Новости

Спин-детектор планируется установить на оборудовании станции СКИФ первой очереди
Создание спинового триода — значительный шаг к вакуумной спинтронике — направлению электроники будущего

События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Объявления
В четверг, 10.04.2025 в 15-00
состоится Институтский семинар (онлайн!)
Докладчик: Кубатаев Заур Юсупович
Структурно-динамические свойства и спектры комбинационного рассеяния света
композиционных ионных систем на основе перхлоратов щелочных металлов
В среду, 9.04.2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Емельянов Евгений Александрович
«Молекулярно-лучевая эпитаксия твёрдых растворов GaPxAs(1-x)(001) и InAsxSb(1-x)(001): формирование состава в подрешётке пятой группы»
На 22 апреля 2025 г. запланировано проведение Конкурса научных работ сотрудников ИФП СО РАН.
Желающим принять участие в конкурсе необходимо до 4 апреля 2025 г. предоставить ученому секретарю Института комплект документов
В среду, 19 марта 2025 в 10-00
в конференц-зале Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: д.ф.-м.н., профессор РАН Сачков Михаил Евгеньевич директор Института астрономии РАН
«Ультрафиолетовая Вселенная: задачи и перспективы исследования»
Важное
Конкурс РНФ на получение грантов по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований под руководством зарубежных ведущих ученых»
Приём заявок продлен до 30.04.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда
Конкурс на получение грантов РНФ по мероприятию «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований под руководством зарубежных ведущих ученых» (имеющие прикладной характер)
Приём заявок продлен до 30.04.2025
Извещение
Конкурсная документация
Подробнее на сайте фонда
Поступление в образовательные организации высшего образования
НАУЧНЫЕ ОТДЕЛЫ
- Отдел №001 роста и структуры полупроводниковых материалов
руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор О.П.Пчеляков- Лаборатория №2 эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
и.о. зав.лаб., к.т.н. Е.В. Спесивцев - Лаборатория №16 молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
зав.лаб., д.ф.-м.н. А.И.Никифоров - Лаборатория №17 физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
зав.лаб., к.ф.-м.н. В.В.Преображенский - Лаборатория №21 физики и технологии гетероструктур на основе элементов IV группы
Зав. лаб. к.ф.-м.н. В.А. Тимофеев
- Лаборатория №2 эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
- Отдел №004 физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур
руководитель отдела академик А.Л.Асеев- Лаборатория №20 нанодиагностики и нанолитографии
и. о. зав. лаб., к.ф.-м.н. Д.В. Щеглов - Лаборатория №26 физики низкоразмерных электронных систем
зав.лаб., д.ф.-м.н., профессор З.Д.Квон
- Лаборатория №20 нанодиагностики и нанолитографии
- Отдел №006 инфракрасных оптоэлектронных устройств на основе КРТ
руководитель отдела к.ф.-м.н. С.А. Дворецкий- Лаборатория №15 технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
и.о. зав.лаб., д.ф.-м.н. М.В. Якушев - Лаборатория №28 физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
зав.лаб., к.ф.-м.н. Г.Ю. Сидоров -
Группа №4 физики полупроводниковых приборов на основе соединений А2В6
рук.группы, к.ф.-м.н. В.В. Васильев
- Лаборатория №15 технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6
- Отдел №009 тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники
руководитель отдела член-корр.РАН, профессор, И.Г.Неизвестный- Лаборатория №3 физики и технологии гетероструктур
и.о. зав. лаб., д.ф.-м.н. О.Е. Терещенко - Группа №2 моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
рук. группы, член-корр. РАН И.Г.Неизвестный
- Лаборатория №3 физики и технологии гетероструктур
- Отдел №010 физики и техники полупроводниковых структур
руководитель отдела д.ф.-м.н., профессор, В.Н.Овсюк- Лаборатория №18 аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Д.С. Милахин - Лаборатория №37 молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
и.о. зав.лаб. д.ф.-м.н. К.С. Журавлев
- Лаборатория №18 аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии GaN гетероструктур на подложках кремния для силовых и СВЧ транзисторов
НАУЧНЫЕ ЛАБОРАТОРИИ
- Лаборатория №1 теоретической физики
и.о. зав.лаб., д.ф.-м.н. В.М. Ковалев - Лаборатория №4 вычислительных систем
зав.лаб., д.т.н. К.В.Павский - Лаборатория №5 физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
зав.лаб., к.х.н. О.И.Семенова - Лаборатория №6 оптических материалов и структур
зав.лаб., к.ф.-.м.н. В.В.Атучин - Лаборатория №7 физики и технологии трехмерных наноструктур
и.о. зав.лаб. С.В. Мутилин - Лаборатория №9 ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики
и.о. зав.лаб., д.ф.-м.н., А.Г. Милёхин - Лаборатория №10 физических основ материаловедения кремния
зав.лаб., д.ф-м.н. В.П.Попов - Лаборатория №11 нанотехнологий и наноматериалов
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. В.А. Селезнёв - Лаборатория №12 физико-технологических основ создания фотоприемных устройств на основе полупроводников A3B5
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. М.С. Аксёнов - Лаборатория №14 физических основ интегральной микрофотоэлектроники
и.о.зав. лаб., д.ф.-м.н. А.П.Ковчавцев - Лаборатория №19 технологии кремниевой микроэлектроники
зав.лаб., д.ф.-м.н. О.В.Наумова - Лаборатория №24 неравновесных полупроводниковых систем
зав.лаб., член-корр.РАН, д.ф.-м.н., профессор, А.В.Двуреченский - Лаборатория №31 лазерной спектроскопии и лазерных технологий
и.о. зав.лаб., к.ф.-м.н. Е.Б. Хворостов - Лаборатория №32 нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
зав.лаб. член-корр. РАН, д.ф.-м.н. И.И. Рябцев - Лаборатория №36 мощных газовых лазеров
зав.лаб., д.ф.-м.н. Д.Э.Закревский
НОВОСИБИРСКИЙ ФИЛИАЛ ИФП СО РАН "КТИ ПМ"
- Отдел фотохимических технологий
руководитель отдела А.В.Гельфанд. - Отдел тепловидения и телевидения
начальник отдела К.П.Шатунов. - Отдел конструирования оптико-электронных приборов
начальник отдела Л.И. Шапор. - Отдел электронных систем
начальник отдела Д.Л. Кравченко. - Отдел моделирования оптико-электронных приборов
начальник отдела А.В.Голицын. - Отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
и.о. заведующего отделом Р.А. Гладков
Подкатегории
Лаборатория 2
Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур
Лаборатория 17
Лаборатория физических основ эпитаксии полупроводниковых гетероструктур
Лаборатория 20
Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии