Новости

События
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
Во вторник, 24 декабря, в 15 часов в конференц-зале Административного корпуса состоятся защиты диссертаций...
в актовом зале АК состоится Заседание Ученого совета ИФП СО РАН.
12 ноября 2024 года Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН проводит традиционный конкурс стипендий для молодых ученых. Начало работы мероприятия — в 9:00, в конференц-зале административного корпуса.
Объявления
В среду, 25.06.2025 в 15-00
в конференц-зал Административного корпуса состоится Институтский семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
«Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии»
В среду, 11 июня 2025 в 17-00
в конференц-зале ТК состоится
семинар лаборатории №3 по публикации: "1.534 мкм электролюминесценция эрбия в плёнках In2O3:Er, ВЧ-магнетронно напылённых на подложку кремния."
Во вторник, 10 июня 2025 в 15-00
в конференц-зале ТК состоится лабораторный семинар
Докладчик: Майдэбура Ян Евгеньевич
"Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии"
Важное
Конкурс на присуждение премий мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций
Заявки принимают по 28 июля 2025 года
Подробнее
Конкурс молодых ученых 2025 года по присуждению премий имени выдающихся ученых Сибирского отделения РАН
Срок предоставления работ с 16 июня по 31 июля 2025
Подробнее
Поступление в образовательные организации высшего образования
КОНТАКТЫ
Руководитель: |
д.ф.-м.н., профессор Александр Сергеевич Терехов |
Адрес: |
г. Новосибирск, ул. Пирогова, 30 |
МЕЖДУНАРОДНОЕ СОТРУДНИЧЕСТВО
Лаборатория сотрудничала со следующими зарубежными научными центрами:
- 1993 – 2009 - Max Planck Institut fur Kernphysik, Heidelberg, Germany.
- 1994 – 2001 - Institut fur Kernphysik, Universitat Mainz, Germany.
- 1996 – 1998 - Nationaal instituut voor subatomaire fysica, NIKHEF, Amsterdam, Nethelends.
- 2000 – 2005 - École Polytechnique, Palaiseau Cedex, France.
- 2006 – 2014 - Accelerator Science and Technology Centre, Daresbury, United Kingdom.
СОТРУДНИКИ
Терехов Александр Сергеевич зав. лаб., д.ф.-м.н. |
тел. 330-85-08 |
242 ТК |
Альперович Виталий Львович в.н.с., д.ф.-м.н. |
тел. 330-98-74 |
253 ТК |
Косолобов Сергей Николаевич с.н.с., к.ф.-м.н. |
тел. 330-98-74 |
252 ТК |
Шайблер Генрих Эрнстович с.н.с., к.ф.-м.н. |
тел. 330-98-74 |
252 ТК |
Ярошевич Александр Сергеевич с.н.с., к.ф.-м.н. |
тел. 330-69-45 |
209 ТК |
Журавлев Андрей Григорьевич м.н.с., к.ф.-м.н. |
тел. 330-98-74 |
253 ТК |
Ахундов Игорь Олегович м.н.с., к.ф.-м.н. |
тел. 330-98-74 | 253 ТК |
Бакин Василий Вениаминович м.н.с. |
тел. 330-98-74 | 252 ТК |
Рудая Нина Сергеевна вед. инж.-техн. |
тел. 330-98-74 | 254 ТК |
Савченко Ирина Васильевна вед. инж.-техн. |
тел. 330-98-74 | 254 ТК |
Абдылдаева Кулжамал Шаршембековна инж. |
тел. 330-98-74 | 254 ТК |
Прохорова Елена Юрьевна инж. |
тел. 330-98-74 | 254 ТК |
Горшков Дмитрий Витальевич инж. |
тел. 330-98-74 | 216 ТК |
Рожков Станислав Александрович инж. |
тел. 330-98-74 | 216 ТК |
Иваненков Юрий Викторович инж. |
тел. 330-98-74 | 013 ТК |
Иваненков Никита Юрьевич техник |
тел. 330-98-74 | 013 ТК |
Казанцев Дмитрий Михайлович аспирант |
тел. 330-98-74 | 253 ТК |
МЕТОДЫ И ОБОРУДОВАНИЕ
Оборудование
В лаборатории имеется 15 исследовательских и технологических установок, предназначенных для изготовления фотоэлектронных вакуумно-полупроводниковых приборов на основе полупроводниковых фотокатодов с отрицательным электронным сродством и изучения атомных и электронных явлений в этих фотокатодах. В лаборатории также имеется мастерская, оснащенная токарным, сверлильным и фрезерным станками.
Установка для исследования свойств атомарно-чистых поверхностей ADES-500 методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, дифракции медленных электронов и спектроскопии энергетических потерь электронов производства фирмы «VG Scientific», Великобритания.
Сверхвысоковакуумная установка для изготовления фотоэлектронных вакуумно-полупроводниковых приборов методом «переноса», изготовлена в ИФП СО РАН.
Методы
В лаборатории используются следующие основные методы:
получение атомарно-чистых поверхностей полупроводников A3B5;
получение атомарно-гладкой поверхности GaAs;
анализ энергетических распределений фотоэлектронов, эмитированных полупроводниковыми фотокатодами при криогенных температурах;
изучение структуры и состава поверхностей полупроводников методами дифракции медленных электронов, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии энергетических потерь электронов;
изготовление методом «переноса» фотоэлектронных вакуумно-полупроводниковых приборов на основе полупроводниковых фотокатодов с отрицательным электронным сродством.
ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ
Проблемно-ориентированные фундаментальные и поисковые исследования полупроводниковых фотокатодов с отрицательным электронным сродством.
Трансфер результатов исследований в отечественную высокотехнологическую промышленность.
Подготовка молодых ученых.