория №12 физико-технологических основ создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. М.С. Аксёнов - Лаборатория №14 физических основ интегральной микрофотоэлектроники
и.о.зав. лаб., д.ф.-м.н. А.П.Ковчавцев - Лаборатория №19 технологии кремниевой микроэлектроники
зав.лаб., д.ф.-м.н. О.В.Наумова - Лаборатория №24 неравновесных полупроводниковых систем
зав.лаб., член-корр.РАН, д.ф.-м.н., профессор, А.В.Двуреченский - Лаборатория №31 лазерной спектроскопии и лазерных технологий
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Е.Б. Хворостов - Лаборатория №32 нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
зав.лаб. член-корр. РАН, д.ф.-м.н. И.И. Рябцев - Лаборатория №36 мощных газовых лазеров
зав.лаб., д.ф.-м.н. Д.Э.Закревский
НОВОСИБИРСКИЙ ФИЛИАЛ ИФП СО РАН "КТИ ПМ"
- Отдел фотохимических технологий
руководитель отдела А.В.Гельфанд. - Отдел тепловидения и телевидения
начальник отдела К.П.Шатунов. - Отдел конструирования оптико-электронных приборов
начальник отдела Л.И. Шапор. - Отдел электронных систем
начальник отдела Д.Л. Кравченко. - Отдел моделирования оптико-электронных приборов
начальник отдела А.В.Голицын. - Отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
и.о. заведующего отделом Р.А. Гладков
Подкатегории
Лаборатория 2
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
Лаборатория 17
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
Лаборатория 20
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии